빛 국소화가 가능한 아날로그 광소자
LIGHT-LOCALIZABLE ANALOG DEVICE
특허 요약
본 발명은 고굴절율을 갖는 두 물질층 사이에 저굴절율을 갖는 하나의 물질층을 배치하되, 상부 물질층에 메타구조를 형성함으로써 입사광을 국소화시킬 수 있는 아날로그 광소자에 관한 것이다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 8 | 제 1항에 있어서,상기 제 1물질층은 사각격자를 따라 배열된 원 형태의 에어 홀을 포함하는,아날로그 광소자. |
| 2 | 제 1항에 있어서,상기 제 1물질은 Si, a-Si, TiO2, Ti3O5, Si3N4 및 Ge에서 선택되는 1 또는 2 이상인,아날로그 광소자 |
| 3 | 제 1항에 있어서,상기 제 2물질은 SiO2, MgF2, Al2O3, PMMA 및 PDMS에서 선택되는 1 또는 2이상인,아날로그 광소자. |
| 4 | 제 1항에 있어서,상기 제 3물질은 Si, a-Si, TiO2, Ti3O5, Si3N4 및 Ge에서 선택되는 1 또는 2 이상인,아날로그 광소자 |
| 5 | 제 1항에 있어서,상기 제 1물질층의 굴절률은 3.5이하인 것인,아날로그 광소자. |
| 6 | 제 1항에 있어서,상기 제2물질층의 굴절률은 1.46이하인 것인,아날로그 광소자. |
| 7 | 제 1항에 있어서,상기 제 3물질층의 굴절률은 3.5이하 인것인,아날로그 광소자. |
| 1 | 제1 물질층;상기 제1 물질층 상에 증착되는 제2 물질층; 및상기 제2 물질층 상에 증착되고, 중공의 격자형 메타구조가 형성된 제3 물질층을 포함하되,상기 제2 물질층의 굴절률은 상기 제1 및 제3 물질층의 굴절률보다 낮은 것을 특징으로 하는아날로그 광소자. |
