| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 8 | 제7항에 있어서,상기 혼합단계는 용매 1㎖ 당 공액고분자 4 |
| 9 | 삭제 |
| 10 | 제7항에 있어서,상기 용매는 톨루엔, 클로로포름, 클로로벤젠, 다이클로로벤젠, 트리클로로벤젠 및 자일렌 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 유기반도체 제조방법. |
| 1 | 유기박막트랜지스터를 구성하는 탄소나노튜브 유기반도체로서,공액고분자 및 단일벽 탄소나노튜브를 포함하고,상기 단일벽 탄소나노튜브는 반도체성질을 가지며 공액고분자로 랩핑되고, 상기 공액고분자는 폴리플루오렌, 디켑토파이로릴 파이릴(1,4-diketopyrrolo[3,4-c]pyrrole (DPP)), 나프탈렌 다이이미드, 나프탈렌-비스디카르복시이미드(naphthalene-bis(dicarboximide) (NDI)), 아이소인디고(isoindigo), 아이소티오펜 인디고(isothiophene indigo) 중 어느 하나이고,상기 공액고분자는 반도체성질을 갖는 단일벽 탄소나노튜브만을 선택적으로 랩핑하며,상기 공액고분자가 랩핑된 단일벽 탄소나노튜브는 유기반도체 내에서 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 유기반도체. |
| 2 | 삭제 |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 유기반도체는 상기 단일벽 탄소나노튜브가 0.0001 ~ 0.015 mg/㎖가 포함된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 유기반도체. |
| 4 | 제1항에 있어서,상기 유기반도체는 다른 유기반도체가 추가적으로 혼합되는 데, N형 반도체 또는 P형 반도체가 혼합되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 유기반도체. |
| 5 | 제4항에 있어서,상기 공액고분자로 랩핑된 탄소나노튜브 및 다른 유기반도체의 혼합된 부피에서 상기 공액고분자로 랩핑된 탄소나노튜브는 10부피% 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 유기반도체. |
| 6 | 제4항에 있어서,상기 N형 유기반도체는 아센계 물질, 완전 불화된 아센계 물질, 부분 불화된 아센계 물질, 부분 불화된 올리고티오펜(oligothiophene)계 물질, 플러렌(fullerene)계 물질, 치환기를 갖는 플러렌계 물질, 완전 불화된 프탈로시아닌(phthalocyanine)계 물질, 부분 불화된 프탈로시아닌계 물질, 페릴렌 테트라카르복실릭 디이미드(perylene tetracarboxylic diimide)계 물질, 페릴렌 테트라카르복실 디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride)계 물질, 나프탈렌 테트라카르복실릭 디이미드(naphthalene tetracarboxylic diimide)계 물질 또는 나프탈렌 테트라카르복실릭 디안하이드라이드(naphthalene tetracarboxylic dianhydride)계 물질 또는 이들의 유도체 중에서 선택되며,상기 P형 유기반도체는 아센(acene), 폴리-티에닐렌비닐렌(poly-thienylenevinylene), 폴리-3-헥실티오펜(poly-3-hexylthiophen), 알파-헥사티에닐렌(α-hexathienylene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜(α-6-thiophene), 알파-4-티오펜 (α-4-thiophene), 루브렌(rubrene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리파라페닐렌비닐렌 (polyparaphenylenevinylene), 폴리파라페닐렌(polyparaphenylene), 폴리플로렌(polyfluorene), 폴리티오펜비닐렌(polythiophenevinylene), 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체(polythiophene-heterocyclicaromatic copolymer), 트리아릴아민(triarylamine)을 포함하는 물질 또는 이들의 유도체 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 유기반도체. |
| 7 | 유기박막트랜지스터를 구성하는 탄소나노튜브 유기반도체 제조방법으로서,용매에 공액고분자 및 단일벽 탄소나노튜브를 혼합하는 혼합단계;혼합된 용액을 초음파 처리하는 초음파처리단계;원심분리기로 분리하여 부유용액을 취하는 분리단계; 및상기 부유용액을 유기반도체를 형성하는 탄소나노튜브 유기반도체 형성단계를 포함하되,상기 분리단계에서 부유용액은 반도체성질을 가진 단일벽 탄소나노튜브가 공액고분자로 랩핑되고,상기 공액고분자는 폴리플루오렌, 디켑토파이로릴 파이릴(1,4-diketopyrrolo[3,4-c]pyrrole (DPP)), 나프탈렌 다이이미드, 나프탈렌-비스디카르복시이미드(naphthalene-bis(dicarboximide) (NDI)), 아이소인디고(isoindigo), 아이소티오펜 인디고(isothiophene indigo) 중 어느 하나이고,상기 공액고분자는 반도체성질을 갖는 단일벽 탄소나노튜브만을 선택적으로 랩핑하며,상기 공액고분자가 랩핑된 단일벽 탄소나노튜브는 유기반도체 내에서 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 유기반도체 제조방법. |
| 11 | 기판;상기 기판 상에 위치한 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치한 반도체성질을 가진 단일벽 탄소나노튜브가 공액고분자로 랩핑된 물질이 포함된 탄소나노튜브 유기반도체;상기 유기반도체 상의 전면에 위치하는 게이트 절연막; 및상기 절연막 상에 위치한 게이트 전극;을 포함하고,상기 공액고분자는 폴리플루오렌, 디켑토파이로릴 파이릴(1,4-diketopyrrolo[3,4-c]pyrrole (DPP)), 나프탈렌 다이이미드, 나프탈렌-비스디카르복시이미드(naphthalene-bis(dicarboximide) (NDI)), 아이소인디고(isoindigo), 아이소티오펜 인디고(isothiophene indigo) 중 어느 하나이고, 상기 공액고분자는 반도체성질을 갖는 단일벽 탄소나노튜브만을 선택적으로 랩핑하며,상기 공액고분자가 랩핑된 단일벽 탄소나노튜브는 유기반도체 내에서 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터. |
| 12 | 삭제 |
| 13 | 제11항에 있어서,상기 탄소나노튜브 유기반도체는 상기 단일벽 탄소나노튜브가 0.0001 ~ 0.015 mg/㎖ 포함된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터. |
| 14 | 제13항에 있어서,상기 유기반도체는 다른 유기반도체가 추가적으로 혼합되는 데, N형 반도체 또는 P형 반도체가 혼합되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터. |
| 15 | 제13항에 있어서,상기 공액고분자로 랩핑된 탄소나노튜브 및 다른 유기반도체의 혼합된 부피에서 상기 공액고분자로 랩핑된 탄소나노튜브는 10부피% 이상인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터. |
| 16 | 제11항, 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 박막트랜지스터를 활성층으로 활용하여 화학물질에 노출시 전기적 특성 변화를 감지할 수 있어 날숨을 통한 폐암진단으로 활용할 수 있는 화학 센서. |
| 17 | 제16항의 화학센서를 이용하여 어플리케이션이 탑재된 스마트폰에 있어서,상기 화학센서를 능동구동 센서부로 연결하고 상기 센서부의 신호를 무선으로 전송하는 블루투스칩을 포함하며, 전송된 신호를 스마트폰에서 감지할 수 있는 날숨을 통한 폐암진단으로 활용할 수 있는 어플리케이션이 탑재된 스마트폰. |
