납팔라듐산화물 타겟을 제공하는 단계; 진공 용기에 상기 납팔라듐산화물 타겟을 장착하고 기판을 제공하는 단계; 및 상기 납팔라듐산화물 타겟을 이용하여 상기 기판에 납팔라듐산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 납팔라듐산화물박막은 단결정 또는 다결정의 오소롬빅(orthorhhombic) 구조인 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체 박막의 형성 방법.

납팔라듐산화물 타겟을 제공하는 단계; 진공 용기에 상기 납팔라듐산화물 타겟을 장착하고 기판을 제공하는 단계; 상기 납팔라듐산화물 타겟을 이용하여 상기 기판에 납팔라듐산화물 박막을 형성하는 단계;및 상기 납팔라듐산화물 박막이 형성된 기판을 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 기판의 열처리는 산소 분위기의 대기압에서 섭씨 650도 내지 섭씨 750도이고, 상기 납팔라듐산화물박막은 단결정 또는 다결정의 오소롬빅(orthorhhombic) 구조인 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체 박막의 형성 방법.

납팔라듐산화물 타겟을 제공하는 단계; 진공 용기에 상기 납팔라듐산화물 타겟을 장착하고 기판을 제공하는 단계; 및 상기 납팔라듐산화물 타겟을 이용하여 상기 기판에 납팔라듐산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 납팔라듐산화물박막은 단결정 또는 다결정의 오소롬빅(orthorhhombic) 구조이고, 상기 납팔라듐산화물 타겟을 제공하는 단계는: 납산화물 분말을 제공하는 단계; 팔라듐산화물 분말을 제공하는 단계; 및 상기 납산화물 분말과 상기 팔라듐산화물 분말을 혼합하여 소결하는 단계를 포함하고, 상기 납산화물 분말과 상기 팔라듐산화물 분말의 혼합 비율은 1.05:1~ 1.2:1 이고, 상기 납산화물 분말과 상기 팔라듐산화물 분말의 소결은 섭씨 650도 내지 섭씨 750도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체 박막의 형성 방법.

제1 항 내지 제3항 중에서 어느 하나의 항 있어서, 상기 납팔라듐산화물 타겟을 이용하여 상기 기판에 납팔라듐산화물 박막을 형성하는 단계는: 상기 기판을 가열하는 단계; 상기 진공 용기에 산소를 유입시키는 단계; 및 상기 납팔라듐산화물 타겟에 펄스 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체 박막의 형성 방법.

제4 항에 있어서, 상기 펄스 레이저의 주파수는 3 Hz 내지 10 Hz인 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체 박막의 형성 방법.

제4 항에 있어서, 상기 진공 용기의 산소의 압력은 100 mTorr 내지 1 Torr 인 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체 박막의 형성 방법.

제1 항 내지 제3항 중에서 어느 하나의 항 있어서, 상기 기판의 온도는 섭씨 700도 내지 섭씨 800도 인 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체 박막의 형성 방법.

제1 항 내지 제3항 중에서 어느 하나의 항 있어서, 상기 납팔라듐산화물 타겟을 이용하여 상기 기판에 납팔라듐산화물 박막을 형성하는 단계는: 상기 기판을 가열하는 단계; 상기 진공 용기에 산소를 유입시키는 단계; 및 상기 납팔라듐산화물 타겟에 전력을 인가하여 스퍼터(sputtering)시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체 박막의 형성 방법.

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제1 항 내지 제3항 중에서 어느 하나의 항 있어서, 상기 기판을 세정하는 단계를 더 포함하는 갭리스 반도체 박막의 형성 방법.

제 11 항에 있어서, 상기 기판을 세정하는 단계는: 아세톤, 알콜, 및 DI 물 중에서 적어도 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체 박막의 형성 방법.

제1 항 내지 제3항 중에서 어느 하나의 항 있어서, 상기 기판은 MgO, Si, MgAl2O4, GaAs, 또는 Al2O3인 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체 박막의 형성 방법.

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