갭리스 반도체 및 그 형성 방법
GAPLESS SEMICONDUCTOR AND FORMING METHOD OF THE SAME
특허 요약
본 발명은 갭리스 반도체 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 갭리스 반도체는 일반식 PbPd x Co y O 2 로 표시되는 납, 팔라듐, 코발트 산화물 화합물을 포함한다. 갭리스 반도체, 열전 소자, 자성 소자, 납팔라듐코발트산화물
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 일반식 PbPdxCoyO2로 표시되는 납, 팔라듐, 코발트 산화물 화합물을 포함하는 갭리스 반도체. |
| 2 | 제1 항에 있어서, 상기 PbPdxCoyO2에서, x는 0.8~0.95, y는 0.05 ~0.2 인 것을 특징으로 포함하는 갭리스 반도체. |
| 3 | 제1 항에 있어서, 상기 PbPdxCoyO2는 열전소자 재료인 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체. |
| 4 | 제1 항에 있어서, 상기 PbPdxCoyO2는 단결정 또는 다결정인 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체. |
| 5 | 납산화물 분말을 제공하는 단계; 팔라듐산화물 분말을 제공하는 단계; 코발트산화물 분말을 제공하는 단계; 및 상기 납산화물 분말, 상기 팔라듐산화물 분말, 및 상기 코발트 분말을 혼합하여 소결하여 납팔라듐코발트산화물을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 납산화물 분말, 상기 팔라듐산화물 분말, 및 상기 코발트산화물 분말의 몰 혼합 비율은 1.05~1.15:0.9:0.1 인 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체의 형성 방법. |
| 6 | 제5 항에 있어서, 상기 소결의 온도는 섭씨 650도 내지 섭씨 750도인 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체의 형성 방법. |
| 7 | 제5 항에 있어서, 상기 소결된 납팔라듐코발트산화물을 그라인딩하여 다시 소결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 갭리스 반도체의 형성 방법. |
