전체 중량에 대하여 BNNSs(Hexagonal boron nitride nanosheets)를 99 내지 100wt%의 비율로 포함하는 이차전지용 분리막의 제조방법으로, 상기 방법은:h-BN 분말을 친수성기를 포함한 용질을 포함하는 수용액에 분산시킨 분산액을 형성하는 제 1 단계;상기 분산액을 교반하여 교반액을 형성하는 제 2 단계;상기 교반액을 초음파로 제1차 초음파 분해하여, 친수성기를 포함한 BN(이하 BN-친수성기 라고 함)을 포함하는 제1차 초음파 분해액을 형성하는 제 3 단계;상기 제1차 초음파 분해액을 여과하여 상기 BN-친수성기를 수득하는 제 4 단계;상기 BN-친수성기를 탈 이온수로 세척 및 건조시켜 건조된 BN-친수성기를 형성하는 제 5 단계;상기 건조된 BN-친수성기를 열 팽창시켜 열 팽창된 BN-친수성기를 형성하는 제 6 단계;상기 열 팽창된 BN-친수성기를 초음파로 제2차 초음파 분해하여, 제2차 초음파 분해액을 형성하는 제 7 단계; 및상기 제2차 초음파 분해액에서 BNNS를 수득하는 제 8 단계를 포함하고, 상기 제 1 단계에서, 상기 친수성기를 포함한 용질을 포함하는 수용액의 몰농도는 5M 내지 10 M인 것을 특징으로 하는 것인, 이차전지용 분리막 제조방법.

제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계에서, 상기 친수성기는 하이드록시기(OH-)이고,상기 제 3 단계 내지 상기 제 7 단계에서 BN-친수성기는 BN-OH 인 것인이차전지용 분리막 제조방법.

제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계에서, 상기 교반은 75 내지 80℃에서 72시간 이상 교반하는 것인이차전지용 분리막 제조방법.

제 1 항에 있어서,상기 제 5 단계에서 상기 탈 이온수로 세척은상기 BN-친수성기의 pH가 6.5 내지 7.5가 되도록 하는 것인이차전지용 분리막 제조방법.

제 1 항에 있어서,상기 제 6 단계에서 상기 열 팽창은 환원성기체 또는 비활성기체 조건하에서 수행되는 것인이차전지용 분리막 제조방법.

전자를 받아 환원되는 양극활물질부 및 상기 양극활물질부를 지지하는 집전체를 포함하는 양극;산화되면서 전자를 방출하는 음극활물질부를 포함하는 음극; 및상기 양극과 상기 음극 사이에 이온이 이동되는 이동통로인 전해질부; 및적어도 일부가 BNNSs(Hexagonal boron nitride nanosheets)인 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해 제조된 분리막을 포함하는,이차전지.

제 6 항에 있어서,상기 BNNSs(Hexagonal boron nitride nanosheets)는 질소(N)와 붕소(B)가 교번하여 배치된 육각형 구조를 포함하고,상기 육각형 구조는 이온이 통과할 수 있는 통로를 포함하는,이차전지.

제 6 항에 있어서,상기 적어도 일부가 BNNSs(Hexagonal boron nitride nanosheets)인 분리막은,제 1 BNNSs(Hexagonal boron nitride nanosheets) 및; 상기 제 1 BNNSs(Hexagonal boron nitride nanosheets)의 일면에 배치된 제 2 BNNSs(Hexagonal boron nitride nanosheets)를 포함하고,상기 제 1 BNNSs(Hexagonal boron nitride nanosheets)와 상기 제 2 BNNSs(Hexagonal boron nitride nanosheets)사이에서 이온이 통과할 수 있는 통로를 포함하는 것인,이차전지.

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