| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 다공성 니켈 기재; 및상기 다공성 니켈 기재상에 배치되고, 2종의 음이온 및 산소결핍(oxygen vacancy)을 포함하는 니켈 화합물층을; 포함하고,상기 니켈 화합물층은 SO4-x(0003c#x003c#1), NO3-x(0003c#x003c#1) 및 CO3-x(0003c#x003c#1) 중 적어도 하나를 포함하는,슈퍼 커패시터용 전극 물질. |
| 2 | 삭제 |
| 3 | 제 1 항의 슈퍼 커패시터용 전극 물질;전해질; 및분리막;을 포함하는 슈퍼 커패시터. |
| 4 | 산용액 및 과산화수소(H2O2)를 혼합한 혼합용액을 형성하는 제 1단계;상기 혼합용액에 다공성 니켈 기재를 접촉시켜 상기 다공성 니켈 기재상에 2종의 음이온 및 산소결핍(oxygen vacancy)을 포함하는 니켈 화합물층을 형성하는 제 2 단계;를 포함하고,상기 산용액은 황산(H2SO4), 질산(HNO3) 및 탄산(H2CO3) 중 적어도 하나인,슈퍼 커패시터용 전극 물질의 제조방법. |
| 5 | 삭제 |
| 6 | 제 4 항에 있어서,상기 제 1 단계에서, 상기 산용액 및 과산화수소(H2O2)는 3:1 내지 7:1의 부피비로 혼합하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 물질의 제조방법. |
| 7 | 제 4 항에 있어서,상기 제 2 단계는 50 내지 100℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 물질의 제조방법. |