| 번호 | 청구항 |
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| 8 | 제5항에 있어서, 상기 Ni 이온을 포함하는 니켈 화합물은 Ni(NO3)2・6H2O, NiCl2・6H2O, NiCl2, NiCl2・xH2O, Ni(OCOCH3)2・4H2O, Ni(C5H7O2)2, NiSO4 ・ 6H2O, NiSO4, Ni(ClO4)2・6H2O, NiBr2, NiI2, NiBr2・xH2O, C2F6NiO6S2, Ni(C5HF6O2)2・xH2O, NiSO4・7H2O, Ni(SO3NH2)2・4H2O, 2NiCO3・3Ni(OH)2・4H2O, NiCO3 및 2Ni(OH)2・xH2O 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는슈퍼커패시터용 전극의 제조방법. |
| 10 | 제5항에 있어서, 상기 황 화합물은 티아요소(thiourea, CH4N2S), Na2S, Na2S・9H2O 및 CS2중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법. |
| 9 | 제5항에 있어서, 상기 Mo 이온을 포함하는 몰리브덴 화합물은Na2MoO4, Bi2(MoO4)3, Mo(CO)6, WCl6, (NH4)2MoO4, (NH4)6Mo7O24・4H2O, H3[P(Mo3O10)4]・xH2O 및 Na2MoO4・2H2O 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법. |
| 1 | 3차원 다공성 기재;상기 기재상에 배치된 이산화몰리브덴(MoO2) 박막; 및상기 이산화몰리브덴(MoO2) 박막상에 배치된 니켈 황화물 나노구조체;를 포함하는 슈퍼커패시터용 전극. |
| 2 | 제1항에 있어서, 상기 니켈 황화물은 Ni3S2인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 나노 구조체는 나노와이어 및 나노시트 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극. |
| 4 | 제1항에 있어서,상기 슈퍼커패시터용 전극은3차원 형상, 2차원 형상 및 1차원 형상의 나노구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극. |
| 5 | 3차원 다공성 기재를 준비하는 단계;Ni 이온을 포함하는 니켈 화합물, Mo이온을 포함하는 몰리브덴(Mo) 화합물, 황(S) 화합물 및 용매를 혼합한 혼합용액을 형성하는 단계; 및상기 3차원 다공성 기재를 상기 혼합용액에 접촉시킨 후 열처리하는 단계;를 포함하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법. |
| 6 | 제5항에 있어서,상기 열처리는 가압 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법. |
| 7 | 제5항에 있어서, 상기 열처리는 200℃ 내지 790℃미만의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는슈퍼커패시터용 전극의 제조방법. |
