| 번호 | 청구항 |
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| 6 | 수용액의 수소이온농도를 측정하기 위한 수소이온농도 감지막의 제조 방법으로서,기판을 제공하는 단계, 상기 기판 위에 10nm 내지 1000nm 두께의 산화실리콘층(SiO2)을 제공하는 단계,상기 기판과 상기 산화실리콘층(SiO2)을 300℃ 내지 1050℃에서 열처리하는 단계,상기 산화실리콘층(SiO2) 위에 10nm 내지 1000nm 두께의 산화하프늄층(HfO2)을 제공하는 단계,상기 기판, 상기 산화실리콘층(SiO2) 및 상기 산화하프늄층(HfO2)을 300℃ 내지 1050℃에서 열처리하는 단계,상기 산화하프늄층(HfO2) 위에 10nm 내지 1000nm 두께의 산화알루미늄층(Al2O3)을 제공하는 단계, 및상기 기판, 상기 산화실리콘층(SiO2) 및 상기 산화하프늄층(HfO2) 및 상기 산화알루미늄층(Al2O3)을 100℃ 내지 500℃에서 열처리하는 단계를 포함하는 수소이온농도 감지막의 제조 방법. |
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| 11 | 제6항에 있어서,상기 산화실리콘층(SiO2)을 제공하는 단계에서, 상기 산화실리콘층(SiO2)은 열산화(thermal oxidation), 스퍼터링(sputtering), 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD) 또는 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD)에 의해 제공되는 수소이온농도 감지막의 제조 방법. |
| 12 | 제6항에 있어서,상기 산화하프늄층(HfO2)을 제공하는 단계에서, 상기 산화하프늄층(HfO2)은 스퍼터링, 원자층 증착법 또는 화학기상증착에 의해 제공되는 수소이온농도 감지막의 제조 방법. |
| 13 | 제6항에 있어서,상기 산화알루미늄층(Al2O3)을 제공하는 단계에서, 상기 산화알루미늄층(Al2O3)은 스퍼터링, 원자층 증착법 또는 화학기상증착에 의해 제공되는 수소이온농도 감지막의 제조 방법. |
