서브마이크론 α-SiC 분말에 탄소 전구체를 첨가하여 α-SiC 분말의 표면에 탄소 전구체를 코팅하고, 질소 분위기를 사용하여 열처리함으로써, 상기 탄소 전구체를 탄소로 변환하고 SiC 분말에 질소가 도핑되도록 하며, 이로부터 SiC 분말의 응집체 형성이 방지되는 것을 특징으로 하는 저저항 상압 고상소결 탄화규소 소재 제조용 조성물의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 질소분위기에서 열처리 하는 공정은 20002250℃ 온도 범위에서 110시간 열처리하여 200~1000ppm의 질소가 도핑되는 것을 특징으로 하는 저저항 상압 고상소결 탄화규소 소재 제조용 조성물의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 탄소 전구체는 열처리 과정에서 탄소로 변환되며, 상기 탄소의 입자 크기는 0.1~100nm의 범위인 것을 특징으로 하는 저저항 상압 고상소결 탄화규소 소재 제조용 조성물의 제조방법.

제1항의 방법에 의하여 제조된 조성물에서, 질소가 도핑된 상기 SiC 분말에 소결첨가제인 B4C 분말을 추가하여 소결하는 것을 특징으로 하는 저저항 상압 고상소결 탄화규소 소재의 제조방법.

제1항의 방법에 의하여 제조되며, 유기바인더를 제외한 조성물 전체중량을 100중량부로 하였을 때, 질소가 도핑된 α-SiC 분말 94.25 ~ 98.40중량부, 고분자 형태의 탄소 전구체로부터 변환되는 나노 크기 탄소 1.50 ~ 5.50중량부,를 포함하는 것을 특징으로 하는 저저항 상압소결 탄화규소 소재 제조용 조성물.

제5항의 조성물로부터 제조되며, 상압고상소결 공정으로 제조되어, 1 × 10-4 ~ 9 × 10-1 Ωcm 범위의 비저항을 가지며, 기공율이 2% 이하인 것을 특징으로 하는 저저항 상압소결 탄화규소 소재.

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제6항의 소재를 제조하는 방법으로서, (i) α-SiC 분말 및 탄소 전구체를 포함하는 조성물을 1차 혼합하는 단계; (ii) 상기 혼합물을 질소 분위기에서 열처리 하여 질소를 도핑하는 단계;(iii) 상기 열처리되어 질소가 도핑된 분말에 소결첨가제와 유기바인더를 첨가하여 2차 혼합하는 단계;(iv) 상기 2차 혼합물을 사용하여 성형하는 단계; 및 (v) 상기 성형체를 상압고상소결하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 저저항 상압소결 탄화규소 소재의 제조방법.

제8항에 있어서, 상기 상압소결 공정의 최고 온도는 2050 ~ 2250℃의 범위이며, 진공분위기를 적용하고, 승온 과정에서 350700℃ 온도범위에서 0.55시간 동안 유기바인더의 열분해 공정을 거치며, 15501650℃ 온도범위에서 SiO2 + 3C → SiC + 2CO↑ 반응을 일으키기 위해 0.55시간 동안 유지하고, 그 이후에는 아르곤 가스 분위기를 사용하여 2050 ~ 2250℃ 온도 범위에서 1 ~ 8시간 동안 소결하는 것을 특징으로 하는 저저항 상압소결 탄화규소 소재의 제조방법.