테이퍼 형상의 빔을 가진 릴레이 소자의 제조 방법에 있어서,기판의 일부를 식각하여 수직의 빔(beam)을 형성하는 단계;상기 기판 및 상기 수직의 빔 상에 제 1 메탈층을 적층하는 단계;상기 제 1 메탈층의 적층 두께가 상기 수직의 빔의 하부로 향할수록 두꺼워지는 테이퍼 형상이 되도록 상기 제 1 메탈층을 식각하는 단계;상기 기판의 상부 영역에 제 2 메탈층을 적층하는 단계; 및상기 제 2 메탈층의 상부 영역에 제 3 메탈층을 적층하는 단계를 포함하되, 상기 식각된 제 1 메탈층이 적층된 수직의 빔의 구조는 소스(Source)로 동작하고,상기 제 2 메탈층은 게이트(Gate)로 동작하고,상기 제 3 메탈층은 드레인(Drain)으로 동작하되, 상기 소스가 상기 게이트에 인가된 전압에 따라 좌우로 움직여 상기 드레인에 접촉하거나 분리되면서 온오프 기능을 수행하는 것인, 릴레이 소자의 제조 방법.

제 1 항에 있어서,상기 제 1 메탈층을 식각하는 단계 이후에, 상기 기판 및 상기 제 1 메탈층 상에 희생층을 적층하는 단계; 및상기 수직의 빔이 온오프 동작을 수행하기 위한 영역을 제외한 영역에 적층된 희생층을 식각하는 단계를 더 포함하는 것인, 릴레이 소자의 제조 방법.

제 2 항에 있어서,상기 제 3 메탈층을 적층하는 단계 이후에 상기 수직의 빔이 상기 온오프 동작을 수행하기 위한 영역에 적층된 희생층을 식각하는 단계를 더 포함하는 것인, 릴레이 소자의 제조 방법.

제 1 항에 있어서,상기 제 2 메탈층을 적층하는 단계는,상기 기판 상에 제 1 절연층을 적층하는 단계; 및상기 제 1 절연층 상에 상기 제 2 메탈층을 적층하는 단계를 포함하는 것인, 릴레이 소자의 제조 방법.

제 4 항에 있어서,상기 제 3 메탈층을 적층하는 단계는,상기 제 2 메탈층 및 상기 제 1 메탈층에 적층된 희생층 상에 제 2 절연층을 적층하는 단계; 및상기 제 2 메탈층 상에 적층된 상기 제 2 절연층 상에 상기 제 3 메탈층을 적층하는 단계를 포함하는 것인, 릴레이 소자의 제조 방법.

제 1 항에 있어서,상기 수직의 빔을 형성하는 단계는상기 기판의 일부를 이방성 식각하여 상기 수직의 빔을 형성하는 것인, 릴레이 소자의 제조 방법.

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제 2 항에 있어서,상기 제 1 메탈층은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나로 이루어진 것인, 릴레이 소자의 제조 방법.

제 3 항에 있어서,상기 희생층을 적층하는 단계는 화학 기상 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition)을 통해 상기 희생층을 적층하는 것인, 릴레이 소자의 제조 방법.

테이퍼 형상의 빔을 가진 릴레이 소자에 있어서,기판;상기 기판의 중간 영역 상에 형성되고, 하부로 향할수록 두꺼워지는 테이퍼 형상을 가지는 수직의 빔(Beam) 구조의 소스(Source) 전극;상기 수직의 빔의 좌우 영역 상에 적층된 제 1 절연층;상기 제 1 절연층 상에 적층된 게이트(Gate) 전극;상기 게이트 전극 및 상기 소스 전극의 상부 영역에 적층된 제 2 절연층; 및상기 게이트 전극 상에 적층된 상기 제 2 절연층 상에 적층된 드레인(Drain) 전극을 포함하는 것이되, 상기 소스 전극이 상기 게이트 전극에 인가된 전압에 따라 좌우로 움직여 상기 드레인 전극에 접촉하거나 분리되면서 온오프 기능을 수행하는 것인, 릴레이 소자.

제 10 항에 있어서,상기 수직의 빔은 상기 기판을 이방성 식각하여 형성된 수직의 실리콘층; 및상기 실리콘층의 하부로 향할수록 두꺼워지도록 상기 실리콘층에 코팅된 메탈층을 포함하는 것인, 릴레이 소자.

제 10 항에 있어서,상기 수직의 빔과, 상기 게이트 전극 및 드레인 전극 사이에 상기 수직의 빔이 온오프 동작을 수행하기 위한 영역을 가지는 것인, 릴레이 소자.

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제 11 항에 있어서,상기 메탈층은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나로 이루어진 것인, 릴레이 소자.