(a) 이미지를 생성하고자 하는 이미징 영역에 대한 압축 센싱을 수행하기 위하여 제1 샘플 좌표를 설정하고, 상기 제1 샘플 좌표에 대응하는 제1 샘플 영상 정보를 획득하는 단계;(b) 상기 제1 샘플 좌표 및 상기 제1 샘플 영상 정보를 기초로 제2 샘플 좌표를 설정하는 단계;(c) 설정된 상기 제2 샘플 좌표에 대응하는 제2 샘플 영상 정보를 획득하는 단계; 및(d) 압축 센싱 알고리듬을 이용하여 상기 제1 샘플 영상 정보 및 상기 제2 샘플 영상 정보로부터 상기 이미지를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법.

제1항에 있어서,상기 (a) 단계는(a-1) 압축률을 설정하는 단계;(a-2) 상기 압축률에 따라 상기 제1 샘플 좌표를 설정하는 단계;(a-3) 상기 제1 샘플 좌표에 상기 테라헤르츠 전자기파를 조사하는 단계;(a-4) 상기 제1 샘플 좌표로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파로부터 전기적 신호를 생성하는 단계; 및(a-5) 상기 전기적 신호로부터 상기 제1 샘플 영상 정보를 각각 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법.

제2항에 있어서,상기 (a-1) 단계는 상기 압축률에 따라 상기 제1 샘플 좌표의 개수와 상기 제2 샘플 좌표의 개수를 설정하는 단계를 포함하며,상기 (a-2) 단계는 상기 제1 샘플 좌표의 개수에 따라 상기 제1 샘플 좌표를 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법.

제3항에 있어서,상기 제1 샘플 좌표의 개수와 상기 제2 샘플 좌표의 개수는 적응적으로 설정되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법.

제1항에 있어서,상기 (b) 단계는(b-1) 인접한 상기 제1 샘플 좌표에 대응하는 상기 제1 샘플 영상 정보로부터 영상 정보 변화량을 구하는 단계;(b-2) 상기 영상 정보 변화량이 소정의 범위에 포함되는지를 판단하는 단계; 및(b-3) 상기 영상 정보 변화량이 상기 소정의 범위에 포함되는 경우, 인접한 상기 제1 샘플 좌표로부터 형성되는 폐다각형 내에 존재하는 임의의 점을 상기 제2 샘플 좌표로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법.

제5항에 있어서,상기 영상 정보 변화량은 상기 인접한 제1 샘플 영상 정보의 차이를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법.

제5항에 있어서,상기 제2 샘플 좌표는 상기 인접한 제1 샘플 좌표의 무게 중심 좌표를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법.

제1항에 있어서,상기 (c) 단계는(c-1) 상기 제2 샘플 좌표에 상기 테라헤르츠 전자기파를 조사하는 단계;(c-2) 상기 제2 샘플 좌표로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파로부터 전기적 신호를 생성하는 단계; 및(c-3) 상기 전기적 신호로부터 상기 제2 샘플 영상 정보를 각각 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법.

제1항에 있어서,상기 (d) 단계는(d-1) 상기 압축 센싱 알고리듬을 이용하여 상기 제1 샘플 영상 정보 및 상기 제2 샘플 영상 정보로부터 재구성 영상 정보를 각각 생성하는 단계; 및(d-2) 상기 재구성 영상 정보로부터 상기 이미지를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파를 이용한 이미징 방법.

테라헤르츠 전자기파를 대상체에 조사하는 조사부; 상기 대상체에서 반사되는 테라헤르츠 전자기파를 검출하여 전기적 신호를 생성하는 검출부; 및 상기 검출부가 생성한 전기적 신호로부터 이미지를 생성하는 제어부를 포함하되, 상기 제어부는 이미지 생성 프로그램; 상기 이미지 생성 프로그램을 저장하는 메모리; 및 상기 이미지 생성 프로그램을 실행하는 프로세서를 포함하며,상기 이미지 생성 프로그램은 상기 이미지를 생성하고자 하는 이미징 영역에 대한 압축 센싱을 수행하기 위한 제1 샘플 좌표를 설정하고, 상기 제1 샘플 좌표에 대응하는 제1 샘플 영상 정보를 획득하는 제1 인스트럭션; 상기 제1 샘플 좌표 및 상기 제1 샘플 영상 정보를 기초로 제2 샘플 좌표를 설정하는 제2 인스트럭션; 설정된 상기 제2 샘플 좌표에 대응하는 제2 샘플 영상 정보를 획득하는 제3 인스트럭션; 및 압축 센싱 알고리듬을 이용하여 상기 제1 샘플 영상 정보 및 상기 제2 샘플 영상 정보로부터 상기 이미지를 생성하는 제4 인스트럭션을 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치.

제10항에 있어서,상기 제1 인스트럭션은압축률을 설정하는 제1 서브인스트럭션;상기 압축률에 따라 상기 제1 샘플 좌표를 설정하는 제2 서브인스트럭션;상기 제1 샘플 좌표에 상기 테라헤르츠 전자기파를 조사하는 제3 서브인스트럭션;상기 제1 샘플 좌표로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파로부터 전기적 신호를 생성하는 제4 서브인스트럭션; 및상기 전기적 신호로부터 상기 제1 샘플 영상 정보를 각각 생성하는 제5 서브인스트럭션을 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치.

제11항에 있어서,상기 제1 서브인스트럭션은 상기 압축률에 따라 상기 제1 샘플 좌표의 개수와 상기 제2 샘플 좌표의 개수를 설정하는 서브인스트럭션을 포함하며,상기 제2 서브인스트럭션은 상기 제1 샘플 좌표의 개수에 따라 상기 제1 샘플 좌표를 설정하는 서브인스트럭션을 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치.

제12항에 있어서,상기 제1 샘플 좌표의 개수와 상기 제2 샘플 좌표의 개수는 적응적으로 설정되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치.

제10항에 있어서,상기 제2 인스트럭션은인접한 상기 제1 샘플 좌표에 대응하는 상기 제1 샘플 영상 정보로부터 영상 정보 변화량을 구하는 제1 서브인스트럭션;상기 영상 정보 변화량이 소정의 범위에 포함되는지를 판단하는 제2 서브인스트럭션; 및상기 영상 정보 변화량이 상기 소정의 범위에 포함되는 경우, 상기 인접한 제1 샘플 좌표로부터 형성되는 폐다각형 내에 존재하는 임의의 점을 상기 제2 샘플 좌표로 설정하는 제3 서브인스트럭션을 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치.

제14항에 있어서,상기 영상 정보 변화량은 상기 인접한 제1 샘플 영상 정보의 차이를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치.

제14항에 있어서,상기 제2 샘플 좌표는 상기 인접한 제1 샘플 좌표의 무게 중심 좌표를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치.

제10항에 있어서,상기 제3 인스트럭션은상기 제2 샘플 좌표에 상기 테라헤르츠 전자기파를 조사하는 제1 서브인스트럭션;상기 제2 샘플 좌표로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파로부터 전기적 신호를 생성하는 제2 서브인스트럭션; 및상기 전기적 신호로부터 상기 제2 샘플 영상 정보를 각각 생성하는 제3 서브인스트럭션을 포함하는 것을 특징으로하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치.

제10항에 있어서,상기 제4 인스트럭션은상기 압축 센싱 알고리듬을 이용하여 상기 제1 샘플 영상 정보 및 상기 제2 샘플 영상 정보로부터 재구성 영상 정보를 각각 생성하는 제1 서브인스트럭션; 및상기 재구성 영상 정보로부터 상기 이미지를 생성하는 제2 서브인스트럭션을 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치.