기판위에 인듐 나노와이어 어레이를 수직 방향으로 성장시키는 제1단계;상기 기판상에 절연층을 형성하는 제2단계;상기 인듐 나노와이어 어레이 및 상기 절연층이 형성된 기판을 상온에서 피라냐 용액(H2SO4:H2O2 = 3:1)에 소정 시간 동안 담가 두어 상기 인듐 나노와이어 어레이를 제거하여 상기 절연층에 관통홀을 생성하고 상기 기판을 노출시키는 제3단계; 및상기 관통홀을 통하여 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 화합물을 나노 와이어로 성장시키는 제4단계를 포함하는 나노와이어 어레이 소자 제조방법.

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제1항에 있어서 상기 제1단계는,비촉매 유기금속 기상성장법(MOCVD)을 이용하여 상기 기판상에 상기 인듐 나노와이어 어레이를 성장시키는 나노와이어 어레이 소자 제조방법.

제1항에 있어서 상기 제4단계는,유기금속 기상성장법(MOCVD)을 이용하여 상기 관통홀에 3-5족 반도체 화합물을 성장시키는 나노와이어 어레이 소자 제조방법.

제1항에 있어서 상기 제4단계는,상기 관통홀을 통하여 n형 3-5족 반도체 화합물을 성장시키는 단계와,상기 n형 3-5족 반도체 화합물의 표면을 따라 p형 3-5족 반도체 화합물을 성장시키는 단계를 포함하는 나노와이어 어레이 소자 제조방법.

기판위에 인듐 나노와이어 어레이를 수직 방향으로 성장시키는 제1단계;상기 기판상에 절연층을 형성하는 제2단계;상기 인듐 나노와이어 어레이 및 상기 절연층이 형성된 기판을 상온에서 피라냐 용액(H2SO4:H2O2 = 3:1)에 소정 시간 동안 담가 두어 상기 인듐 나노와이어 어레이를 제거하여 상기 절연층에 관통홀을 생성하고 상기 기판을 노출시키는 제3단계; 및상기 관통홀을 통하여 3-5족 반도체 화합물을 나노 와이어로 성장시키는 제4단계;상기 3-5족 반도체 화합물 나노 와이어를 덮도록 폴리머를 도포하는 제5단계;상기 폴리머의 상부 표면을 에칭시켜 상기 3-5족 반도체 화합물 나노 와이어의 상단을 표면으로 노출시키는 제6단계; 및상기 3-5족 반도체 화합물 나노 와이어 상단에 투명 전극을 배치하는 제7단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.

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제6항에 있어서 상기 제1단계는,비촉매 유기금속 기상성장법(MOCVD)을 이용하여 상기 기판상에 상기 인듐 나노와이어 어레이를 성장시키는 발광 소자 제조방법,

제6항에 있어서 상기 제4단계는,유기금속 기상성장법(MOCVD)을 이용하여 상기 관통홀에 3-5족 반도체 화합물을 성장시키는 발광 소자 제조방법.

제6항에 있어서 상기 제4단계는,상기 관통홀을 통하여 n형 3-5족 반도체 화합물을 성장시키는 단계와,상기 n형 3-5족 반도체 화합물의 표면을 따라 p형 3-5족 반도체 화합물을 성장시키는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.