| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 하부 전극을 포함하는 기판;상기 기판 상에 형성되는 활성층; 및상기 활성층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하되, 상기 활성층은 멤리스터용 하이브리드 나노복합체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤리스터. |
| 2 | 청구항 1에 있어서, 상기 하부 전극은 Pt, Au, ITO, Al, Ti, Ta로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 금속이고, 상기 기판은 rigid 기판 또는 flexible 기판으로 이루어지는것을 특징으로 하는 멤리스터. |
| 3 | 청구항 1에 있어서, 상기 멤리스터용 하이브리드 나노복합체는 하나 이상의 금속 도핑 산화철 입자 및 하나 이상의 금속 황화물 입자를 포함하고,상기 금속 도핑 산화철 입자는 Fe3O4, Fe2O3, ZrO2 ,HfO2로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 산화철과 금속 황화물 입자 WS2, MoS2, CuS2, TiS2, FeS2로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤리스터. |
| 4 | 청구항 1에 있어서, 상기 상부 전극은 Ag, Pd, Au, ITO, Ti, Ta, Cu로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤리스터. |
| 5 | 하부 전극을 포함하는 기판을 형성하는 단계;상기 기판 상에 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 활성층은 멤리스터용 하이브리드 나노복합체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤리스터 제조 방법. |
| 6 | 청구항 5에 있어서, 상기 하부 전극은 Pt, Au, ITO, Al, Ti, Ta로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 금속이고, 상기 기판은 rigid 기판 또는 flexible 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤리스터 제조 방법. |
| 7 | 청구항 5에 있어서, 상기 멤리스터용 하이브리드 나노복합체는 하나 이상의 금속 도핑 산화철 입자 및 하나 이상의 금속 황화물 입자를 포함하고,상기 금속 도핑 산화철 입자는 Fe3O4, Fe2O3, ZrO2 ,HfO2로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 산화철과 금속 황화물 입자 WS2, MoS2, CuS2, TiS2, FeS2로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤리스터 제조 방법. |
| 8 | 청구항 5에 있어서, 상기 상부 전극은 Ag, Pd, Au, ITO, Ti, Ta, Cu로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤리스터 제조 방법. |
| 9 | 산화철과 이황화텅스텐으로 구성된 전구체를 에틸렌 글리콜에 첨가하는 단계;상기 전구체가 첨가된 에틸렌 글리콜 용액을 교반하고 가열하여 겔(gel)을 형성하는 단계; 및상기 겔을 연소하여 하이브리드 나노복합체 나노 입자를 형성하는 단계를 포함하는 멤리스터용 하이브리드 나노복합체 제조 방법. |
| 10 | 청구항 9에 있어서, 상기 멤리스터용 하이브리드 나노복합체를 제조함에 있어서, 산화철이 50wt%이고 이황화텅스텐이 50wt%인 나노입자로 구성되는 것을 특징으로 하는 멤리스터용 하이브리드 나노복합체 제조 방법. |
