바이어스 전압이 인가되는 터미널과 그라운드 전압이 인가되는 터미널 사이에 직렬연결된 하나의 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)과 하나의 쇼트키 다이오드를 구비하여 온 상태와 오프 상태를 구현하는 반도체 스위치 장치이되,상기 쇼트키 다이오드가 역방향 바이어스에서 전기적 항복상태이고 상기 MOSFET이 온 상태일 때 상기 반도체 스위치 장치는 온 상태에 있고,상기 쇼트키 다이오드가 역방향 바이어스에서 전기적 항복상태 전 상태이거나 상기 MOSFET이 오프 상태일 때 상기 반도체 스위치 장치는 오프 상태에 있고,상기 반도체 스위치 장치는 상기 MOSFET 대비 더 낮은 SS (subthreshold swing)을 나타내고,상기 쇼트키 다이오드는 반도체층, 상기 반도체층에 쇼트키 접합을 하는 애노드, 및 상기 반도체층에 오믹 접합 또는 쇼트키 접합을 하는 캐소드를 포함하고,상기 반도체층은 산화물 반도체층으로, 다수의 결정립들 사이에 결정입계(Grain Boundary)가 형성된 다결정층인 반도체 스위치 장치.

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청구항 1에 있어서,상기 MOSFET의 드레인 전극은 상기 바이어스 전압이 인가되는 터미널에 전기적으로 연결되고, 소오스 전극은 상기 그라운드 전압이 인가되는 터미널에 전기적으로 연결되는 반도체 스위치 장치.

청구항 3에 있어서,상기 쇼트키 다이오드의 캐소드는 상기 바이어스 전압이 인가되는 터미널에 전기적으로 연결되고, 애노드는 상기 MOSFET의 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 반도체 스위치 장치.

청구항 3에 있어서,상기 쇼트키 다이오드의 캐소드는 상기 MOSFET의 소오스 전극에 전기적으로 연결되고, 애노드는 상기 상기 그라운드 전압이 인가되는 터미널에 전기적으로 연결되는 반도체 스위치 장치.

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청구항 1에 있어서, 상기 캐소드가 상기 반도체층에 대해 쇼트키 접합을 하는 경우 이들 사이의 쇼트키 배리어 높이(Schottky barrier height)는 상기 애노드와 상기 반도체층 사이의 쇼트키 배리어 높이에 비해 낮은 반도체 스위치 장치.

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