제1 전극;상기 제1 전극의 일면에 형성되며, 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT) 및 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM)를 포함하는 제1 활성층;상기 제1 활성층 상에 형성되며, 산화아연(ZnO)을 포함하는 제2 활성층; 및상기 제2 활성층 상에 형성된 제2 전극;을 포함하며,상기 제1 전극은 두께가 50300nm 이고, 상기 제1 활성층은 두께가 50170nm 이고, 상기 제2 활성층은 두께가 1030nm 이고, 그리고 상기 제2 전극은 두께가 50200nm이며,상기 제2 활성층 및 제1 활성층은 1:4~1:7 두께비로 형성되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자.

제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하고,상기 제2 전극은 은(Ag), 금(Au) 및 백금(Pt) 중 하나 이상 포함하는 저항 변화 메모리 소자.

제1항에 있어서, 상기 제1 전극의 타면에 형성되는 기판을 더 포함하며,상기 기판은 글래스(glass), 폴리에테르술폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 및 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 중 하나 이상 포함하는 저항 변화 메모리 소자.

제1항에 있어서, 상기 제1 활성층은 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT) 및 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM)를 1:0.5~1:4 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자.

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제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극의 일면에 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT) 및 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM)를 포함하는 제1 활성층을 형성하는 단계;상기 제1 활성층의 일면에 산화아연(ZnO)을 포함하는 제2 활성층을 형성하는 단계; 및상기 제2 활성층의 일면에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 제1 전극은 두께가 50300nm 이고, 상기 제1 활성층은 두께가 50170nm 이고, 상기 제2 활성층은 두께가 1030nm 이고, 그리고 상기 제2 전극은 두께가 50200nm이며,상기 제2 활성층 및 제1 활성층은 1:4~1:7 두께비로 형성되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법.

제7항에 있어서, 상기 제1 전극은 포토리소그라피(photolithography)를 이용하여 패터닝되어 형성되며,상기 제1 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법.

제7항에 있어서, 상기 제1 활성층은 상기 제1 전극의 일면에 제1 조성물을 이용하여 스핀 코팅, 슬롯 다이 코팅, 바 코팅, 스크린 프린팅 또는 그라비어 프린팅 하는 단계;를 포함하여 형성되며,상기 제1 조성물은 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT), 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM) 및 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법.

제7항에 있어서, 상기 제2 활성층은 상기 제1 활성층의 일면에 산화아연 및 용제를 포함하는 제2 조성물을 스핀 코팅, 슬롯 다이 코팅, 바 코팅, 스크린 프린팅 또는 그라비어 프린팅 하는 단계;를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법.

제7항에 있어서, 상기 제2 전극은 포토리소그라피(photolithography)를 이용하여 패터닝되어 형성되며,상기 제2 전극용 물질은 은(Ag), 금(Au) 및 백금(Pt) 중 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법.

제7항에 있어서, 상기 제1 활성층은 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT) 및 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM)를 1:0.5~1:4 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법.

제1항의 저항 변화 메모리 소자를 포함하는 장치.

태양전지 모듈의 전압 또는 전류를 측정하는 측정부; 및상기 측정부로부터의 정보를 수신하여 태양전지 모듈의 고장 여부를 판정하는 판정부;를 포함하는 태양전지 모듈의 고장 진단 장치이며,상기 판정부는 태양전지 모듈 특성 변화 이력이 저장된 메모리 소자를 포함하고, 상기 메모리 소자는 제1 전극과 제2 전극 사이에 활성층이 형성된 구조를 가지며;상기 활성층은 제1 전극 상에 형성되는 제1 활성층; 및 상기 제1 활성층과 제2 전극 사이에 형성되는 제2 활성층을 포함하고,상기 제1 활성층은 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT) 및 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM)를 포함하고, 상기 제2 활성층은 산화아연을 포함하며,상기 제1 전극은 두께가 50300nm 이고, 상기 제1 활성층은 두께가 50170nm 이고, 상기 제2 활성층은 두께가 1030nm 이고, 그리고 상기 제2 전극은 두께가 50200nm이며,상기 제2 활성층 및 제1 활성층은 1:4~1:7 두께비로 형성되는, 태양전지 모듈의 고장 진단 장치.

복수의 태양전지 모듈; 및상기 태양전지 모듈에 연결된 태양전지 모듈의 고장 진단 장치;를 포함하는 태양전지 자가진단 시스템이며, 상기 태양전지 모듈의 고장 진단 장치는 상기 태양전지 모듈의 출력단에 접속되어 태양전지 모듈의 전압 또는 전류를 측정하는 측정부; 및상기 측정부로부터의 정보를 수신하여 태양전지 모듈의 고장 여부를 판정하는 판정부;를 포함하고, 상기 판정부는 태양전지 모듈 특성 변화 이력이 저장된 메모리 소자를 포함하고, 상기 메모리 소자는 제1 전극과 제2 전극 사이에 활성층이 형성된 구조를 가지며;상기 활성층은 제1 전극 상에 형성되는 제1 활성층; 및 상기 제1 활성층과 제2 전극 사이에 형성되는 제2 활성층을 포함하고, 상기 제1 활성층은 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT) 및 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM)를 포함하고, 상기 제2 활성층은 산화아연을 포함하며,상기 제1 전극은 두께가 50300nm 이고, 상기 제1 활성층은 두께가 50170nm 이고, 상기 제2 활성층은 두께가 1030nm 이고, 그리고 상기 제2 전극은 두께가 50200nm이며,상기 제2 활성층 및 제1 활성층은 1:4~1:7 두께비로 형성되는, 태양전지 자가진단 시스템.