| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 3 | 청구항 1에 있어서,상기 제1 구리 산화물막은 XRD 분석시, 2θ가 30 내지 40의 범위 내에 (110), , 및 (111) 피크들을 나타내는 저항 변화 메모리 소자. |
| 4 | 청구항 3에 있어서,상기 제1 구리 산화물막은 XRD 분석시, 과, 2θ가 48 내지 50의 범위 내에서 피크를 더 나타내는 저항 변화 메모리 소자. |
| 1 | 제 1 전극;상기 제1 전극 상에 다수의 결정입자들을 구비하고, 바이폴라 다이오드 스위칭을 보여주는 제1 구리 산화물막;상기 제1 구리 산화물막 상에 다수의 결정입자들을 구비하고, 결정입자 경계 내에 구리 필라멘트의 형성 또는 파괴에 의해 바이폴라 저항성 스위칭을 보여주는 제2 구리 산화물막; 및상기 제2 구리 산화물막 상에 제 2 전극을 포함하고,상기 제2 구리 산화물막은 Cu2+xO (0≤x≤0.2)의 조성을 갖는 저항 변화 메모리 소자. |
| 2 | 청구항 1에 있어서,상기 제1 구리 산화물막은 Cu1+xO (0≤x≤0.2)의 조성을 나타내는 저항 변화 메모리 소자. |
| 5 | 청구항 1에 있어서,상기 제1 구리 산화물막은 단일 이온화된 산소공공(V0+)을 이중 이온화된 산소공공(V0++) 대비 더 많은 양으로 함유하는 저항 변화 메모리 소자. |
| 6 | 청구항 1에 있어서,상기 제2 구리 산화물막은 이중 이온화된 산소공공(V0++)을 단일 이온화된 산소공공(V0+) 대비 더 많은 양으로 함유하는 저항 변화 메모리 소자. |
| 7 | 청구항 1에 있어서,상기 제2 구리 산화물막은 상기 제1 구리 산화물막 대비 구리 양이온의 함량이 많은 저항 변화 메모리 소자. |
| 8 | 청구항 1에 있어서,상기 제2 구리 산화물막은 XRD 분석시, 2θ가 30 근처에서 (110) 피크를 나타내는 저항 변화 메모리 소자. |
| 9 | 청구항 8에 있어서,상기 제2 구리 산화물막은 2θ가 35 내지 40의 범위 내에서 (111)피크와 2θ가 40 내지 45의 범위 내에서 (102)피크를 나타내는 저항 변화 메모리 소자. |
| 10 | 삭제 |
| 11 | 청구항 1에 있어서,상기 제2 구리 산화물막은 평균 결정입자의 크기가 상기 제1 구리 산화물막에 비해 큰 저항 변화 메모리 소자. |
| 12 | 청구항 1에 있어서,상기 제2 구리 산화물막은 상기 제1 구리 산화물막에 비해 면저항이 더 높은 저항 변화 메모리 소자. |
| 13 | 청구항 1에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상기 구리 산화물막들과 반응성이 없는 전도성 막인 저항 변화 메모리 소자. |
| 14 | 청구항 1에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로에 관계없이 Pt, Ru, Au, TiN, TaN, 또는 ITO (Indium Tin Oxide)인 저항 변화 메모리 소자. |
| 15 | 제1 전극을 제공하는 단계;제1 전극 상에 다수의 결정입자들을 구비하고, 바이폴라 다이오드 스위칭을 보여주는 제1 구리 산화물막을 형성하는 단계;상기 제1 구리 산화물막 상에 다수의 결정입자들을 구비하고, 결정입자 경계 내에 구리 필라멘트의 형성 또는 파괴에 의해 바이폴라 저항성 스위칭을 보여주는 제2 구리 산화물막을 형성하는 단계; 및상기 제2 구리 산화물막 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제2 구리 산화물막은 Cu2+xO (0≤x≤0.2)의 조성을 갖는 저항 변화 메모리 소자 제조방법. |
| 16 | 청구항 15에 있어서,상기 제1 구리 산화물막과 상기 제2 구리 산화물막 중 적어도 어느 하나는 구리 산화물 입자 분산액을 코팅한 후 이를 열처리 하여 형성하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법. |
| 17 | 청구항 16에 있어서,상기 제1 구리 산화물막을 구리 산화물 입자 분산액을 코팅한 후 이를 열처리하여 형성하고,상기 열처리는 비활성 기체 대비 산소가 많은 분위기에서 수행하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법. |
| 18 | 청구항 16에 있어서,상기 제2 구리 산화물막을 구리 산화물 입자 분산액을 코팅한 후 이를 열처리하여 형성하고,상기 열처리는 산소 대비 비활성 기체가 많은 분위기에서 수행하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법. |
| 19 | 제 1 전극;상기 제1 전극 상에 다수의 결정입자들을 구비하고, 단일 이온화된 산소공공(V0+)을 이중 이온화된 산소공공(V0++) 대비 더 많은 양으로 함유하는 제1 구리 산화물막;상기 제1 구리 산화물막 상에 다수의 결정입자들을 구비하고, 이중 이온화된 산소공공(V0++)을 단일 이온화된 산소공공(V0+) 대비 더 많은 양으로 함유하는 제2 구리 산화물막; 및상기 제2 구리 산화물막 상에 제 2 전극을 포함하는 저항 변화 메모리 소자. |
| 20 | 청구항 19에 있어서,상기 제1 구리 산화물막은 Cu1+xO (0≤x≤0.2)의 조성을 갖고,상기 제2 구리 산화물막은 Cu2+xO (0≤x≤0.2)의 조성을 갖는 저항 변화 메모리 소자. |
