제7항에서,상기 기설정된 오차는 10-6인 박막 시료의 유전율 측정 시스템.

제8항에서,상기 한 쌍의 포커싱 렌즈 혼 안테나들의 이격 거리를 조절할 수 있고, 상기 이격 거리는 상기 박막 시료의 두께와 반비례하는 유전율 측정 시스템.

제7항에서,상기 연산 유닛은 상호 LAN(local area network, 근거리 통신망)으로 연결된 VNA(vector network analyzer, 벡터 네트워크 분석기) 및 CPU를 포함하고,상기 VNA는 상기 측정 산란 계수를 추출하는 유전율 측정 시스템.

마이크로 프로세서에 의한 박막 시료의 유전율 측정 방법으로서,빈 공간을 향해 그 양측에서 빔을 조사하여 제1 반사 신호를 얻는 제1 단계,상기 빈 공간에 금속판을 배치하고, 그 양측에서 상기 금속판의 양 면들을 향해 상기 빔을 조사하여 제2 반사 신호를 얻는 제2 단계,상기 빈 공간에 박막 시료를 배치하고, 그 양측에서 상기 박막 시료의 양 면들을 향해 상기 빔을 조사하여 제3 반사 신호를 얻는 제3 단계,상기 제1 반사 신호, 상기 제2 반사 신호, 및 상기 제3 반사 신호에 타임 게이팅을 적용해 상기 박막 시료의 측정 산란 계수를 추출하는 제4 단계,상기 박막 시료의 이론 산란 계수를 제공하는 제5 단계, 및주파수별 상기 측정 산란 계수와 상기 이론 산란 계수의 차에 대한 함수로부터 최소값을 구하여 상기 최소값이 기설정된 오차 이하인 경우, 상기 최소값에 대응하는 상기 측정 산란 계수로부터 상기 박막 시료의 유전율을 추정하는 제6 단계를 포함하는 박막 시료의 유전율 측정 방법.

제1항에서,상기 제5 단계에 상기 이론 산란 계수는 하기의 수학식에 의해 제공되는 박막 시료의 유전율 측정 방법.여기서, 이고, AN+1 = 1, BN+1 = 0이고, N은 층의 개수이며, I 번째 레이어의 감쇠상수 는 복소 유전율 및 투자율이고, θi는 투과각으로서 은 "0"으로 모델링되며, 투자율은 1로 설정됨

제2항에서,상기 제6 단계에서, 상기 함수는 하기의 수학식에 의해 제공되는 박막 시료의 유전율 측정 방법.여기서, 및 은 측정값이고, 및 는 이론값이며, 상기 R은 주파수 범위임

제2항에서,상기 제6 단계에서, 상기 함수는 하기의 수학식에 의해 제공되는 박막 시료의 유전율 측정 방법.여기서, 상기 en은 측정값과 상기 이론 산란 계수에 의한 예측값의 차이이고, 상기 R은 주파수 범위임

제1항에서,상기 주파수별 상기 측정 산란 계수와 상기 이론 산란 계수의 차에 대한 함수로부터 최소값을 구하여 상기 최소값이 기설정된 오차를 초과하는 경우, 상기 제1 단계 내지 상기 제5 단계를 반복하는 제7 단계를 더 포함하는 박막 시료의 유전율 측정 방법.

제1항에서,상기 기설정된 오차는 10-6인 박막 시료의 유전율 측정 방법.

박막 시료의 유전율 측정 시스템으로서,빈 공간, 상기 빈 공간에 배치된 금속판, 및 상기 빈 공간에 배치된 박막 시료를 향해 각각 그 양측에서 빔을 조사하여 반사 신호들을 얻는 입력 유닛,상기 입력 유닛으로부터 반사 신호들을 수신하고, 상기 반사 신호들에 타임 게이팅을 적용해 박막 시료의 측정 산란 계수를 추출하며, 상기 박막 시료의 이론 산란 계수를 제공하고, 주파수별로 상기 측정 산란 계수와 상기 이론 산란 계수의 차에 대한 함수로부터 최소값을 구하여 상기 최소값이 기설정된 오차 이하인지 판별하는 연산 유닛,상기 최소값이 기설정된 오차 이하인 경우, 상기 측정 산란 계수에 대응하여 추정된 상기 박막 시료의 유전율을 출력하는 출력 유닛, 및상기 입력 유닛, 상기 연산 유닛 및 상기 출력 유닛을 제어하는 제어 유닛을 포함하는 유전율 측정 시스템.

제7항에서,상기 입력 유닛은 한 쌍의 포커싱 렌즈 혼 안테나들이고, 상기 한 쌍의 포커싱 렌즈 혼 안테나들은 그 사이에 상기 박막 시료를 두고 상호 대향하여 위치하는 유전율 측정 시스템.

제7항에서,상기 이론 산란 계수는 하기의 수학식에 의해 제공되는 박막 시료의 유전율 측정 시스템.여기서, 이고, AN+1 = 1, BN+1 = 0이고, N은 층의 개수이며, I 번째 레이어의 감쇠상수 는 복소 유전율 및 투자율이고, θi는 투과각으로서 은 "0"으로 모델링되며, 투자율은 1로 설정됨

제12항에서,상기 함수는 하기의 수학식에 의해 제공되는 박막 시료의 유전율 측정 시스템.여기서, 및 은 측정값이고, 및 는 이론값이며, 상기 R은 주파수 범위임

제12항에서,상기 함수는 하기의 수학식에 의해 제공되는 박막 시료의 유전율 측정 시스템.여기서, 상기 en은 측정값과 상기 이론 산란 계수에 의한 예측값의 차이이고, 상기 R은 주파수 범위임

상호 연결된 입력 유닛, 연산 유닛, 출력 유닛 및 제어 유닛을 포함하는 박막 시료의 유전율 측정 방법으로서,상기 입력 유닛이 빈 공간, 상기 빈 공간에 배치된 금속판, 및 상기 빈 공간에 배치된 박막 시료를 향해 각각 그 양측에서 빔을 조사하여 반사 신호들을 얻는 제1 단계,상기 연산 유닛이 상기 입력 유닛으로부터 반사 신호들을 수신하고, 상기 반사 신호들에 타임 게이팅을 적용해 박막 시료의 측정 산란 계수를 추출하며, 상기 박막 시료의 이론 산란 계수를 제공하는 제2 단계,상기 연산 유닛이 주파수별로 상기 측정 산란 계수와 상기 이론 산란 계수의 차에 대한 함수로부터 최소값을 구하여 상기 최소값이 기설정된 오차 이하인지 판별하는 제3 단계,상기 출력 유닛이 상기 최소값이 기설정된 오차 이하인 경우, 상기 측정 산란 계수에 대응하여 추정된 상기 박막 시료의 유전율을 출력하는 제4 단계, 및상기 제어 유닛이 상기 입력 유닛, 상기 연산 유닛 및 상기 출력 유닛을 제어하는 제5 단계를 포함하는 유전율 측정 방법.

제15항에서,상기 제2 단계에서, 상기 이론 산란 계수는 하기의 수학식에 의해 제공되는 박막 시료의 유전율 측정 방법.여기서, 이고, AN+1 = 1, BN+1 = 0이고, N은 층의 개수이며, I 번째 레이어의 감쇠상수 는 복소 유전율 및 투자율이고, θi는 투과각으로서 은 "0"으로 모델링되며, 투자율은 1로 설정됨

제16항에서,상기 제2 단계에서, 상기 함수는 하기의 수학식에 의해 제공되는 박막 시료의 유전율 측정 방법.여기서, 및 은 측정값이고, 및 는 이론값이며, 상기 R은 주파수 범위임

제16항에서,상기 제2 단계에서, 상기 함수는 하기의 수학식에 의해 제공되는 박막 시료의 유전율 측정 방법.여기서, 상기 en은 측정값과 상기 이론 산란 계수에 의한 예측값의 차이이고, 상기 R은 주파수 범위임

제15항에서,상기 제3 단계에서 상기 최소값이 기설정된 오차를 초과하는 경우, 상기 제1 단계 및 상기 제2 단계를 반복하는 제6 단계를 더 포함하는 박막 시료의 유전율 측정 방법.

제15항에서,상기 제4 단계에서, 상기 기설정된 오차는 10-6인 박막 시료의 유전율 측정 방법.