제 6 항에 있어서,상기 화학식 1 또는 상기 화학식 6 으로서 표현되는 물질을 형성하는 단계는, 용매 상에서 수행되는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법.

하기 화학식 1 로서 표현되는 물질을 포함하는, 광분해성 고분자 화합물:[화학식 1]; (상기 화학식 1 에서, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것이고, n 은 1 내지 2000 임).

제 1 항에 있어서,상기 광분해성 고분자 화합물은 하기 화학식 1-1 로서 표현되는 화합물을 포함하는 것인, 광분해성 고분자 화합물:[화학식 1-1] ; (상기 화학식 1-1 에서, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것이고, n 및 m 은 각각 독립적으로 1 내지 2000 임).

제 2 항에 있어서,상기 광분해성 고분자 화합물은, 하기 화합물 중 어느 하나를 포함하는 것인, 광분해성 고분자 화합물:;; ; ; ; .

제 1 항에 있어서,상기 광분해성 고분자 화합물은, 200 nm 내지 450 nm 의 파장의 빛에 의해 분해되는 것인, 광분해성 고분자 화합물.

제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 광분해성 고분자 화합물을 포함하는, 광분해성 소재.

하기 화학식 2 으로서 표현되는 물질을 하기 화학식 2 으로서 표현되는 물질 또는 하기 화학식 3 로서 표현되는 물질과 반응시켜 하기 화학식 4 또는 하기 화학식 5 로서 표현되는 물질을 형성하는 단계; 및하기 화학식 4 또는 하기 화학식 5 로서 표현되는 물질을, 라디칼 개시제 및/또는 CTA(chain transferring agent) 와 반응시켜 하기 화학식 1 또는 화학식 6 으로서 표현되는 물질을 형성하는 단계;를 포함하는,광분해성 고분자 화합물의 중합 방법:[화학식 1];[화학식 2] ;[화학식 3] ;[화학식 4]; ;[화학식 5] ;[화학식 6];(상기 화학식 1및 3 내지 6 에서, R1 내지 R5 는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것이고, n 은 1 내지 2000 임).

제 6 항에 있어서,상기 라디칼 개시제는, 상기 화학식 1 으로서 표현되는 물질 또는 상기 화학식 6 로서 표현되는 물질을 개환시키는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 제조 방법.

제 6 항에 있어서,상기 CTA 는 하기 화학식 7 로서 표현되는 물질을 포함하는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법:[화학식 7];(상기 화학식 7 에서, Z 는 C6 내지 C10 의 치환 또는 비치환된 아릴기,C6 내지 C10 의 아릴기, NR'''2, SR''', 또는 OR''' 이고, Z 에 포함된 R''' 은 C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기임).

제 8 항에 있어서,상기 화학식 4 로서 표현되는 물질, 상기 라디칼 개시제, 및 상기 CTA 를 반응시킴으로써 형성된 물질은 하기 화학식 1-2 로서 표현되는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법[화학식1-2](상기 화학식 1-2 에서, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것이고,Z 는 C6 내지 C10 의 아릴기, NR'''2, SR''', 또는 OR''' 이고, Z 에 포함된 R''' 은 C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기이며, n 은 1 내지 2000 임).

제 8 항에 있어서,상기 화학식 4 로서 표현되는 물질과 상기 CTA 를 반응시키는 단계는, 상기 화학식 4 로서 표현되는 물질, 하기 화학식 8 로서 표현되는 물질, 및 상기 CTA 를 반응시켜 하기 화학식 1-3 로서 표현되는 물질을 형성하는 단계를 포함하는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법.[화학식 8][화학식 1-3](화학식 1-3 및 8 에서,R1, R2, R, 및 R' 은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것이고,Z 는 C6 내지 C10 의 치환 또는 비치환된 아릴기, NR'''2, SR''', 또는 OR''' 이고, Z 에 포함된 R''' 은 C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기이며, n 은 1 내지 2000 임).

제 6 항에 있어서,상기 화학식 1 또는 상기 화학식 6 으로서 표현되는 물질과, 상기 라디칼 개시제 및/또는 CTA 를 반응시키는 단계는, 상기 화학식 1 또는 상기 화학식 6 으로서 표현되는 물질 및 하기 화학식 9 로서 표현되는 물질과, 상기 라디칼 개시제 및/또는 CTA 를 반응시켜 하기 화학식 1-1 또는 하기 화학식 6-1 로서 표현되는 물질을 형성하는 단계를 포함하는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법[화학식9][화학식 1-1] ;[화학식 6-1] (상기 화학식 1-1, 화학식 6-1 및 화학식 9 에서, X 는 O 또는 NR'' 이고,상기 X 에 포함된 R'' 은 H, C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기 또는 C6 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 아릴기고,R1 내지 R5 는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것이고, n 및 m 은 각각 독립적으로 1 내지 2000 임).

제 6 항에 있어서,상기 화학식 6 으로서 표현되는 물질은, 상기 화학식 4 로서 표현되는 물질을 CTA 와 반응시킴으로써 형성되는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법.

제 6 항에 있어서,상기 라디칼 개시제는, AIBN, 트리스(비피리딘)루테늄(II) 클로라이드(Ru(bpy)3Cl2), 벤조일 페록사이드(benzoyl peroxide). 아세틸 페록사이드(acetyl peroxide), 다이라우로릴 페록사이드(dilauryl peroxide), (CH3)2CH, C6H5(CH3CH), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법

제 6 항에 있어서,상기 화학식 1 또는 상기 화학식 6 으로서 표현되는 물질을 형성하는 단계는, 30℃ 내지 90℃ 에서 수행되는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법.

제 15 항에 있어서,상기 용매는 클로로포름, 디클로로메테인, 디옥세인, 테트라하이드로퓨란 (THF), 메틸-에틸케톤, 페놀, 니트로메탄, 톨루엔, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법.