| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 하기 화학식 1 로서 표시되는 물질 및 하기 화학식 2 또는 화학식 3 으로서 표시되는 물질을 반응시켜 하기 화학식 4 또는 화학식 5 로서 표시되는 물질을 형성하는 단계; 및하기 화학식 4 또는 화학식 5 로서 표시되는 물질을, 브뢴스테드 산 및/또는 CTA(chain transferring agent) 와 반응시켜 하기 화학식 6 또는 화학식 7 으로서 표시되는 물질을 형성하는 단계;를 포함하는,광분해성 고분자 화합물의 중합 방법:[화학식 1];[화학식 2];[화학식 3];[화학식 4];[화학식 5];[화학식 6];[화학식 7];(상기 화학식 1 내지 7 에서, R1 내지 R5 는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6 내지 C20 의 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것이고,n 은 1 내지 2000 임). |
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 화학식 4 로서 표시되는 물질, 브뢴스테드 산 및 CTA 를 반응시킴으로써 형성된 물질은 하기 화학식 6-1 로서 표현되는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법[화학식 6-1](상기 화학식 6-1 에서, R1 내지 R5, 및 R'' 는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6 내지 C20 의 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것이고, Z 는 NR'''2, SR''', 또는 OR''' 이고, Z 에 포함된 R''' 은 C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기이며, n 은 1 내지 2000 임). |
| 3 | 제 2 항에 있어서,상기 CTA 는 하기 화학식 9 로서 표시되는 물질을 포함하는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법:[화학식 9];(상기 화학식 9 에서, R'' 은 C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기이고, Z 는 NR'''2, SR''', 또는 OR''' 이며, Z 에 포함된 R''' 은 C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기임). |
| 4 | 제 2 항에 있어서,상기 화학식 6 로서 표시되는 물질을 형성하는 단계는, CTA 및 상기 화학식 4 의 물질을 중합시키는 단계 및 상기 중합된 물질 및 하기 화학식 8 로서 표시되는 물질을 중합시키는 단계를 포함하는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법:[화학식 8](화학식 8 에서, R' 은 수소 또는 C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기임). |
| 5 | 제 2 항에 있어서,상기 화학식 6 으로서 표시되는 물질을 형성하는 단계는, CTA 및 하기 화학식 8 로서 표시되는 물질을 중합시키는 단계 및 상기 중합된 물질 및 상기 화학식 4 의 물질을 중합시키는 단계를 포함하는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법:[화학식 8](화학식 8 에서, R' 은 수소 또는 C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기임). |
| 6 | 제 1 항에 있어서,상기 화학식 4 로서 표시되는 물질 및 브뢴스테드 산을 반응시킴으로써 형성된 물질은 하기 화학식 6-2 로서 표현되는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법:[화학식 6-2](상기 화학식 6-2 에서, R1 내지 R5 는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6 내지 C20 의 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것이고, n 은 1 내지 2000 임). |
| 7 | 제 6 항에 있어서,상기 화학식 6 로서 표시되는 물질을 형성하는 단계는, 상기 화학식 4 의 물질 및 상기 브뢴스테드 산을 중합시키는 단계를 적어도 2 회 이상 수행하는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법. |
| 8 | 제 6 항에 있어서,상기 화학식 6 으로서 표시되는 물질을 형성하는 단계는, 상기 화학식 4 의 물질, 상기 브뢴스테드 산, 및 하기 화학식 8 로서 표시되는 물질을 중합시키는 단계를 포함하는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법:[화학식 8](화학식 8 에서, R' 은 수소 또는 C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기임). |
| 9 | 제 1 항에 있어서,상기 브뢴스테드 산은 트리플릭산 (TfOH), 트리플리이미드(Tf2NH), HSO3F, 과염소산(HClO4), 클로로술폰산(HSO3Cl), (CH3CH2)2OBF3, CF3SO3H, CF3CF2CF2CF2SO3H, (CF3SO2)2NH, SO2CF2CF2CF2SO2NH, C6F5CH(SO2CF3)2. 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법: |
| 10 | 제 1 항에 있어서,상기 화학식 6 또는 상기 화학식 7 로서 표시되는 물질을 형성하는 단계는, -90℃ 내지 -30℃ 에서 수행되는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법: |
| 11 | 제 1 항에 있어서,상기 화학식 6 으로서 표시되는 물질 또는 상기 화학식 7 로서 표시되는 물질을 형성하는 단계는, 용매 상에서 수행되는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법. |
| 12 | 제 11 항에 있어서,상기 용매는 클로로포름, 디클로로메테인, 디옥세인, 테트라하이드로퓨란 (THF), 메틸-에틸케톤, 페놀, 니트로메탄, 톨루엔, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 광분해성 고분자 화합물의 중합 방법. |
| 13 | 하기 화학식 6 으로서 표시되는 물질을 포함하는, 광분해성 고분자 화합물:[화학식 6]; (상기 화학식 6 에서, R1 내지 R5 는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6 내지 C20 의 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것이고, n 은 1 내지 2000 임). |
| 14 | 하기 화학식 7 으로서 표시되는 물질을 포함하는, 광분해성 고분자 화합물:[화학식 7](상기 화학식 7 에서, R1 및 R5 는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C20의 치환 또는 비치환된 알킬기, C6 내지 C20 의 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것이고, n 은 1 내지 2000 임). |
