| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 저 암전류 아발란치 포토다이오드로서,증폭층의 중심부에 형성되는 멀티플리케이션(multiplication) 영역과 그 주변에 형성되는 비-멀티플리케이션 영역을 포함하는 상기 증폭층; 상기 증폭층의 상단 및 하단에 배치되는 전극; 및상기 전극의 상기 상단 또는 상기 하단 한쪽에 위치되는 수광부를 포함하며,상기 전극은 멀티플리케이션 영역 및 비-멀티플리케이션 영역의 일부를 포함하도록 배치되고,상기 비-멀티플리케이션 영역 대 상기 멀티플리케이션 영역의 면적 비율이 1 보다 크고,상기 멀티플리케이션 영역의 증폭층 두께는 0.5um 내지 2.0um의 범위인 것을 특징으로 하는 저 암전류 아발란치 포토다이오드. |
| 2 | 삭제 |
| 3 | 제 1 항에 있어서,상기 멀티플리케이션 영역은, 상기 증폭층의 중심부에 형성되고, 상기 비-멀티플리케이션 영역보다 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 저 암전류 아발란치 포토다이오드. |
| 4 | 제 1 항에 있어서,상기 전극은 상기 수광부의 중심에 형성되는 수광 영역의 바깥에 배치되어 상기 수광 영역을 둘러싸는 형태로 구현되며, 상기 수광부는 상기 멀티플리케이션 영역보다 더 작은 크기로 구현되는 것을 특징으로 하는 저 암전류 아발란치 포토다이오드. |
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| 6 | 제 1 항에 있어서,상기 전극의 너비는 상기 멀티플리케이션 영역 및 상기 비-멀티플리케이션 영역 중 어느 하나의 영역을 상기 전극 전체 너비 중 1%이상 99%이하로 포함하는 것을 특징으로 하는 저 암전류 아발란치 포토다이오드. |
| 7 | 제 1 항에 있어서,상기 전극은 AuBe, Pd, Zn, Sb, TiW, Ti, Pt, Au, Cr, Ni, AuGe, Sn, Al 중 둘 이상의 조합으로 이루어진 메탈로 구성하는 것을 특징으로 하는 저 암전류 아발란치 포토다이오드. |
| 8 | 제 1 항에 있어서,상기 멀티플리케이션 영역의 증폭층 두께는 1um 이상이고,상기 증폭층의 도핑 농도는 1xe16(/㎠)이하인 것을 특징으로 하는 저 암전류 아발란치 포토다이오드. |
