제1 두께의 제1 금속 산화물층;제2 두께의 제2 금속 산화물층;상기 제1 금속 산화물층과 상기 제2 금속 산화물층 사이의 평면상에 일정한 간격으로 배치되는 복수의 패치 어레이들; 및상기 제1 금속 산화물층상에 배치되는 나노디스크를 포함하는, 원형 나노디스크 어레이.

제1항에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층은,실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는, 원형 나노디스크 어레이.

제2항에 있어서,상기 제1 금속 산화물층은, 범위가 0.5~100 나노미터인 두께를 갖는, 원형 나노디스크 어레이.

제1항에 있어서, 상기 제2 금속 산화물층은,실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는, 원형 나노디스크 어레이.

제4항에 있어서,상기 제2 금속 산화물층은, 범위가 0.5~100 나노미터인 두께를 갖는, 원형 나노디스크 어레이.

제1항에 있어서,상기 제2 금속 산화물층의 하부에 배치되는 금속판을 더 포함하는, 원형 나노디스크 어레이.

제6항에 있어서,상기 금속판은 금(gold)을 포함하는, 원형 나노디스크 어레이.

제1항에 있어서, 상기 복수의 패치 어레이들 사이의 간격은,0.5~200nm의 크기를 갖는 원형 나노디스크 어레이.

제8항에 있어서,각 패치 어레이의 폭은, 상기 패치 어레이들 사이의 간격보다 작으며, 0.5nm이상의 폭을 갖는, 원형 나노디스크 어레이.

제1항에 있어서, 상기 복수의 패치 어레이들은,RIS(reactive impedance surface) 패치를 형성하는, 원형 나노디스크 어레이.

제1항에 있어서,제1 금속 산화물층의 제1 두께는, 상기 제2 금속 산화물층의 제2 두께와 동일한 것을 특징으로 하는, 원형 나노디스크 어레이.

제1항에 있어서, 상기 복수의 패치 어레이들 각각은, 정사각형의 형태인 것을 특징으로 하는, 원형 나노디스크 어레이.