복수의 3진 메모리 셀을 포함하는 셀 어레이를 포함하는 메모리 장치로서, 상기 3진 메모리 셀은,제1 노드 및 제2 노드에서 교차 연결되는 제1 인버터 및 제2 인버터;상기 제1 노드 및 제1 비트 라인(BL) 사이에서 연결된 제1 억세스 트랜지스터;상기 제2 노드 및 제2 비트 라인(BLB) 사이에서 연결된 제2 억세스 트랜지스터를 포함하고,상기 3진 메모리 셀은, 상기 제1 인버터 및 상기 제2 인버터의 풀업 소자들 및 풀다운 소자들이 모두 턴-오프된 제1 상태, 상기 제1 인버터의 풀업 소자 및 상기 제2 인버터의 풀다운 소자가 턴-온되고, 상기 제1 인버터의 풀다운 소자 및 상기 제2 인버터의 풀업 소자가 턴-오프된 제2 상태, 및 상기 제1 인버터의 풀업 소자 및 상기 제2 인버터의 풀다운 소자가 턴-오프되고, 상기 제1 인버터의 풀다운 소자 및 상기 제2 인버터의 풀업 소자가 턴-온된 제3 상태에 대응하는 3진 값을 저장하도록 구성되고,상기 메모리 장치는각각의 3진 메모리 셀의 제1 억세스 트랜지스터 및 상기 제2 억세스 트랜지스터에 워드_서치 라인(WL/SL)이 연결되어, 기입 및 판독 모드 시 선택된 3진 메모리 셀에 대응하는 상기 워드_서치 라인(WL/SL)에 워드 라인 신호(WL)를 선택적으로 인가시키고, 서치 모드 시 서치 스트링에 대응하는 워드_서치 라인(WL/SL)에 서치 라인 신호(SL)를 선택적으로 인가시키는 워드라인_서치 스트링 드라이버;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.