음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법
Method for Forming Catalyst Layer Using Anion Exchange Membrane
특허 요약
본 발명은 전기화학 장치의 촉매층 형성방법에 관한 것으로, 이오노머(ionomer) 또는 바인더(binder)를 사용하지 않고 음이온교환막(AEM)에 직접 촉매층을 성장시키는 효과가 있으며, 음이온교환막(AEM)의 낮은 물리화학적 특성을 수용할 수 있는 효과가 있다.
청구항
번호청구항
1

제1 기재와 제2 기재 사이에 위치되는 음이온교환막(AEM)을 준비하는 단계;상기 제1 기재 측으로 환원제 수용액을 공급하고, 상기 제2 기재 측으로 금속 전구체 수용액을 공급하는 단계; 및상기 제2 기재 측으로 공급된 상기 금속 전구체 수용액을 제거한 후, 상기 제1 기재 측으로 공급된 상기 환원제 수용액을 추가 공급하는 단계를 포함하는음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법.

2

제1항에 있어서,상기 제1 기재 및 상기 제2 기재는 외부로부터 상기 음이온교환막으로의 유체를 공급하는 것인,음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법.

3

제1항에 있어서,상기 제1 기재 및 상기 제2 기재는,집전체(current collector) 또는 기체확산층(GDL)인 것인,음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법.

4

제1항에 있어서,상기 금속 전구체의 금속은 상기 환원제의 표준환원 전위보다 양(+)의 값으로 높은 표준환원 전위를 갖는 것인,음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법.

5

제1항에 있어서,상기 환원제 수용액의 농도는 상기 금속 전구체 수용액의 농도보다 높은 것인,음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법.

6

제1항에 있어서,상기 환원제는 NaBH4인 것인,음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법.

7

제1항에 있어서,상기 금속 전구체는 금속클로라이드인 것인,음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법.

8

제6항에 있어서,상기 금속 전구체의 금속은 니켈(Ni) 또는 철(Fe)인 것인,음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법.