| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 제1 기재와 제2 기재 사이에 위치되는 음이온교환막(AEM)을 준비하는 단계;상기 제1 기재 측으로 환원제 수용액을 공급하고, 상기 제2 기재 측으로 금속 전구체 수용액을 공급하는 단계; 및상기 제2 기재 측으로 공급된 상기 금속 전구체 수용액을 제거한 후, 상기 제1 기재 측으로 공급된 상기 환원제 수용액을 추가 공급하는 단계를 포함하는음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 제1 기재 및 상기 제2 기재는 외부로부터 상기 음이온교환막으로의 유체를 공급하는 것인,음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 제1 기재 및 상기 제2 기재는,집전체(current collector) 또는 기체확산층(GDL)인 것인,음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법. |
| 4 | 제1항에 있어서,상기 금속 전구체의 금속은 상기 환원제의 표준환원 전위보다 양(+)의 값으로 높은 표준환원 전위를 갖는 것인,음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법. |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 환원제 수용액의 농도는 상기 금속 전구체 수용액의 농도보다 높은 것인,음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법. |
| 6 | 제1항에 있어서,상기 환원제는 NaBH4인 것인,음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법. |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 금속 전구체는 금속클로라이드인 것인,음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법. |
| 8 | 제6항에 있어서,상기 금속 전구체의 금속은 니켈(Ni) 또는 철(Fe)인 것인,음이온교환막을 이용한 촉매층 형성방법. |