| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 기둥 형상을 가지는 지지체;상기 지지체의 측면의 적어도 일부를 감싸며 상기 지지체의 상면으로 물이 유동하는 통로를 제공하는 피복재; 및상기 피복재의 적어도 일부에 접촉되도록 상기 지지체의 상면에 배치되며 광을 흡수하여 열로 전환하고 상기 피복재를 통해 공급되는 물을 증발시켜서 수증기를 생성하는 광흡수체를 포함하며,상기 지지체는 상기 광흡수체가 수면으로부터 소정 높이 이격되도록 배치되는,태양광 증발기. |
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 지지체는 상기 상면을 포함하는 일 부분은 수면 위로 노출되고 나머지 부분은 수면 아래로 잠기도록 배치되며,상기 피복재의 일 부분은 수면 위로 노출되고 나머지 부분은 수면 아래에 잠기는,태양광 증발기. |
| 3 | 제 1 항에 있어서,상기 지지체는 0.02 W/mK 이하의 열전도도를 가지는,태양광 증발기. |
| 4 | 제 1 항에 있어서,상기 지지체는 목재로 형성되는,태양광 증발기. |
| 5 | 제 1 항에 있어서,상기 피복재는 섬유를 포함하는,태양광 증발기. |
| 6 | 제 5 항에 있어서,상기 섬유는 면(綿, cotton)을 포함하는,태양광 증발기. |
| 7 | 제 1 항에 있어서,상기 소정 높이는 상기 피복재를 통해 상기 광흡수체로 공급되는 물이 증발되기 위해서 필요한 에너지와 상기 광흡수체에 흡수된 광 에너지가 평형이 되는 높이인,태양광 증발기. |
| 8 | 제 1 항에 있어서,상기 광흡수체는 3차원 그래핀 네트워크(3-dimensional graphene network)인,태양광 증발기. |
| 9 | 제 8 항에 있어서,상기 3차원 그래핀 네트워크는,기재 위에 콜로이드 실리카(colloidal silica)를 적층시켜 3차원 콜로이드 실리카 구조체를 형성하고, 상기 3차원 콜로이드 실리카 구조체에 그래핀 성장용 고체 탄소원 및 금속 전구체를 함유하는 용액을 채워 넣으며, 상기 용액이 채워진 상기 3차원 콜로이드 실리카 구조체를 수소 기체 하에서 어닐링하여 금속을 함유하는 나노발포체(nano-foam) 구조의 그래핀을 형성하고, 상기 콜로이드 실리카 및 상기 나노발포체 구조의 그래핀 중의 금속을 제거하여 제조되는,태양광 증발기. |
| 10 | 제 9 항에 있어서,상기 용액이 채워진 상기 3차원 콜로이드 실리카 구조체를 수소 기체 하에서 어닐링하는 온도는 900 ℃ 내지 1100 ℃인,태양광 증발기. |
| 11 | 제 8 항에 있어서,상기 3차원 그래핀 네트워크의 표면적은 900 cm2/g 내지 1100 cm2/g 인,태양광 증발기. |
| 12 | 제 8 항에 있어서,상기 3차원 그래핀 네트워크는 250nm 내지 2500nm 파장의 광에 대한 흡광도가 90% 내지 99.9% 인,태양광 증발기. |
| 13 | 제 8 항에 있어서,상기 3차원 그래핀 네트워크의 공극률은 80% 내지 90%인,태양광 증발기. |
| 14 | 제 8 항에 있어서,상기 3차원 그래핀 네트워크의 평균 기공 직경은 8nm 내지 12nm인,태양광 증발기. |
| 15 | 제 1 항에 있어서,상기 피복재는 친수성이고,상기 광흡수체는 소수성인,태양광 증발기. |
| 16 | 제 15 항에 있어서,상기 피복재는 초친수성인,태양광 증발기. |
| 17 | 제 15 항에 있어서,상기 광흡수체에는 소수성제가 혼합되는,태양광 증발기. |
| 18 | 상부가 개방된 수조;상기 수조의 내부가 염수 저장부와 담수 저장부로 나뉘도록 상기 수조의 내부에 배치되는 구획판;상기 구획판과 이격되고 상기 염수 저장부 측보다 상기 담수 저장부 측이 더 낮도록 경사지게 상기 수조의 개방된 상부를 덮으며 상기 염수 저장부의 직상부의 적어도 일부는 투명한 덮개;상기 염수 저장부에 배치되는 염분 수집부재; 및태양광을 흡수하고 염수를 증발시켜서 수증기를 생성하며 상기 염분 수집부재를 관통하여 상기 염수 저장부에 저장된 염수에 적어도 일부가 잠기도록 배치되는 태양광 증발기를 포함하는,태양광 담수화 장치. |