제1전극;제2전극; 및상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 배치되고, 발광층을 포함한 중간층을 포함하고,상기 발광층이 페로브스카이트 화합물을 포함하고,상기 중간층이 정공 수송 영역을 더 포함하고,상기 정공 수송 영역이 하기 화학식 1로 표시된 자기 조립 단분자를 포함한, 페로브스카이트 발광 소자:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1 중,L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐렌기이고,m1은 1, 2, 3, 4 또는 5이고,R1 내지 R8은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티오기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,상기 치환된 C1-C30알킬렌기, 치환된 C2-C30알케닐렌기, 치환된 C2-C30알키닐렌기, 치환된 C1-C30알킬기, 치환된 C2-C30알케닐기, 치환된 C2-C30알키닐기, 치환된 C1-C30알콕시기 및 치환된 C1-C30알킬티오기, 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 중 적어도 하나는, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기 또는 C1-C30알킬티오기이고,Q1 내지 Q3은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기 또는 C1-C30알킬티오기이다.

제1항에 있어서,상기 정공 수송 영역이 상기 제1전극 및 상기 발광층 사이에 배치된, 페로브스카이트 발광 소자.

제1항에 있어서,상기 정공 수송 영역이 정공 수송층을 포함하고,상기 정공 수송층이 상기 화학식 1로 표시된 자기 조립 단분자를 포함한, 페로브스카이트 발광 소자.

제1항에 있어서,상기 정공 수송 영역이 정공 주입층을 포함하고,상기 정공 주입층이 상기 화학식 1로 표시된 자기 조립 단분자를 포함한, 페로브스카이트 발광 소자.

제4항에 있어서,상기 정공 수송 영역이 정공 수송층을 더 포함하고,상기 정공 수송층이 상기 정공 주입층 상에 배치된, 페로브스카이트 발광 소자.

제1항에 있어서,상기 정공 수송 영역이 정공 수송성 자기 조립 단분자막(self-assembled monolayer)을 포함하고,상기 정공 수송성 자기 조립 단분자막이 상기 화학식 1로 표시된 자기 조립 단분자를 포함한, 페로브스카이트 발광 소자.

제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시된 자기 조립 단분자는 하기 화학식 1-1 내지 1-10 중 어느 하나로 표시된, 페로브스카이트 발광 소자:상기 화학식 1-1 내지 1-10 중,L1, m1 및 R1 내지 R8에 대한 설명은 제1항을 참조하고,R1 내지 R8은 각각 수소가 아니다.

제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시된 자기 조립 단분자가 하기 화합물 1 내지 112 중에서 선택된, 페로브스카이트 발광 소자:.

제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 화합물이 하기 화학식 2로 표시된, 페로브스카이트 발광 소자:003c#화학식 2003e#A1M1Xn상기 화학식 2 중,A1은 유기물이고,M1은 금속이고,X는 할로겐 원소이고,n은 0 내지 3의 실수이다.

제9항에 있어서,A1은 (R11R12R13C)+, (R11R12R13R14N)+, (R11R12R13R14P)+, (R11R12R13R14As)+, (R11R12R13R14Sb)+, (R11R12N=C(R13)-NR14R15)+, 치환 또는 비치환된 시클로헵타트리에늄(cycloheptatrienium), 치환 또는 비치환된 함질소 5원환의 1가 양이온, 치환 또는 비치환된 함질소 6원환의 1가 양이온, Li+, Na+, K+, Rb+, Cs+, Fr+ 또는 이의 임의의 조합이고,R11 내지 R15은 서로 독립적으로, 수소, 중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 -N(Q11)(Q12)이고,Q11 및 Q12는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기 또는 C1-C30알킬티오기이다.

제9항에 있어서,M1은 희토류 금속의 2가 양이온, 알칼리토 금속의 2가 양이온, 전이 금속의 2가 양이온, 후전이 금속의 2가 양이온 또는 이의 임의의 조합인, 페로브스카이트 발광 소자.

제1항에 있어서,상기 발광층이 최대 발광 파장이 410 nm 내지 490 nm인 청색광을 방출하는, 페로브스카이트 발광 소자.

제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 페로브스카이트 발광 소자를 포함한 전자 장치.

제13항에 있어서,박막 트랜지스터를 더 포함하고,상기 박막 트랜지스터는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 페로브스카이트 발광 소자의 제1전극 또는 상기 페로브스카이트 발광 소자의 제2전극이 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 적어도 하나와 전기적으로 연결된, 전자 장치.