제9항 내지 제13항 중 어느 한 항의 도전체를 포함한, 전자 소자.

제9항에 있어서,상기 도전층 상에 배치된 코팅층을 더 포함하고,상기 코팅층이 전도성 고분자를 포함한, 도전체.

제9항에 있어서,상기 도전체의 가시광선 투과율이 80% 이상인, 도전체.

금속 나노와이어 및 가교성 화합물을 포함하고,상기 금속 나노와이어는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 주석(Sn), 납(Pb) 또는 이들의 합금을 포함하고,상기 가교성 화합물은 하기 화학식 1로 표시된, 도전성 조성물:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1 중,L1 및 L2는 서로 독립적으로, 단일 결합, -C=O-, -C 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐렌기이고,m1 및 m2는 서로 독립적으로, 0, 1, 2 또는 3이고,Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 적어도 하나의 가교성 그룹으로 치환되고,n1은 2 내지 300,000의 정수이고,R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티오기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,상기 치환된 C1-C30알킬렌기, 치환된 C2-C30알케닐렌기, 치환된 C2-C30알키닐렌기, 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C1-C30알킬기, 치환된 C2-C30알케닐기, 치환된 C2-C30알키닐기, 치환된 C1-C30알콕시기 및 치환된 C1-C30알킬티오기 중 적어도 하나는, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기, C1-C30알킬티오기 또는 -Si(Q11)(Q12)(Q13)이고,상기 Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기 또는 C1-C30알킬티오기이고,상기 가교성 그룹은 아자이드기(-N3), 황 함유기 또는 불포화 이중 결합 함유기이다.

금속 나노와이어 및 가교성 화합물을 포함하고,상기 금속 나노와이어는 금(Au), 은(Ag) 또는 이들의 합금을 포함하고,상기 가교성 화합물은 하기 화합물 1로 표시된, 도전성 조성물:003c#화합물 1003e#.

삭제

제1항에 있어서,상기 가교성 화합물은 하기 화학식 2로 표시된, 도전성 조성물:003c#화학식 2003e#상기 화학식 2 중,L1, L2, m1, m2, n1 및 R1 내지 R4에 대한 설명은 제2항을 참조하고,R11 내지 R15 및 R21 내지 R25는 서로 독립적으로, 가교성 그룹, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티오기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,R11 내지 R15 중 적어도 하나가 가교성 그룹이고,R21 내지 R25 중 적어도 하나가 가교성 그룹이다.

제4항에 있어서,R11 내지 R15 중 어느 하나가 아자이드기이고, 나머지는 각각 -F 또는 -Cl이고,R21 내지 R25 중 어느 하나가 아자이드기이고, 나머지는 각각 -F 또는 -Cl인, 도전성 조성물.

제1항에 있어서,하기 화합물 1 내지 5 중에서 선택된, 도전성 조성물:003c#화합물 1003e#003c#화합물 2003e#003c#화합물 3003e#003c#화합물 4003e#003c#화합물 5003e#.

제1항에 있어서,상기 금속 나노와이어는 표면의 적어도 일부에 형성된 친수성 캡핑층을 포함하고,친수성 캡핑층은 폴리비닐피롤리돈(PVP: polyvinylpyrrolidine), 폴리에틸렌옥사이드, 에탄올, 아민계 화합물, 카르복실계 화합물, 싸이올계 화합물 또는 이들의 조합으로부터 형성되거나, 소듐 도데실 설페이트(SDS:sodium dodecyl sulfate), 세틸 트리메틸 암모늄 브로마이드(CTAB: cetyl trimethyl ammonium bromide) 등의 계면활성제로부터 형성된, 도전성 조성물.

제7항에 있어서,상기 가교성 화합물이 상기 친수성 캡핑층에 포함된 화합물에 가교를 형성하는, 도전성 조성물.

금속 나노와이어 및 가교성 화합물을 포함한 도전층을 포함하고,상기 금속 나노와이어는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 주석(Sn), 납(Pb) 또는 이들의 합금을 포함하고,상기 가교성 화합물은 하기 화학식 1로 표시된, 도전체:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1 중,L1 및 L2는 서로 독립적으로, 단일 결합, -C=O-, -C 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐렌기이고,m1 및 m2는 서로 독립적으로, 0, 1, 2 또는 3이고,Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 적어도 하나의 가교성 그룹으로 치환되고,n1은 2 내지 300,000의 정수이고,R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티오기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,상기 치환된 C1-C30알킬렌기, 치환된 C2-C30알케닐렌기, 치환된 C2-C30알키닐렌기, 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C1-C30알킬기, 치환된 C2-C30알케닐기, 치환된 C2-C30알키닐기, 치환된 C1-C30알콕시기 및 치환된 C1-C30알킬티오기 중 적어도 하나는, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기, C1-C30알킬티오기 또는 -Si(Q11)(Q12)(Q13)이고,상기 Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기 또는 C1-C30알킬티오기이고,상기 가교성 그룹은 아자이드기(-N3), 황 함유기 또는 불포화 이중 결합 함유기이다.

제9항에 있어서,기재층(substrate)을 더 포함하고,상기 기재층 상에 상기 도전층이 배치된, 도전체.

제10항에 있어서,상기 금속 나노와이어는 표면의 적어도 일부에 형성된 친수성 캡핑층을 포함하고,상기 기재층 표면의 적어도 일부가 자기 조립 단분자막(SAM: self-assembly monolayer)이고,상기 가교성 화합물이 상기 친수성 캡핑층에 포함된 화합물 및 상기 자기 조립 단분자막에 포함된 자기 조립 단분자 사이에 가교를 형성하는, 도전체.

제9항 내지 제13항 중 어느 한 항의 도전체를 포함한, 전극.

제15항에 있어서,상기 전자 소자는 유기 박막 트랜지스터(organic thin film transistor: OTFT), 유기 전기변색 소자(organic electrochromic device: EC), 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode: OLED), 유기 태양 전지(organic solar cell: OSC) 및 유기 포토 다이오드(organic photodiode: OPD) 중 어느 하나인 전자 소자.