유기 반도체 화합물, 이를 포함한 유기 반도체 박막 및 전자 소자
ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM COMPRISING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME
특허 요약
하기 화학식 1로 표시된 유기 반도체 화합물, 이를 포함한 유기 반도체 박막 및 전자 소자가 개시된다: 003c#화학식 1003e# 상기 화학식 1 중 각 치환기에 대한 설명은 발명의 설명을 참조한다.
청구항
번호청구항
8

제1항 및 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항의 유기 반도체 화합물을 1종 이상 포함한 전자 소자.

1

하기 화학식 1로 표시된 유기 반도체 화합물:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1 중,X1 내지 X5는 서로 독립적으로, S 또는 Se이고,R1 내지 R5는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티오기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), C5-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,Ar1 및 Ar2 중 어느 하나가 하기 화학식 2로 표시된 그룹이고, Ar1 및 Ar2 중 나머지 하나가 하기 화학식 3으로 표시된 그룹이고,003c#화학식 2003e#상기 화학식 2 중,R11 내지 R16은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티오기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), C5-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,R11 내지 R16 중 적어도 하나가 시아노기이고,*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이고,003c#화학식 3003e#상기 화학식 3 중,R21 내지 R24는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기, C1-C30알킬티오기 또는 -Si(Q11)(Q12)(Q13)이고,상기 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C1-C30알킬기, 치환된 C2-C30알케닐기, 치환된 C2-C30알키닐기, 치환된 C1-C30알콕시기 또는 치환된 C1-C30알킬티오기의 치환기 중 적어도 하나는, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기, C1-C30알킬티오기 또는 -Si(Q11)(Q12)(Q13)이고,상기 Q1 내지 Q3 및 Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기 또는 C1-C30알킬티오기이다.

2

삭제

3

삭제

4

제1항에 있어서,R15 및 R16이 각각 시아노기인, 유기 반도체 화합물.

5

제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시된 유기 반도체 화합물은 화학식 10으로 표시된, 유기 반도체 화합물:003c#화학식 10003e#상기 화학식 10 중,X1 내지 X5, Ar2, R1 내지 R5 및 R11 내지 R16에 대한 설명은 각각 제1항을 참조한다.

6

제1항에 있어서,하기 화합물 1인, 유기 반도체 화합물:003c#화합물 1003e#.

7

제1항 및 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항의 유기 반도체 화합물을 1종 이상 포함한 유기 반도체 박막.

9

제8항에 있어서,상기 전자 소자는 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 배치된 중간층을 포함하고,상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 적어도 하나가 상기 유기 반도체 화합물을 포함하거나, 상기 중간층이 상기 유기 반도체 화합물을 포함한, 전자 소자.

10

제8항에 있어서,상기 전자 소자는 유기 태양 전지(organic solar cell: OSC), 유기 박막 트랜지스터(organic thin-film transistor: OTFT), 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode: OLED), 유기 광 센서(organic photo sensor: OPD), 페로브스카이트 태양 전지(perovskite solar cell), 페로브스카이트 발광 다이오드(perovskite light emitting diode) 및 열전 소자(thermoelectric device) 중 어느 하나인 전자 소자.

11

제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 배치된 광활성층을 포함하고,상기 광활성층이 제1항의 유기 반도체 화합물을 포함한, 유기 태양 전지.

12

제11항에 있어서,상기 광활성층이 전자받개 물질을 포함하고, 상기 전자받개 물질이 상기 유기 반도체 화합물을 포함하고,상기 광활성층이 전자주개 물질을 더 포함한, 유기 태양 전지.