| 번호 | 청구항 |
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| 9 | 제1항에 있어서, 상기 2차 입자에 대한 상기 금속 입자의 중량 비율(실리콘 나노 입자: 금속 입자)은,10:1 내지 1:10인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질. |
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| 11 | 제1항에 있어서, 상기 코팅층의 두께는,5 내지 50 ㎚인,리튬 이차 전지용 음극 활물질. |
| 6 | 제1항에 있어서, 상기 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 기공도는,상기 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 전체 부피(100 부피%)에서, 상기 공극이 30 내지 60 부피%인,리튬 이차 전지용 음극 활물질. |
| 7 | 제1항에 있어서, 상기 리튬 이차 전지용 음극 활물질 내 공극의 직경은,50 내지 500 ㎚인,리튬 이차 전지용 음극 활물질. |
| 8 | 제1항에 있어서.상기 실리콘 나노 입자의 직경은,50 내지 150 ㎚인,리튬 이차 전지용 음극 활물질. |
| 1 | 다수의 실리콘 나노 입자가 집합된 2차 입자; 상기 2차 입자 내 공극에 분포된 다수의 금속 입자; 및상기 2차 입자의 표면에 위치하는 코팅층;을 포함하되,상기 다수의 금속 입자는, 다수의 구리(Cu) 입자 및 다수의 철(Fe) 입자를 포함하고,상기 다수의 금속 입자 중 일부는, 상기 다수의 실리콘 나노 입자 중 일부와 합금을 형성한 것이고,상기 코팅층은, 탄소 나노튜브(carbon nanotube, CNT) 및 그래핀(graphene)을 포함하는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질. |
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| 5 | 제1항에 있어서, 상기 2차 입자의 직경은,1 내지 10 ㎛인,리튬 이차 전지용 음극 활물질. |
| 12 | 제1항에 있어서, 상기 2차 입자 및 상기 금속 입자의 총 중량 100 중량부에 대해, 상기 코팅층은 5 내지 15 중량부인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질. |
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| 15 | 실리콘 나노 입자를 준비하는 단계;상기 실리콘 나노 입자와 금속 전구체 물질을 혼합하는 단계;상기 혼합된 실리콘 나노 입자와 금속 전구체 물질을 열간 분무하여 산화금속-실리콘 복합체를 수득하는 단계; 및 상기 산화금속-실리콘 복합체를 열처리하여, 음극 활물질을 수득하는 단계; 및상기 수득된 음극 활물질의 표면에, 탄소계 물질을 포함하는 코팅층을 형성시키는 단계;를 포함하되,상기 금속 전구체 물질은, 구리(Cu) 화합물 및 철(Fe) 화합물을 포함하는 것이고,상기 혼합된 실리콘 나노 입자와 금속 전구체 물질을 열간 분무하여 산화금속-실리콘 복합체를 수득하는 단계;에서, 다수의 실리콘 나노 입자가 집합된 2차 입자가 형성되고, 상기 2차 입자 내 공극에 다수의 산화금속 입자가 분포된 산화금속-실리콘 복합체가 수득되고,상기 산화금속-실리콘 복합체를 열처리하여 음극 활물질을 수득하는 단계; 에서, 상기 산화금속-실리콘 복합체 내 다수의 산화금속 입자가 다수의 금속 입자로 환원됨과 동시에, 상기 다수의 금속 입자 중 일부가 상기 다수의 실리콘 나노 입자 중 일부와 합금을 형성하여, 상기 음극 활물질로 수득되고,상기 다수의 금속 입자는 다수의 구리(Cu) 입자 및 다수의 철(Fe) 입자를 포함하며상기 수득된 음극 활물질의 표면에, 탄소계 물질을 포함하는 코팅층을 형성시키는 단계;를에서, 상기 다수의 구리(Cu) 입자가 그래핀(graphene)을 성장시키는 촉매로 기능하고, 상기 다수의 철(Fe) 입자는 탄소 나노튜브(carbon nanotube, CNT)를 성장시키는 촉매로 기능하여, 그래핀 및 탄소 나노튜브를 포함하는 코팅층이 형성되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법. |
| 16 | 삭제 |
| 17 | 제15항에 있어서, 상기 실리콘 나노 입자와 금속 전구체 물질을 혼합하는 단계; 에서,상기 실리콘 나노 입자에 대한 금속 전구체 물질의 중량비는(금속 전구체 물질: 실리콘 나노 입자),10:1 내지 1:10인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법. |
| 18 | 제15항에 있어서, 상기 혼합된 실리콘 나노 입자와 금속 전구체 물질을 열간 분무하여 산화금속-실리콘 복합체를 수득하는 단계;는,150 내지 300 ℃의 온도 범위에서 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법. |
| 19 | 제15항에 있어서, 상기 산화금속-실리콘 복합체를 열처리하여, 음극 활물질을 수득하는 단계;는,350 내지 450 ℃의 온도 범위에서 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법. |
| 20 | 제15항에 있어서, 상기 실리콘 나노 입자를 준비하는 단계;는,상기 실리콘 나노 입자의 원료 물질을 열분해(thermal decomposition)하는 단계;인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법. |
| 21 | 제15항에 있어서, 상기 실리콘 나노 입자의 원료 물질은,SiH4인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법. |
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| 23 | 제15항에 있어서, 상기 수득된 음극 활물질의 표면에, 탄소계 물질을 포함하는 코팅층을 형성시키는 단계;는,탄소계 전구체를 사용하여 화학적 기상 증착법(CVD process)으로 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법. |
| 24 | 제23항에 있어서, 상기 수득된 음극 활물질의 표면에, 탄소계 물질을 포함하는 코팅층을 형성시키는 단계;는,850 내지 950 ℃의 온도 범위에서 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법. |
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| 28 | 음극;양극; 및전해질;을 포함하고,상기 음극은, 제1항, 제5항 내지 제9항, 및 제11항 내지 제12항 중 어느 하나에 따른 리튬 이차 전지용 음극 활물질을 포함하는 것인,리튬 이차 전지. |