자기저항 장치의 자기적 특성, 자기저항적 특성 또는 이들 모두를 개선하기 위해, 상기 자기저항 장치의 형성을 위해 사용되는 다중층 자기저항 구조를 제1 기재로부터 박리하여 상기 다중층 자기저항 구조 내의 고유 응력을 이완시키는 단계를 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 다중층 자기저항 구조는 상측 전기 전도성 층, 전기 절연 캡슐레이션 층, 자기저항 소자, 하측 전기 전도성 층 및 식각 차단 층을 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제2항에 있어서, 상기 자기저항 소자는 자기 터널 접합부(MTJ) 또는 이중 MTJ 또는 자이언트 자기저항(GMR) 구조를 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 다중층 자기저항 구조 내의 상기 고유 응력은 상기 다중층 자기저항 구조의 임의의 층의 고유 응력을 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 자기저항 장치를 형성하기 위해 상기 박리된 다중층 자기저항 구조를 제2 기재와 통합시키는 단계를 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제5항에 있어서, 상기 제2 기재는 통상의 강성 기재들, 가요성 폴리머 기재들, 웨이퍼들, 유리, 포일, 폴리디메틸실록산(PDMS) 기재들, 플라스틱 및 니트릴 고무 기재들로 구성되는 그룹으로부터 선택되는, 자기저항 장치 제조 방법.

제6항에 있어서, 상기 제2 기재는 변형가능한 기재이며, 상기 방법은 상기 다중층 자기저항 구조에 인장 또는 압축 스트레인(strain)을 제공하도록 상기 제2 기재를 변형시키는 단계를 더 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제5항에 있어서, 상기 박리된 다중층 자기저항 구조를 제2 기재에 통합시키는 단계는 상기 박리된 다중층 자기저항 구조를 전달 캐리어에 의해 상기 제2 기재에 전달하는 단계를 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제8항에 있어서, 상기 전달 캐리어는 변형된 PDMS 스탬프(stamp)인, 자기저항 장치 제조 방법.

제8항에 있어서, 상기 전달 캐리어는 열 박리 테이프이고, 상기 박리된 다중층 자기저항 구조를 제2 기재에 통합하는 상기 단계는 상기 자기저항 구조가 상기 제2 기재로 전달된 이후 상기 열 박리 테이프를 가열하는 단계를 더 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제8항에 있어서, 상기 박리된 다중층 자기저항 구조를 제2 기재에 통합하는 상기 단계는,글루/접착제를 사용하거나, 상기 제2 기재, 상기 박리된 다중층 자기저항 구조의 표면 또는 이들 모두를 플라즈마 처리하거나, 고온 또는 고압을 동반하는 통상의 방법에 의하거나, 웨이퍼 또는 표면 활성화 또는 원자 확산 본딩 방법에 의하여, 상기 박리된 다중층 자기저항 구조를 상기 제2 기재에 본딩시키는 단계를 더 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제5항에 있어서, 상기 자기저항 구조에 제공되는 스트레인의 미리결정된 값, 구성 또는 이들 모두에 따라 상기 박리된 다중층 자기저항 구조를 제2 기재와 통합하는 방법을 선택하는 단계를 더 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 제1 기재로부터 상기 다중층 자기저항 구조를 박리하는 단계 이전에, 상기 제1 기재 상에 상기 다중층 자기저항 구조를 제조하는 단계를 더 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제13항에 있어서, 상기 다중층 자기저항 구조 내의 상기 고유 응력을 미리결정된 값, 구성 또는 이들 모두로 만드는 단계를 더 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제14항에 있어서, 상기 다중층 자기저항 구조의 상기 고유 응력을 미리결정된 값, 구성 또는 이들 모두로 만드는 상기 단계는,상기 고유 응력의 상기 미리결정된 값, 구성 또는 이들 모두에 기초하여, 상기 자기저항 구조의 언더층(underlayer), 캡슐레이션 층, 덮개 층 또는 임의의 다른 층의 재료, 두께 또는 이들 모두를 선택하는 단계; 박막 증착 조건을 결정하는 단계; 어닐링 조건을 결정하는 단계; 및 상기 자기저항 구조의 구성을 선택하는 단계; 중 적어도 하나를 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 다중층 자기저항 구조는 식각 기술에 의해 상기 제1 기재로부터 박리되는, 자기저항 장치 제조 방법.

제16항에 있어서, 상기 제1 기재로부터 상기 자기저항 구조를 박리시키기 위한 공정 동안 식각 두께를 조절하여 상기 다중층 자기저항 구조의 상기 고유 응력의 이완을 제어하는 단계를 더 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 자기저항 장치의 상기 자기적 특성, 자기저항적 특성, 또는 이들 모두는 보자력, 스위칭의 각형성(squareness) 또는 급격성, 자기저항(MR) 및 자기저항 장치의 저항을 포함하는, 자기저항 장치 제조 방법.

제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따라 제조된 자기저항 장치.

제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따라 제조된 자기저항 장치를 갖는 센서.

제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따라 제조된 자기저항 장치를 갖는 데이터 저장 장치.

제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따라 제조된 자기저항 장치를 갖는 스트레인 게이지.