| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 티타늄계 합금을 준비하는 티타늄계 합금 준비단계;준비된 상기 티타늄계 합금을 티타늄 양극산화처리하여 제1 나노튜브 어레이층을 형성시키는 제1 나노튜브 어레이층 형성단계;상기 티타늄계 합금의 표면에 형성된 상기 제1 나노튜브 어레이층을 제거하는 제1 나노튜브 어레이층 제거단계; 및상기 제1 나노튜브 어레이층이 제거되어, 단면이 메쉬 형상인 티타늄계 합금을 플라즈마 전해 산화 처리하는 플라즈마 전해 산화 처리단계;를 포함하고, 상기 티타늄계 합금은 Ti-6Al-4V가 이용되며, 상기 플라즈마 전해 산화 처리단계는 마그네슘 이온 및 아연 이온을 포함하는 플라즈마 전해산화용 전해질을 이용하여 플라즈마 전화 산화처리되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 2 | 삭제 |
| 3 | 제 1항에 있어서,상기 제1 나노튜브 어레이층 형성단계는상기 티타늄계합금은 캐소드 전극에 연결되고, 플라티늄 전극은 에노드 전극에 연결되며, H3PO4 및 NaF를 포함하는 양극산화용 전해질을 이용하여 전기화학적 산화처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 4 | 제 3항에 있어서,상기 양극산화용 전해질은 1M H3PO4 및 0.8 중량 %의 NaF를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 5 | 제 1항에 있어서,상기 제1 나노튜브 어레이층은 초음파처리를 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 6 | 삭제 |
| 7 | 제 1항에 있어서,상기 플라즈마 전해산화용 전해질은 마그네슘 이온 5 몰(mol)% 및 아연 이온 5 몰(mol)%를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 8 | 제 1항에 있어서,상기 플라즈마 전해 산화 처리단계 이후에, 산화피막층에 형성된 침전물을 제거하는 침전물 제거단계;가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 9 | 제 8항에 있어서,상기 침전물 제거단계는초음파처리를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 10 | 제 1항, 제3항 내지 제5항, 제 7항 내지 제 9항 중 어느 한 항의 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법으로 제조되고, 임플란트의 표면에는 마그네슘 및 아연을 포함하는 산화피막이 형성되며, 상기 산화피막은 아나타제상 및 루타일상을 포함하는 것을 특징으로 하는 치과용 임플란트. |
| 11 | 삭제 |
| 12 | 티타늄계 합금을 준비하는 티타늄계 합금 준비단계;준비된 상기 티타늄계 합금을 티타늄 양극산화처리하여 제1 나노튜브 어레이층을 형성시키는 제1 나노튜브 어레이층 형성단계;상기 티타늄계 합금의 표면에 형성된 상기 제1 나노튜브 어레이층을 제거하는 제1 나노튜브 어레이층 제거단계; 상기 제1 나노튜브 어레이층이 제거되어, 단면이 메쉬 형상인 티타늄계 합금을 티타늄 양극산화처리하여 제2 나노튜브 어레이층을 형성시키는 제2 나노튜브 어레이층 형성단계;상기 티타늄계 합금의 표면에 형성된 상기 제2 나노튜브 어레이층을 제거하는 제2 나노튜브 어레이층 제거단계; 상기 제2 나노튜브 어레이층이 제거되어, 단면이 메쉬 형상인 티타늄계 합금을 플라즈마 전해 산화 처리하는 플라즈마 전해 산화 처리단계;를 포함하고,상기 티타늄계 합금은 Ti-6Al-4V가 이용되며, 상기 플라즈마 전해 산화 처리단계는 마그네슘 이온 및 아연 이온을 포함하는 플라즈마 전해산화용 전해질을 이용하여 플라즈마 전화 산화처리되는 것을 특징으로 하는 양극산화법와 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 13 | 제 12항에 있어서,상기 제2 나노튜브 어레이층 형성단계 및 상기 제2 나노튜브 어레이층 제거단계가 순차적으로 더 수행 되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 14 | 삭제 |
| 15 | 제 12항에 있어서,상기 제1 나노튜브 어레이층 형성단계 및 상기 제2 나노튜브 어레이층 형상단계는,상기 티타늄계합금은 캐소드 전극에 연결되고, 플라티늄 전극은 에노드 전극에 연결되며, H3PO4 및 NaF를 포함하는 양극산화용 전해질을 이용하여 전기화학적 산화처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 16 | 제 15항에 있어서,상기 양극산화용 전해질은 1M H3PO4 및 0.8 중량 %의 NaF를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 17 | 제 12항에 있어서,상기 제1 나노튜브 어레이층 및 상기 제2 나노튜브 어레이층은 초음파처리를 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 양극산화법와 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 18 | 삭제 |
| 19 | 제 12항에 있어서,상기 플라즈마 전해산화용 전해질은 마그네슘 이온 5 몰(mol)% 및 아연 이온 5 몰(mol)%를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 20 | 제 12항에 있어서,상기 플라즈마 전해 산화 처리단계 이후에, 산화피막층에 형성된 침전물을 제거하는 침전물 제거단계;가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 21 | 제 20항에 있어서,상기 침전물 제거단계는초음파처리를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법. |
| 22 | 제 12항, 제 13항, 제 15항 내지 제 17항, 제 19항 내지 제 21항 중 어느 한 항의 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법으로 제조되고, 임플란트의 표면에는 마그네슘 및 아연을 포함하는 산화피막이 형성되며, 상기 산화피막은 아나타제상 및 루타일상을 포함하는 것을 특징으로 하는 치과용 임플란트. |
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