| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 3 | 제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 유리 및 유연 고분자 기판 중 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 4 | 제1항에 있어서,상기 금속 산화 대상층은 Li, Na, K, Pb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Fe, Cu, Ni, Cr, Mn, Al, Co, Mo, W, Ti, Zn, Sn, In, Hf 및 Ga 중 선택되는 적어도 어느 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 1 | 기판 상에 도핑원소를 공급하는 도핑원소 공급층을 형성하는 단계;상기 도핑원소 공급층 상에 금속 산화 대상층을 형성하는 단계;상기 금속 산화 대상층에 레이저 조사하여 상기 금속 산화 대상층을 산화시키는 단계; 및상기 레이저 조사에 의해 발생하는 열에 의해 상기 도핑원소 공급층으로부터 상기 도핑원소가 상기 산화된 금속 산화 대상층으로 확산되어 도핑된 금속 산화물 반도체를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 레이저 조사 시, 레이저의 파워를 조절함으로써 상기 도핑원소의 확산량을 제어하여 상기 도핑된 금속 산화물 반도체의 전도 특성을 선택적으로 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 레이저의 파워를 조절함으로써 상기 도핑된 금속 산화물 반도체의 전도 특성을 n형 또는 p형으로 선택적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 도핑원소 공급층은 Al2O3, CuO, NiO, Ga2O3, HfO2, La2O3, Y2O3, WSe2 및 MoS2 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 6 | 제1항에 있어서,상기 레이저는 연속파 레이저 또는 펄스 레이저인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 레이저의 파장은 355 nm 내지 1064 nm인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 8 | 제1항에 있어서,상기 도핑원소는 Ag+, Na+, K+, Ag+, Cu+, Co2+, Mn2+, Mn3+. Mn4+, Fe3+, Al3+, In3+, Nb5+, Ta5+, La3+, Sb5+, Cu2+, Ni2+, Ga3+, Hf4+, La3+, Y3+, W6+ 및 Mo6+ 를 포함하는 금속 양이온 또는 C, S, N, F, B, P, Cl, Br, I, H+와 같은 비금속 원소 중에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 9 | 제1항에 있어서,상기 도핑원소의 확산은 임계 레이저 파워 이상에서 수행되며, 상기 임계 레이저 파워는 상기 도핑원소 공급층으로부터 상기 도핑원소가 상기 산화된 금속 산화 대상층으로 확산되기 시작하는 파워인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 10 | 제9항에 있어서, 상기 임계 레이저 파워는 420 mW인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 11 | 제1항에 있어서, 상기 도핑원소는 상기 산화된 금속 산화 대상층의 격자 내 금속 이온 자리로 치환하여 도핑되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 12 | 제1항에 있어서,상기 도핑원소의 확산에 의해 상기 도핑된 금속 산화물 반도체에 산소 공공이 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 13 | 제1항에 있어서,상기 도핑원소의 확산에 의해 상기 도핑된 금속 산화물 반도체 내 정공이 생성되며, 상기 도핑된 금속 산화물 반도체가 p형 전도 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 14 | 제1항에 있어서,상기 도핑원소의 확산에 의해 상기 도핑된 금속 산화물 반도체의 결정구조가 아나타제상에서 루타일상으로 전이되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 15 | 제1항에 있어서,상기 도핑된 금속 산화물 반도체는 박막 트랜지스터, p-n 다이오드, 인버터 회로, 가스 센서 및 광기능 메모리 중 선택되는 적어도 하나의 전자소자에 적용되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 16 | 제1항에 있어서,상기 도핑원소의 확산량에 따라 상기 도핑된 금속 산화물 반도체의 밴드갭, 일함수 및 광 반응성 중 적어도 어느 하나가 조절되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
| 17 | 제1항에 있어서,상기 레이저 조사에 의해 발생하는 열 확산은 아레니우스 관계식에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체의 제조방법. |
