베이스기판(501); 상기 베이스기판(510) 상에 초전도체 재질의 그라운드층이 적층되어 형성되는 초전도기판(502); 를 포함하며,상기 초전도기판(502)은, 그라운드층의 식각에 의해 형성되는 회로부를 포함하되, 상기 회로부는,외부신호의 입출력을 제어하는 커플링공진기를 포함하는 제어영역부(110); 및위상상태 원자체인을 모사하도록 복수 개의 LC유닛(500)이 배열된 형태로 형성되며, 상기 제어영역부(110)와 연결되어 신호를 저장하는 저장영역부(120);를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자메모리.

제 1항에 있어서, 상기 저장영역부(120)는,병렬연결된 인덕터 및 커패시터의 결합체 및 상기 결합체와 직렬연결된 연결커패시터로 이루어지는 하나의 상기 LC유닛(500)이 하나의 원자를 모사하고,서로 근접배치된 한 쌍의 LC유닛(500)으로 이루어지는 LC다이머가 서로 근접배치된 한 쌍의 원자로 이루어지는 원자다이머를 모사하고,상기 LC다이머가 복수 개 병렬배열되어 이루어지는 LC어레이가 상기 원자다이머가 복수 개 일렬배열되어 이루어지는 원자체인을 모사하되,상기 원자체인에서, 상기 원자다이머 내의 상기 원자들끼리의 결합강도가, 근접배치된 상기 원자다이머들 간의 상기 원자들끼리의 결합강도보다 작게 형성됨으로써, 상기 원자체인이 위상상태가 되는 것을 모사하도록,상기 LC어레이에서, 상기 LC다이머 내의 상기 LC유닛(500)들 사이의 결합강도가, 근접배치된 상기 LC다이머들 간의 상기 LC유닛(500)들끼리의 결합강도보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 양자메모리.

제 1항에 있어서, 상기 저장영역부(120)는,서로 병렬연결된 제1인덕터(121) 및 제1캐패시터(122)로 이루어지는 제1LC(A), 및서로 병렬연결된 제2인덕터(123) 및 제2캐패시터(124)로 이루어지는 제2LC(B)로 이루어지는 LC다이머가 복수 개 병렬배열되어 LC어레이를 형성하되,상기 LC어레이는,하나의 상기 LC다이머 내의 상기 제1LC(A) 및 상기 제2LC(B) 사이에 직렬연결로 구비되는 내연캐패시터(125), 및근접배열된 한 쌍의 상기 LC다이머가 서로 근접한 부분에서, 한 쌍의 상기 LC다이머 중 하나의 상기 LC다이머의 상기 제2LC(B) 및 다른 하나의 상기 LC다이머의 상기 제1LC(A) 사이에 직렬연결로 구비되는 외연캐패시터(126)를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자메모리.

제 3항에 있어서, 상기 저장영역부(120)는,상기 내연캐패시터(125)의 캐패시턴스를 C1, 상기 외연캐패시터(126)의 캐패시턴스를 C2라 할 때, 하기의 관계식이 성립하는 것을 특징으로 하는 양자메모리.C1 003c# C2

제 4항에 있어서, 상기 저장영역부(120)는,상기 내연캐패시터(125)를 형성하는 한 쌍의 축전부 간격을 t1, 상기 외연캐패시터(126)를 형성하는 한 쌍의 축전부 간격을 t2라 할 때, 하기의 관계식이 성립하는 것을 특징으로 하는 양자메모리.t1 003e# t2

제 5항에 있어서, 상기 저장영역부(120)는,t1 및 t2 간에 하기의 관계식이 성립하는 것을 특징으로 하는 양자메모리.1.5 ≤ t1/t2 ≤ 20

제 1항에 있어서, 상기 제어영역부(110)는,서로 직렬연결되어 상기 커플링공진기를 형성하는 제어인덕터(111) 및 제어커패시터(115),상기 제어인덕터(111)에 자속측정부(113)를 통해 연결되어 자속을 인가하는 자속라인부(114),상기 제어커패시터(115)에 연결되어 외부신호가 입력되거나 상기 저장영역부(120)에 저장된 외부신호가 출력되는 신호입출부(112)를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자메모리.

제 7항에 있어서, 상기 양자메모리는,상기 제어영역부(110) 및 상기 저장영역부(120)가 상기 제어커패시터(115)에 의해 전기적으로 연결되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 양자메모리.

제 7항에 있어서, 상기 자속측정부(113)는,SQUID소자 또는 조셉슨접합소자로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자메모리.

제 1항에 있어서, 상기 LC유닛(500)은,상하방향으로 이격배치된 한 쌍의 평행선 형태로 형성되는 제1, 2공유선부(541)(542)를 포함하는 공유선부(540),일측이 상측에 배치되는 제1공유선부(541)와 연결되는 인덕터외연부(511), 일측이 상기 인덕터외연부(411)의 타측과 연결되며 미안다 형태로 형성되는 인덕터본체부(512), 일측이 상기 인덕터본체부(512)의 타측과 연결되는 인덕터내연부(512)를 포함하는 인덕터부(510),좌우방향으로 이격배치된 한 쌍의 평행선 형태로 형성되며 그 사이에 상기 인덕터본체부(512)가 배치되는 연결커패시터제1, 2경계부(531)(532), 상기 연결커패시터제1, 2경계부(531)(532)의 하측끝단을 서로 연결하며 상기 인덕터내연부(512)의 타측이 연결되는 연결커패시터연결부(533)을 포함하여, 상기 인덕터부(510)을 둘러싸는 ㄷ자형으로 형성되는 연결커패시터부(530),일측이 상기 연결커패시터연결부(533)와 연결되는 커패시터내연부(521), 상기 커패시터내연부(521)의 타측에 연결되며 하측에 배치되는 상기 제2공유선부(542)와 평행이격되는 직선부를 포함하는 커패시터본체부(522)를 포함하는 커패시터부(520)를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자메모리.

제 10항에 있어서, 상기 LC유닛(500)은,상기 제2공유선부(542) 상에, 상기 커패시터본체부(522)에 대응되는 영역에서 상기 커패시터본체부(522) 쪽으로 돌출형성되는 커패시터대응부(543)가 형성되며,상기 커패시터본체부(522)는 상기 커패시터대응부(543)를 둘러싸는 ㄷ자형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자메모리.