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제 5 항에 있어서, 상기 전도성 고분자는, PEDOT:PSS를 포함하고, 상기 정공 이동저항 감소 물질은 이황화 몰리브덴(MoS2) 나노시트를 포함하는, 광 검출기.

제 1 항에 있어서, 상기 양 전극은 금속, 그래핀(graphene), 및 맥신(MXene) 중 하나 이상을 포함하는, 광 검출기.

제 1 항에 있어서, 상기 음 전극은 산화물 도전체, 실버 나노와이어, 그래핀(graphene), 및 맥신(MXene) 중 하나 이상을 포함하는, 광 검출기.

제 1 항에 있어서, 상기 전자 수송층은 금속 산화물 및 PCBM([6,6]-phenyl-C61-butyric　acid　methyl　ester) 중 하나 이상을 포함하는, 광 검출기.

제 1 항에 있어서, 상기 제2 수송층은, 전도성 고분자를 포함하는, 광 검출기.

양 전극; 상기 양 전극과 마주하는 음 전극; 상기 양 전극과 상기 음 전극 사이에 위치하고, 광을 흡수하여 전자-정공 쌍이 생성되며 생성된 전자-정공 쌍이 분리되도록, 양자점을 포함하는 광 흡수층; 상기 양 전극과 상기 광 흡수층 사이에 위치하며, 상기 전자를 상기 양 전극 방향으로 수송시키는 전자 수송층; 및 상기 광 흡수층과 상기 음 전극 사이에 위치하고, 상기 정공을 상기 음 전극 방향으로 수송시키는 정공 수송층을 포함하며, 상기 양자점은 중금속을 포함하지 않은 무중금속 양자점이고, 상기 정공 수송층은, 상기 광 흡수층과 상기 음 전극 사이에 위치하며, 상기 광 흡수층으로부터 상기 정공이 추출되도록 정공 이동저항 감소 물질을 포함하는 제1 수송층; 및 상기 제1 수송층과 상기 음 전극 사이에 위치하고, 상기 제1 수송층에 의해서 추출된 상기 정공을 상기 음 전극 방향으로 수송시키는 제2 수송층을 포함하고,상기 정공 이동저항 감소 물질은 이온이 리간드로 부착되는,광 검출기.

제 1 항에 있어서, 상기 무중금속 양자점은 I-III-VI족 양자점, 및 III-V족 양자점 중 하나 이상을 포함하는, 광 검출기.

제 2 항에 있어서, 상기 I-III-VI족 양자점은 Cu-In-Se 양자점을 포함하고,상기 III-V족 양자점은 InAs 양자점을 포함하는, 광 검출기.

제 1 항에 있어서, 상기 무중금속 양자점은 유기 리간드가 이온으로 리간드 교환된, 광 검출기.

제 1 항에 있어서, 상기 제1 수송층은, 전도성 고분자, 산화물 및, 전도성 유기물 중 하나 이상을 더 포함하는, 광 검출기.

광 검출기; 및상기 광 검출기를 지지하는 유연기판을 포함하고, 상기 광 검출기는, 양 전극; 상기 양 전극과 마주하는 음 전극; 상기 양 전극과 상기 음 전극 사이에 위치하고, 광을 흡수하여 전자-정공 쌍이 생성되며 생성된 전자-정공 쌍이 분리되도록, 양자점을 포함하는 광 흡수층; 상기 양 전극과 상기 광 흡수층 사이에 위치하며, 상기 전자를 상기 양 전극 방향으로 수송시키는 전자 수송층; 및 상기 광 흡수층과 상기 음 전극 사이에 위치하고, 상기 정공을 상기 음 전극 방향으로 수송시키는 정공 수송층을 포함하며, 상기 양자점은 중금속을 포함하지 않은 무중금속 양자점이고, 상기 정공 수송층은, 상기 광 흡수층과 상기 음 전극 사이에 위치하며, 상기 광 흡수층으로부터 상기 정공이 추출되도록 정공 이동저항 감소 물질을 포함하는 제1 수송층; 및 상기 제1 수송층과 상기 음 전극 사이에 위치하고, 상기 제1 수송층에 의해서 추출된 상기 정공을 상기 음 전극 방향으로 수송시키는 제2 수송층을 포함하며,상기 정공 이동저항 감소 물질은 이온이 리간드로 부착되는, 웨어러블 센서.

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제 12 항에 있어서, 상기 유연기판은 패럴린(parylene), 폴리에틸렌　나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), 및 투명폴리이미드(TPI, transparent polyimide) 중 하나 이상을 포함하는, 웨어러블 센서.