| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 저마늄(Ge), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)으로 구성되고,총 원소에 대하여, 상기 갈륨 원소의 함량은 0 at% 초과 10 at% 미만이고,상기 텔루륨 원소의 함량은 25 at% 이상 45 at% 이하이고,상기 셀레늄 원소와 상기 텔루륨 원소 함량의 합은 66 at% 이상 75 at% 이하인 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물. |
| 2 | 삭제 |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 셀레늄 원소와 상기 텔루륨 원소의 함량비는 2:1 내지 1:2.5인 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물. |
| 4 | 제1항에 있어서,총 원소에 대하여, 상기 저마늄 원소의 함량은 20 at% 이상 30 at% 이하인 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물. |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 유리 조성물은 비소(As) 및 안티모니(Sb)를 포함하지 않는 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물. |
| 6 | 제1항에 있어서,총 원소에 대하여,화학양론비 기준으로 비칼코진 원소에 대한 칼코진 원소의 비율은 1 내지 1.5인 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물. |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 유리 조성물은 10 ㎛ 파장에서 굴절률이 2.8 이상인 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 조성물. |
| 8 | 제1항에 따른 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물의 성형물을 포함하는 렌즈. |
| 9 | 제8항에 있어서,상기 성형물은 상기 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물이 직가공, 몰딩 공정, 웨이퍼레벨 몰딩 공정 또는 웨이퍼레벨 임프린팅 공정으로 형성되는 것인 렌즈. |
| 10 | 저마늄(Ge), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)을 포함하고,총 원소에 대하여,상기 저마늄 원소의 함량은 30 at% 이상 35 at% 이하이고,상기 텔루륨 원소의 함량은 0 at% 초과 20 at% 이하이고,상기 텔루륨 원소와 상기 저마늄 원소의 함량비는 1:1.5 초과 1:3.5 이하인 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물. |
| 11 | 제10항에 있어서,총 원소에 대하여, 상기 셀레늄 원소와 상기 텔루륨 원소 함량의 합은 55 at% 초과 65 at% 미만인 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물. |
| 12 | 제10항에 있어서,상기 텔루륨 원소와 상기 셀레늄 원소의 함량비는 1:2 내지 1:5인 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물. |
| 13 | 제10항에 있어서,총 원소에 대하여,상기 갈륨의 함량은 5 at% 이상 10 at% 이하인 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물. |
| 14 | 제10항에 있어서,상기 유리 조성물은 비소(As) 및 안티모니(Sb)를 포함하지 않는 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물. |
| 15 | 제10항에 있어서,총 원소에 대하여,화학양론비 기준으로 비칼코진 원소에 대한 칼코진 원소의 비율은 0.6 내지 0.95인 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물. |
| 16 | 제10항에 따른 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물의 성형물을 포함하는 렌즈. |
| 17 | 제16항에 있어서,상기 성형물은 상기 적외선 투과렌즈용 칼코지나이드 유리 조성물이 직가공, 몰딩 공정, 웨이퍼레벨 몰딩 공정 또는 웨이퍼레벨 임프린팅 공정으로 형성되는 것인 렌즈. |