모재 상에 증착되어 박막층을 형성하는 코팅재에 있어서,상기 박막층은 CrZrSiN 박막으로서, Si가 9.6 % 내지 13.5의 원자비율을 가지고, Cr이 21.0 내지 24.1의 원자비율을 가지며, Zr이 15.5 내지 16.0의 원자비율을 가지는 성분조성으로 이루어지되,상기 박막층은 분할타겟(segment target)을 이용한 비대칭 마그네트론 스퍼터링(unbalanced magnetron sputtering)에 의해 형성되고,상기 비대칭 마그네트론 스퍼터링에 이용되는 타겟에서, Zr에 대한 Cr의 부피비(vol%비)는 2:3이고, Si에 대한 (Cr+Zr)의 부피비(vol%비)는 3:1 내지 5:1인 것인, 다기능성 코팅재.

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제1항에 있어서,상기 모재는 금형 또는 윤활제품의 모재인 것인, 다기능성 코팅재.

금형 또는 윤활제품의 모재에 있어서,제1항에 따른 다기능성 코팅재로 형성된 박막층을 포함하는 모재.

모재 상에 박막층을 형성하는 방법에 있어서,(a) 상기 모재를 진공챔버 내부의 회전지그에 배치하고, 타겟인 마그네트론소스로 Cr-Zr 분할타겟과 Si 타겟, 또는 Cr-Zr-Si 분할타겟을 장착하는 단계;(b) 상기 모재가 배치되고 나면, 상기 진공챔버 내부를 진공 처리하고 분위기가스로 불활성가스를 주입하는 단계; 및(c) 상기 분위기가스가 주입되고 나면, 상기 회전지그를 회전시키면서 소스파워로 직류 전압 또는 펄스직류 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 상기 발생된 플라즈마를 상기 모재에 증착하여 박막층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (c) 단계에서, 상기 박막층은 CrZrSiN 박막으로서, Si가 9.6 % 내지 13.5의 원자비율을 가지고, Cr이 21.0 내지 24.1의 원자비율을 가지며, Zr이 15.5 내지 16.0의 원자비율을 가지는 성분조성으로 이루어지도록 형성되되,타겟인 상기 마그네트론소스에서, Zr에 대한 Cr의 부피비(vol%비)는 2:3이고, Si에 대한 (Cr+Zr)의 부피비(vol%비)는 3:1 내지 5:1인 것인, 다기능성 박막층 형성 방법.

제8항에 있어서,상기(c) 단계는 비대칭 마그네트론 스퍼터링에 의해 수행되는 것인, 다기능성 박막층 형성 방법.

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제8항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 모재에 대한 기판 바이어스 전압은 -100 V인 것인, 다기능성 박막층 형성 방법.

제8항에 있어서,상기 불활성가스는 아르곤 및 질소를 포함하고,상기 (c) 단계에서, 질소 분압은 1.2 mtorr로 유지되는 것인, 다기능성 박막층 형성 방법.