a) 웨이퍼에 금속을 증착하여 금속이 증착된 웨이퍼를 제조하는 단계;b) 상기 금속이 증착된 웨이퍼를 폴리(아믹산)(poly(amic acid), PAA) 용액으로 스핀 코팅하는 단계;c) 상기 스핀 코팅한 PAA에 자외선(UV)을 조사하여 패터닝하는 단계; d) 상기 패터닝한 PAA에 열을 가해 이미드화하여 폴리이미드(Polyimide, PI)를 제조하는 단계; 및e) 상기 PI에 레이저를 조사하여 레이저 유도 그래핀(Laser-induced graphene, LIG)를 제조하는 단계;를 포함하는 고해상도 레이저 유도 그래핀의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 a) 단계는a1) 웨이퍼를 세정하는 단계;a2) 상기 세정한 웨이퍼에 네거티브 포토레지스트 용액으로 스핀 코팅하는 단계;a3) 상기 스핀 코팅한 웨이퍼에 자외선(UV)을 조사하여 패터닝하는 단계; a4) 상기 패터닝한 웨이퍼에 금속을 증착하는 단계; 및a5) 상기 금속을 증착한 웨이퍼에 존재하는 S/D 전극을 아세톤으로 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고해상도 레이저 유도 그래핀의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 금속은금(Au)인 것을 특징으로 하는 고해상도 레이저 유도 그래핀의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 웨이퍼는SiO2/Si 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 고해상도 레이저 유도 그래핀의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 b) 단계는상기 금속이 증착된 웨이퍼에 폴리(아믹산)(poly(amic acid)) 용액을 떨어뜨리고 400 내지 600 rpm에서 40 내지 60초 동안 스핀 코팅하는 것을 특징으로 하는 고해상도 레이저 유도 그래핀의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 c) 단계는상기 스핀 코팅한 PAA에 330 내지 400 nm의 파장이고, 250 내지 350 mJ/cm2의 광량인 자외선(UV)을 조사하여 패터닝하는 단계;인 것을 특징으로 하는 고해상도 레이저 유도 그래핀의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 d) 단계는상기 패터닝한 PAA를 200 내지 300 ℃의 핫플레이트에서 20 내지 40분 동안 열을 가해 이미드화하는 것을 특징으로 하는 고해상도 레이저 유도 그래핀의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 e) 단계는 상기 PI에 CO2 레이저를 12.0 내지 16.0 kW/cm2의 세기로 조사하여 레이저 유도 그래핀(Laser-induced graphene, LIG)를 제조하는 것을 특징으로 하는 고해상도 레이저 유도 그래핀의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 고해상도 레이저 유도 그래핀은개별 레이저 유도 그래핀 폭의 해상도가 5 내지 15 ㎛인 것을 특징으로 하는 고해상도 레이저 유도 그래핀의 제조방법.

제2항에 있어서,상기 금속은금(Au)인 것을 특징으로 하는 고해상도 레이저 유도 그래핀의 제조방법.

제2항에 있어서,상기 웨이퍼는SiO2/Si 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 고해상도 레이저 유도 그래핀의 제조방법.

제2항에 있어서,상기 a1) 단계는웨이퍼를 아세톤, 이소프로판올 및 탈이온수로 세정하는 것을 특징으로 하는 고해상도 레이저 유도 그래핀의 제조방법.

제2항에 있어서,상기 a3) 단계는상기 스핀 코팅한 웨이퍼에 330 내지 400 nm의 파장이고, 350 내지 450 mJ/cm2의 광량인 자외선(UV)으로 조사하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 고해상도 레이저 유도 그래핀의 제조방법.

제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 고해상도 레이저 유도 그래핀.