| 번호 | 청구항 |
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| 12 | 제11항에 있어서,상기 (d) 단계에서 상기 제거는 접착성 테이프를 접착한 후 상기 접착성 테이프를 떼어냄으로써 수행되는, 전자 디바이스의 제조 방법. |
| 13 | 제1항에 있어서,상기 전자 디바이스는 반도체 소자, 센서, 또는 열전 소자인, 전자 디바이스의 제조 방법. |
| 1 | (a) 소수성의 제2 고분자 박막 상에 제1 고분자 박막을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 고분자 박막을 레이저로 패터닝하는 단계로서, 목적하는 패턴 형상을 이루는 선 또는 면을 따라 레이저를 조사함으로써 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 제1 고분자 박막 상에 전도성 용액을 코팅하여 전도성 박막을 형성하는 단계;(d) 상기 패턴 형상에 의해 형성된 영역을 제외한 나머지 영역의 제1 고분자 박막 및 전도성 박막을 제거하는 단계를 포함하고,상기 (b) 단계와 (c) 단계 사이에, 상기 제1 고분자 박막을 UV-오존(O3) 처리하는 단계를 추가로 포함하며,상기 제2 고분자 박막은 상기 제1 고분자 박막에 비해 연질(soft)인, 전자 디바이스의 제조 방법. |
| 2 | 삭제 |
| 3 | 삭제 |
| 4 | 제1항에 있어서,상기 제1 고분자 박막은 폴리이미드(PI)계 박막이고 상기 제2 고분자 박막은 폴리실록산 수지계 박막인, 전자 디바이스의 제조 방법. |
| 5 | 제4항에 있어서,상기 제2 고분자 박막은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는, 전자 디바이스의 제조 방법. |
| 6 | 제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 상기 레이저는 1000 내지 1100 nm의 중앙 파장값을 가지고, 350 내지 400 fs 의 펄스 지속시간을 가지는 것인, 전자 디바이스의 제조 방법. |
| 7 | 삭제 |
| 8 | 제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서 전도성 용액은 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 딥 코팅, 블레이드 코팅, 바 코팅, 및 잉크젯 프린팅으로 이루어진 군에서 선택되는 용액 코팅 공정에 의해 코팅되는, 전자 디바이스의 제조 방법. |
| 9 | 제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서 상기 전도성 박막은 전도성 고분자, 금속, 세라믹, 전도성 탄소계 물질, 또는 반도체를 포함하는, 전자 디바이스의 제조 방법. |
| 10 | 제1항에 있어서,상기 (d) 단계에서 제1 고분자 박막은 제2 고분자 박막으로부터 박리되어 전도성 박막과 함께 제거되고 제2 고분자 박막은 잔류하는, 전자 디바이스의 제조 방법. |
| 11 | 제1항에 있어서,상기 (d) 단계에서 상기 제거는 박리(peel-off)에 의해 수행되는, 전자 디바이스의 제조 방법. |
