마이크로파 시스템의 도파관 내부에 배치되어, 마이크로파가 마그네트론으로부터 캐비티 방향으로의 단일 방향으로 조사되도록 하는 적어도 하나 이상의 물질로 이루어지는 절연체를 포함하고, 상기 절연체는, 서로 다른 굴절률을 가진 복수 개의 물질로 이루어지며, 굴절률이 작은 물질부터 큰 물질 순서로 상기 마그네트론으로부터 상기 캐비티 방향으로 배치되어, 상기 마이크로파가 상기 마그네트론으로부터 상기 캐비티로 조사되고, 상기 캐비티에서 상기 마그네트론으로 되돌아가는 반사파를 굴절 또는 전반사시켜 타겟 재료로 되돌아가도록 하며, 임계각보다 큰 입사각의 범위를 조절하기 위해 배열되는 물질의 굴절률의 크기, 개수 및 곡률의 크기 중 적어도 어느 하나 이상이 결정되고, 상기 마이크로파의 진행 방향에 수직으로 배치되며 단면을 곡면으로 구성하여 마이크로파의 굴절각을 조절하는 것을 특징으로 하는, 반사파 재순환 모듈.

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제1항에 있어서, 상기 절연체는, 테플론, 아크릴 및 폴리카보네이트 순서로 상기 마그네트론으로부터 상기 캐비티 방향으로 단계적 배열하여 상기 마그네트론으로부터 상기 캐비티로의 단일 방향으로 마이크로파를 조사하는 것을 특징으로 하는, 반사파 재순환 모듈.

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제1항에 있어서, 상기 절연체는, 마지막으로 배열된 물질과 공기가 접하는 단면은 전반사가 일어나도록 평면으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 반사파 재순환 모듈.

마이크로파 시스템의 도파관 내부에 적어도 하나 이상의 물질로 이루어지는 절연체가 배치되어, 마이크로파가 마그네트론으로부터 캐비티로 조사되는 단계; 및 상기 절연체에 의해 상기 캐비티에서 상기 마그네트론으로 되돌아가는 반사파를 굴절 또는 전반사시켜 타겟 재료로 되돌아가도록 하는 단계를 포함하고, 상기 절연체는, 상기 마이크로파가 상기 마그네트론으로부터 상기 캐비티 방향으로의 단일 방향으로 조사되도록 하되, 서로 다른 굴절률을 가진 복수 개의 물질로 이루어지며, 굴절률이 작은 물질부터 큰 물질 순서로 상기 마그네트론으로부터 상기 캐비티 방향으로 배치되어, 상기 마이크로파가 상기 마그네트론으로부터 상기 캐비티로 조사되고, 상기 캐비티에서 상기 마그네트론으로 되돌아가는 반사파를 굴절 또는 전반사시켜 타겟 재료로 되돌아가도록 하며, 임계각보다 큰 입사각의 범위를 조절하기 위해 배열되는 물질의 굴절률의 크기, 개수 및 곡률의 크기 중 적어도 어느 하나 이상이 결정되고, 상기 마이크로파의 진행 방향에 수직으로 배치되며 단면을 곡면으로 구성하여 마이크로파의 굴절각을 조절하는 것을 특징으로 하는, 반사파 재순환 모듈의 제조 방법.

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제7항에 있어서, 상기 절연체는, 마지막으로 배열된 물질과 공기가 접하는 단면은 전반사가 일어나도록 평면으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 반사파 재순환 모듈의 제조 방법.

마이크로파를 발생시키는 마그네트론; 내부의 타겟 재료에 상기 마이크로파가 조사되는 캐비티; 상기 마그네트론으로부터 상기 캐비티를 연결시켜, 상기 마그네트론으로부터 출력된 상기 마이크로파를 상기 캐비티로 전달하는 도파관; 및 상기 도파관 내부에 배치되어, 상기 마이크로파가 상기 마그네트론으로부터 상기 캐비티 방향으로의 단일 방향으로 조사되도록 하는 적어도 하나 이상의 물질로 이루어지는 절연체를 포함하는 반사파 재순환 모듈을 포함하고, 상기 절연체는, 서로 다른 굴절률을 가진 복수 개의 물질로 이루어지며, 굴절률이 작은 물질부터 큰 물질 순서로 상기 마그네트론으로부터 상기 캐비티 방향으로 배치되어, 상기 마이크로파가 상기 마그네트론으로부터 상기 캐비티로 조사되고, 상기 캐비티에서 상기 마그네트론으로 되돌아가는 반사파를 굴절 또는 전반사시켜 타겟 재료로 되돌아가도록 하며, 임계각보다 큰 입사각의 범위를 조절하기 위해 배열되는 물질의 굴절률의 크기, 개수 및 곡률의 크기 중 적어도 어느 하나 이상이 결정되고, 상기 마이크로파의 진행 방향에 수직으로 배치되며 단면을 곡면으로 구성하여 마이크로파의 굴절각을 조절하며, 아이솔레이터를 상기 반사파 재순환 모듈로 대체하는 것을 특징으로 하는, 마이크로파 시스템.

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