전자소자 상에 금속박막층을 형성하는 단계;상기 금속박막층이 형성된 전자소자와 접착층을 이용하여 투명 기판을 부착하는 단계;상기 투명 기판을 향하여 레이저를 조사하는 단계; 및상기 금속박막층이 나노파티클을 형성하여 상기 전자소자를 분리하는 단계;를 포함하고,상기 금속박막층은, 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu), 철(Fe), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg) 및 니켈 초합금(Ni supper alloy) 중 선택된 어느 하나를 포함하는, 금속박막층의 응집을 기반으로 한 전자소자의 전사방법.

제1항에 있어서,상기 금속박막층이 나노파티클을 형성하여 상기 전자소자를 분리하는 단계는,조사된 레이저와의 반응에 의해 상기 금속박막층이 융해와 응고되면서 상기 나노파티클을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속박막층의 응집을 기반으로 한 전자소자의 전사방법.

제2항에 있어서,상기 금속박막층은,일방향으로 돌출된 돌기 형상으로 상기 나노파티클을 형성하며, 상기 전자소자와의 접촉면적이 감소되는 것을 특징으로 하는 전 금속박막층의 응집을 기반으로 한 전자소자의 전사방법.

제2항에 있어서,상기 금속박막층은,일방향으로 돌출된 돌기 형상으로 상기 나노파티클을 형성하며, 상기 투명기판과의 접촉면적이 감소되는 것을 특징으로 하는 금속박막층의 응집을 기반으로 한 전자소자의 전사방법.

제4항에 있어서,상기 금속박막층이 나노파티클을 형성하여 상기 전자소자를 분리하는 단계; 이후에,상기 분리된 전자소자에서 상기 나노파티클을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속박막층의 응집을 기반으로 한 전자소자의 전사방법.

제1항에 있어서,상기 접착층은, 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속박막층의 응집을 기반으로 한 전자소자의 전사방법.

제1항에 있어서,상기 분리된 전자소자를 타겟 기판으로 전사하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속박막층의 응집을 기반으로 한 전자소자의 전사방법.

제1항에 있어서,상기 전자소자는 마이크로 LED, 박막 트랜지스터, 배터리 및 메모리 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속박막층의 응집을 기반으로 한 전자소자의 전사방법.

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