| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 실리콘 폐미분을 소결하여 실리콘을 제조하는 단계; 및 상기 소결된 실리콘을 아크 플라즈마 처리하여, 정련하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 폐미분을 이용한 폴리실리콘 제조방법. |
| 2 | 제 1항에 있어서, 상기 방법은 실리콘 폐미분을 소결하여 실리콘을 제조하는 단계 전, 상기 실리콘 폐미분을 산 용액으로 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 폐미분을 이용한 폴리실리콘 제조방법. |
| 3 | 제 1항에 있어서, 실리콘 폐미분을 소결하여 실리콘을 제조하는 단계는 가압 조건에서 섭씨 900도의 온도 조건에서 진행되는 것을 특징으로 하는, 실리콘 폐미분을 이용한 폴리실리콘 제조방법. |
| 4 | 제 3항에 있어서, 실리콘 폐미분을 소결하여 실리콘을 제조하는 단계는 온도를 분당 섭씨 60 내지 80도씩 승온시키는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는, 실리콘 폐미분을 이용한 폴리실리콘 제조방법. |
| 5 | 제 3항에 있어서, 상기 가압조건은 50 내지 80MPa 범위인 것을 특징으로 하는, 실리콘 폐미분을 이용한 폴리실리콘 제조방법. |
| 6 | 제 2항에 있어서, 상기 산 용액은 염산이며, 상기 염산의 농도는 0.3 내지 0.5 N인 것을 특징으로 하는, 실리콘 폐미분을 이용한 폴리실리콘 제조방법. |
| 7 | 제 1항에 있어서, 아크 플라즈마 처리는 2분 내지 3분의 시간 범위로 진행되는 것을 특징으로 하는, 실리콘 폐미분을 이용한 폴리실리콘 제조방법. |
| 8 | 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 폴리실리콘. |