방향 탐지를 위한 다중 포트 안테나 및 이의 제조 방법
MULTI PORT ANTENNA FOR DIRECTION FINDING AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
특허 요약
단일 방사체 멀티 포트(Single Radiator Multi Port) 안테나는, 기판, 상기 기판상에 형성되는 방사체, 상기 방사체에 연결되며, 상기 방사체에 전류를 공급하는 급전점(feed point)의 역할을 하는 3개 이상의 포트들 및 상기 기판 또는 상기 포트들 중 적어도 하나 이상에 형성되는 복수의 비아(via)들을 포함하며, 상기 복수의 비아들은 상기 방사체와 일정한 간격을 두고 형성되는 제1 비아와, 상기 포트들상에 형성되는 제2 비아 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
청구항
번호청구항
1

단일 방사체 멀티 포트(Single Radiator Multi Port) 안테나에 있어서,유전체 재질의 기판;상기 기판상에 형성되는 방사체;상기 방사체에 전류를 공급하는 급전점(feed point)의 역할을 하는 3개 이상의 포트들; 및상기 기판 또는 상기 포트들 중 적어도 하나 이상에 형성되는 복수의 비아(via)들을 포함하며,상기 복수의 비아들은 상기 방사체와 일정한 간격을 두고 형성되는 제1 비아와, 상기 포트들상에 형성되는 제2 비아 중 적어도 하나를 포함하는, 안테나.

2

제1항에 있어서,상기 포트들은 CPW(Coplanar Waveguide) 구조로 형성되며,상기 포트들은,전류를 전송하기 위한 중앙 스트립; 및상기 중앙 스트립의 양 옆에 일정 간격을 두고 위치하는 CPW 그라운드들을 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나.

3

제2항에 있어서,상기 제2 비아는 상기 CPW 그라운드들 상에 형성되며, 상기 중앙 스트립과 평행한 방향으로 복수 개가 배열되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 안테나.

4

제1항에 있어서,상기 제1 비아는 상기 방사체의 테두리를 따라서, 상기 방사체의 테두리와 미리 설정된 일정 간격을 두고 복수 개가 배열되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 안테나.

5

제1항에 있어서,상기 방사체의 테두리의 곡률은, 상기 방사체의 테두리로부터 상기 방사체의 중심까지의 거리 중 최단 거리에 따라 결정되는 2차 함수로 표현되는 것을 특징으로 하는 안테나.

6

제1항에 있어서,상기 방사체에 형성되는 슬롯(slot)을 더 포함하며,상기 슬롯은 상기 방사체의 중심으로부터 상기 방사체의 테두리를 향하는 방향으로 형성되고,상기 슬롯은 상기 방사체의 중심으로부터 상기 포트들 중 이웃한 두 포트들 사이의 중심점을 향해 연장되도록 형성되며,상기 슬롯은 회전 대칭(rotational symmetric)의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 안테나.

7

제1항에 있어서,상기 포트들은 상기 방사체의 테두리에 연결되며,상기 포트들은 서로 일정한 간격을 두고, 회전 대칭의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 안테나.

8

단일 방사체 멀티 포트(Single Radiator Multi Port) 안테나의 제조 방법에 있어서,유전체 재질의 기판을 형성하는 단계;상기 기판상에 금속성 재질의 방사체를 형성하는 단계;상기 방사체에 전류를 공급하는 급전점(feed point) 역할을 하는 3개 이상의 포트들을 형성하는 단계; 및상기 기판 또는 상기 포트들 중 적어도 하나 이상에 복수의 비아(via)들을 형성하는 단계를 포함하며,상기 복수의 비아들은 상기 방사체와 일정한 간격을 두고 형성되는 제1 비아와, 상기 포트들상에 형성되는 제2 비아 중 적어도 하나를 포함하는, 방법.

9

제8항에 있어서,상기 포트들은 CPW(Coplanar Waveguide) 구조로 형성되며,상기 포트들을 형성하는 단계는,전류를 전송하기 위한 중앙 스트립을 형성하는 단계; 및상기 중앙 스트립의 양 옆에 일정한 간격을 두고 CPW 그라운드들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.

10

제9항에 있어서,상기 복수의 비아들을 형성하는 단계는,상기 CPW 그라운드들상에, 상기 중앙 스트립과 평행한 방향으로 복수 개가 배열되도록 상기 제2 비아를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.

11

제8항에 있어서,상기 복수의 비아들을 형성하는 단계는,상기 방사체의 테두리를 따라서, 상기 방사체의 테두리와 미리 설정된 일정 간격을 두고 복수 개가 배열되도록 상기 제1 비아를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.

12

제8항에 있어서,상기 방사체를 형성하는 단계는,상기 방사체의 테두리의 곡률은, 상기 방사체의 테두리로부터 상기 방사체의 중심까지의 거리 중 최단 거리에 따라 결정되는 2차 함수로 표현되는 것을 특징으로 하는 방법.

13

제8항에 있어서,상기 방사체에 슬롯(slot)을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 슬롯은 상기 방사체의 중심으로부터 상기 방사체의 테두리를 향하는 방향으로 형성되고,상기 슬롯은 상기 방사체의 중심으로부터 상기 포트들 중 이웃한 두 포트들 사이의 중심점을 향해 연장되도록 형성되며,상기 슬롯은 회전 대칭(rotational symmetric)의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.

14

제8항에 있어서,상기 포트들은 상기 방사체의 테두리에 연결되며,상기 포트들은 서로 일정한 간격을 두고, 회전 대칭의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.