| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 단일 방사체 멀티 포트(Single Radiator Multi Port) 안테나에 있어서,유전체 재질의 기판;상기 기판상에 형성되는 방사체;상기 방사체에 전류를 공급하는 급전점(feed point)의 역할을 하는 3개 이상의 포트들; 및상기 기판 또는 상기 포트들 중 적어도 하나 이상에 형성되는 복수의 비아(via)들을 포함하며,상기 복수의 비아들은 상기 방사체와 일정한 간격을 두고 형성되는 제1 비아와, 상기 포트들상에 형성되는 제2 비아 중 적어도 하나를 포함하는, 안테나. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 포트들은 CPW(Coplanar Waveguide) 구조로 형성되며,상기 포트들은,전류를 전송하기 위한 중앙 스트립; 및상기 중앙 스트립의 양 옆에 일정 간격을 두고 위치하는 CPW 그라운드들을 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나. |
| 3 | 제2항에 있어서,상기 제2 비아는 상기 CPW 그라운드들 상에 형성되며, 상기 중앙 스트립과 평행한 방향으로 복수 개가 배열되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 안테나. |
| 4 | 제1항에 있어서,상기 제1 비아는 상기 방사체의 테두리를 따라서, 상기 방사체의 테두리와 미리 설정된 일정 간격을 두고 복수 개가 배열되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 안테나. |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 방사체의 테두리의 곡률은, 상기 방사체의 테두리로부터 상기 방사체의 중심까지의 거리 중 최단 거리에 따라 결정되는 2차 함수로 표현되는 것을 특징으로 하는 안테나. |
| 6 | 제1항에 있어서,상기 방사체에 형성되는 슬롯(slot)을 더 포함하며,상기 슬롯은 상기 방사체의 중심으로부터 상기 방사체의 테두리를 향하는 방향으로 형성되고,상기 슬롯은 상기 방사체의 중심으로부터 상기 포트들 중 이웃한 두 포트들 사이의 중심점을 향해 연장되도록 형성되며,상기 슬롯은 회전 대칭(rotational symmetric)의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 안테나. |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 포트들은 상기 방사체의 테두리에 연결되며,상기 포트들은 서로 일정한 간격을 두고, 회전 대칭의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 안테나. |
| 8 | 단일 방사체 멀티 포트(Single Radiator Multi Port) 안테나의 제조 방법에 있어서,유전체 재질의 기판을 형성하는 단계;상기 기판상에 금속성 재질의 방사체를 형성하는 단계;상기 방사체에 전류를 공급하는 급전점(feed point) 역할을 하는 3개 이상의 포트들을 형성하는 단계; 및상기 기판 또는 상기 포트들 중 적어도 하나 이상에 복수의 비아(via)들을 형성하는 단계를 포함하며,상기 복수의 비아들은 상기 방사체와 일정한 간격을 두고 형성되는 제1 비아와, 상기 포트들상에 형성되는 제2 비아 중 적어도 하나를 포함하는, 방법. |
| 9 | 제8항에 있어서,상기 포트들은 CPW(Coplanar Waveguide) 구조로 형성되며,상기 포트들을 형성하는 단계는,전류를 전송하기 위한 중앙 스트립을 형성하는 단계; 및상기 중앙 스트립의 양 옆에 일정한 간격을 두고 CPW 그라운드들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. |
| 10 | 제9항에 있어서,상기 복수의 비아들을 형성하는 단계는,상기 CPW 그라운드들상에, 상기 중앙 스트립과 평행한 방향으로 복수 개가 배열되도록 상기 제2 비아를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법. |
| 11 | 제8항에 있어서,상기 복수의 비아들을 형성하는 단계는,상기 방사체의 테두리를 따라서, 상기 방사체의 테두리와 미리 설정된 일정 간격을 두고 복수 개가 배열되도록 상기 제1 비아를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법. |
| 12 | 제8항에 있어서,상기 방사체를 형성하는 단계는,상기 방사체의 테두리의 곡률은, 상기 방사체의 테두리로부터 상기 방사체의 중심까지의 거리 중 최단 거리에 따라 결정되는 2차 함수로 표현되는 것을 특징으로 하는 방법. |
| 13 | 제8항에 있어서,상기 방사체에 슬롯(slot)을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 슬롯은 상기 방사체의 중심으로부터 상기 방사체의 테두리를 향하는 방향으로 형성되고,상기 슬롯은 상기 방사체의 중심으로부터 상기 포트들 중 이웃한 두 포트들 사이의 중심점을 향해 연장되도록 형성되며,상기 슬롯은 회전 대칭(rotational symmetric)의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법. |
| 14 | 제8항에 있어서,상기 포트들은 상기 방사체의 테두리에 연결되며,상기 포트들은 서로 일정한 간격을 두고, 회전 대칭의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법. |