삭제

삭제

삭제

삭제

삭제

삭제

삭제

인공 장기 미세유체 칩 구조체의 제조 방법으로서,(a) 복수의 인서트 모듈 및 상기 복수의 인서트 모듈의 배치가 가능한 칩부를 준비하는 단계;(b) 상기 복수의 인서트 모듈 상기 칩부에 배치하여 모듈 결합 칩을 형성하는 단계; 및(c) 장기가 다중으로 모사된 인공 장기 미세유체 칩 구조체를 형성하도록 상기 모듈 결합 칩에 대해 공 배양을 진행하는 단계를 포함하되,상기 (a) 단계에서, 상기 복수의 인서트 모듈 중 제1 내지 제3 인서트 모듈 각각은 세포가 배양된 것이고,상기 인공 장기 미세유체 칩 구조체에서 상기 제1 인서트 모듈은 장을 모사하고, 상기 제2 인서트 모듈은 간을 모사하며, 상기 제3 인서트 모듈은 세뇨관을 모사하고, 상기 복수의 인서트 모듈 중 제4 인서트 모듈은 사구체를 모사하도록 제공되고,상기 인서트 모듈은,내측에 중공부가 형성되는 링; 및상기 링의 하측에 배치되는 다공성 멤브레인을 포함하고,상기 칩부는,제1 리저버;상기 링을 삽입 배치 가능하도록 상측이 개구된 상태로 하향 함몰 형성되는 복수의 챔버;제2 리저버;상기 제1 리저버와 상기 복수의 챔버와 상기 제2 리저버 사이에서 유체의 이동이 가능하도록 상기 제1 리저버와 상기 복수의 챔버와 상기 제2 리저버를 연결하는 제1 채널;상측이 개구된 상태로 하향 함몰 형성되는 배출구; 및상기 복수의 챔버 중 일부의 챔버와 상기 배출구 사이에서 유체의 이동이 가능하도록 상기 제1 채널보다 낮은 높이에서 상기 일부의 챔버와 상기 배출구를 연결하는 제2 채널을 포함하며,상기 복수의 챔버에는, 삽입되는 인서트 모듈의 링이 안착되는 안착면 및 상기 삽입되는 인서트 모듈의 링의 중공부와 통하는 바닥공간이 형성되고,상기 제1 채널은 상기 복수의 챔버 각각의 바닥공간에 대하여 연결되며,상기 복수의 챔버 중 상기 일부의 챔버는, 바닥공간의 하측에 형성되어 상기 바닥공간과 연통하는 연장공간을 더 포함하며,상기 제2 채널은 상기 일부의 챔버 각각의 연장공간에 대하여 연결되고,상기 칩부는 베이스판, 상기 베이스판 상에 배치되는 최하판, 상기 최하판 상에 배치되는 하판, 및 상기 하판 상에 배치되는 상판을 포함하고,상기 최하판에는, 상기 일부의 챔버의 연장공간에 대응하는 복수의 연장 홀, 상기 배출구의 최하부공간에 대응하는 최하부 홀, 및 상기 복수의 연장 홀과 상기 최하부 홀을 연결하는 상기 제2 채널에 대응하는 홈 또는 홀이 형성되고,상기 하판에는, 상기 제1 리저버의 하부공간에 대응하는 제1 하부 홀, 상기 복수의 챔버의 바닥공간에 대응하는 복수의 바닥 홀, 상기 제2 리저버의 하부공간에 대응하는 제2 하부 홀, 상기 제1 하부 홀과 상기 복수의 바닥 홀과 상기 제2 하부 홀을 연결하는 제1 채널에 대응하는 홈 또는 홀, 및 상기 배출구의 하부공간에 대응하는 제3 하부 홀이 형성되며,상기 상판에는, 상기 제1 리저버의 상부공간에 대응하여 상기 제1 하부 홀과 통하는 제1 상부 홀, 상기 복수의 챔버와 대응하는 복수의 삽입 홀, 상기 제2 리저버의 상부공간에 대응하여 상기 제2 하부 홀과 통하는 제2 상부 홀, 및 상기 배출구의 상부공간에 대응하는 제3 상부 홀이 형성되고,상기 하판의 상기 바닥 홀을 감싸는 부분이 상기 안착면을 형성하도록, 상기 바닥 홀은 상기 삽입 홀보다 작은 직경을 가지며,상기 (a) 단계에서,상기 인서트 모듈은 세포가 상기 다공성 멤브레인 상에서 배양되는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체의 제조 방법.

삭제

삭제

제8항에 있어서,상기 복수의 챔버는 유체가 상기 복수의 챔버를 순차적으로 거치도록 형성되고,상기 (b) 단계에서,상기 제1 인서트 모듈은 상기 복수의 챔버 중 최일측에 위치하는 챔버에 배치되고, 상기 제3 인서트 모듈은 상기 복수의 챔버 중 최타측에 위치하는 챔버에 배치되며, 상기 제2 인서트 모듈은 상기 제1 인서트 모듈이 삽입된 챔버와 상기 제3 인서트 모듈이 삽입된 챔버 사이의 챔버에 배치되고, 상기 제4 인서트 모듈은, 상기 제2 인서트 모듈이 삽입된 챔버와 상기 제3 인서트 모듈이 삽입된 챔버 사이의 챔버에 배치되는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체의 제조 방법.

삭제

삭제

제8항에 있어서,상기 (b) 단계는,(b1) 상기 제3 인서트 모듈의 다공성 멤브레인을 세포 배양이 진행된 면이 하측을 향하며 상기 복수의 연장 홀 중 하나와 상기 하나의 연장 홀과 대응하는 상기 바닥 홀 사이에 위치하도록 상기 하판과 상기 최하판 사이에 배치하고, 상기 제4 인서트 모듈의 다공성 멤브레인을 상기 복수의 연장 홀 중 다른 하나와 상기 다른 하나의 연장 홀과 대응하는 상기 바닥 홀 사이에 위치하도록 상기 하판과 상기 최하판 사이에 배치하며, 상기 베이스판, 상기 최하판, 상기 하판 및 상기 상판을 조립하는 단계; 및(b2) 상기 제1 및 제2 인서트 모듈을 각각의 다공성 멤브레인의 세포 배양이 진행된 면이 상측을 향하도록 상기 챔버에 삽입 배치하는 단계를 포함하는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체의 제조 방법.

제14항에 있어서,상기 제4 인서트 모듈의 다공성 멤브레인은 필터 역할을 하도록 제공되는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체의 제조 방법.

제14항에 있어서,상기 (b1) 단계는, 상기 제4 인서트 모듈의 다공성 멤브레인의 상면에 세포 배양을 진행하는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체의 제조 방법.

제8항에 있어서,상기 제1 인서트 모듈의 멤브레인에는 장을 구성하는 복수의 세포 중 하나 이상의 세포가 배양되고,상기 제2 인서트 모듈의 멤브레인에는 간을 구성하는 복수의 세포 중 하나 이상의 세포가 배양되며,상기 제3 인서트 모듈의 멤브레인에는 신장을 구성하는 복수의 세포 중 하나 이상의 세포가 배양되는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체의 제조 방법.

제16항에 있어서,상기 제4 인서트 모듈의 멤브레인에는 사구체 유래 세포가 배양되는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체의 제조 방법.

인공 장기 미세유체 칩 구조체의 제조 방법으로서,(a) 복수의 인서트 모듈 및상기 복수의 인서트 모듈의 배치가 가능한 칩부를 준비하는 단계;(b) 상기 복수의 인서트 모듈 상기 칩부에 배치하여 모듈 결합 칩을 형성하는 단계; 및(c) 장기가 다중으로 모사된 인공 장기 미세유체 칩 구조체를 형성하도록 상기 모듈 결합 칩에 대해 공 배양을 진행하는 단계를 포함하되,상기 (a) 단계에서, 상기 복수의 인서트 모듈 중 제1 내지 제3 인서트 모듈 각각은 세포가 배양된 것이고,상기 인공 장기 미세유체 칩 구조체에서 상기 제1 인서트 모듈은 장을 모사하고, 상기 제2 인서트 모듈은 간을 모사하며, 상기 제3 인서트 모듈은 세뇨관을 모사하고, 상기 복수의 인서트 모듈 중 제4 인서트 모듈은 사구체를 모사하도록 제공되고,상기 인서트 모듈은,내측에 중공부가 형성되는 링; 및상기 링의 하측에 배치되는 다공성 멤브레인을 포함하고,상기 (a) 단계에서,상기 인서트 모듈은 세포가 상기 다공성 멤브레인 상에서 배양되고,상기 칩부는,제1 리저버;상기 링을 삽입 배치 가능하도록 상측이 개구된 상태로 하향 함몰 형성되는 복수의 챔버;제2 리저버;상기 제1 리저버와 상기 복수의 챔버 중 상기 제2 내지 제4 인서트 모듈이 배치되는 챔버와 상기 제2 리저버 사이에서 유체의 이동이 가능하도록, 상기 제1 리저버와 상기 제2 내지 제4 인서트 모듈이 배치되는 챔버와 상기 제2 리저버를 연결하는 제1 채널;상측이 개구된 상태로 하향 함몰 형성되는 배출구;상기 복수의 챔버 중 상기 제3 및 제4 인서트 모듈이 배치되는 챔버와 상기 배출구 사이에서 유체의 이동이 가능하도록, 상기 제1 채널보다 낮은 높이에서 상기 제3 및 제4 인서트 모듈이 배치되는 챔버와 배출구를 연결하는 제2 채널; 및상기 복수의 챔버 중 상기 제1 인서트 모듈이 배치되는 챔버와 상기 제2 인서트 모듈이 배치되는 챔버 사이에서 유체의 이동이 가능하도록, 상기 제1 인서트 모듈이 배치되는 챔버와 상기 제2 인서트 모듈이 배치되는 챔버를 연결하는 제3 채널을 포함하는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체의 제조 방법.

제19항에 있어서,상기 제1 채널은 혈관을 모사하고,상기 제2 채널은 수뇨관을 모사하며,상기 제3 채널은 간문맥을 모사하는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체의 제조 방법.

삭제

삭제

삭제

삭제

삭제

삭제

삭제

인공 장기 미세유체 칩 구조체로서,복수의 인서트 모듈;상기 복수의 인서트 모듈의 배치가 가능한 칩부를 포함하되,상기 복수의 인서트 모듈 중 제1 내지 제3 인서트 모듈 각각은 세포가 배양된 것이고,상기 칩부에 상기 복수의 인서트 모듈을 배치하여 모듈 결합 칩을 형성하며,장기가 다중으로 모사된 인공 장기 미세유체 칩 구조체를 형성하도록 상기 모듈 결합 칩에 대해 공 배양을 진행하여 인공 장기 미세유체 칩 구조체가 형성되고,상기 인공 장기 미세유체 칩 구조체에서 상기 제1 인서트 모듈은 장을 모사하고, 상기 제2 인서트 모듈은 간을 모사하며, 상기 제3 인서트 모듈은 세뇨관을 모사하고, 상기 복수의 인서트 모듈 중 제4 인서트 모듈은 사구체를 모사하도록 제공되고,상기 인서트 모듈은,내측에 중공부가 형성되는 링; 및상기 링의 하측에 배치되는 다공성 멤브레인을 포함하고,상기 인서트 모듈은 세포가 상기 다공성 멤브레인 상에서 배양되고,상기 칩부는,제1 리저버;상기 링을 삽입 배치 가능하도록 상측이 개구된 상태로 하향 함몰 형성되는 복수의 챔버;제2 리저버;상기 제1 리저버와 상기 복수의 챔버와 상기 제2 리저버 사이에서 유체의 이동이 가능하도록 상기 제1 리저버와 상기 복수의 챔버와 상기 제2 리저버를 연결하는 제1 채널;상측이 개구된 상태로 하향 함몰 형성되는 배출구; 및상기 복수의 챔버 중 일부의 챔버와 상기 배출구 사이에서 유체의 이동이 가능하도록 상기 제1 채널보다 낮은 높이에서 상기 일부의 챔버와 상기 배출구를 연결하는 제2 채널을 포함하며,상기 복수의 챔버에는, 삽입되는 인서트 모듈의 링이 안착되는 안착면 및 상기 삽입되는 인서트 모듈의 링의 중공부와 통하는 바닥공간이 형성되고,상기 제1 채널은 상기 복수의 챔버 각각의 바닥공간에 대하여 연결되며,상기 복수의 챔버 중 상기 일부의 챔버는, 바닥공간의 하측에 형성되어 상기 바닥공간과 연통하는 연장공간을 더 포함하며,상기 제2 채널은 상기 일부의 챔버 각각의 연장공간에 대하여 연결되고,상기 칩부는 베이스판, 상기 베이스판 상에 배치되는 최하판, 상기 최하판 상에 배치되는 하판, 및 상기 하판 상에 배치되는 상판을 포함하고,상기 최하판에는, 상기 일부의 챔버의 연장공간에 대응하는 복수의 연장 홀, 상기 배출구의 최하부공간에 대응하는 최하부 홀, 및 상기 복수의 연장 홀과 상기 최하부 홀을 연결하는 상기 제2 채널에 대응하는 홈 또는 홀이 형성되고,상기 하판에는, 상기 제1 리저버의 하부공간에 대응하는 제1 하부 홀, 상기 복수의 챔버의 바닥공간에 대응하는 복수의 바닥 홀, 상기 제2 리저버의 하부공간에 대응하는 제2 하부 홀, 상기 제1 하부 홀과 상기 복수의 바닥 홀과 상기 제2 하부 홀을 연결하는 제1 채널에 대응하는 홈 또는 홀, 및 상기 배출구의 하부공간에 대응하는 제3 하부 홀이 형성되며,상기 상판에는, 상기 제1 리저버의 상부공간에 대응하여 상기 제1 하부 홀과 통하는 제1 상부 홀, 상기 복수의 챔버와 대응하는 복수의 삽입 홀, 상기 제2 리저버의 상부공간에 대응하여 상기 제2 하부 홀과 통하는 제2 상부 홀, 및 상기 배출구의 상부공간에 대응하는 제3 상부 홀이 형성되고,상기 하판의 상기 바닥 홀을 감싸는 부분이 상기 안착면을 형성하도록, 상기 바닥 홀은 상기 삽입 홀보다 작은 직경을 갖는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체.

삭제

삭제

제28항에 있어서,상기 복수의 챔버는 유체가 상기 복수의 챔버를 순차적으로 거치도록 형성되고,상기 제1 인서트 모듈은 상기 복수의 챔버 중 최일측에 위치하는 챔버에 배치되고, 상기 제3 인서트 모듈은 상기 복수의 챔버 중 최타측에 위치하는 챔버에 배치되며, 상기 제2 인서트 모듈은 상기 제1 인서트 모듈이 배치된 챔버와 상기 제3 인서트 모듈이 배치된 챔버 사이의 챔버에 배치되고, 상기 제4 인서트 모듈은, 상기 제2 인서트 모듈이 배치된 챔버와 상기 제3 인서트 모듈이 삽입된 챔버 사이의 챔버에 배치되는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체.

삭제

삭제

제28항에 있어서,상기 제3 인서트 모듈의 다공성 멤브레인을 세포 배양이 진행된 면이 하측을 향하며 상기 복수의 연장 홀 중 하나와 상기 하나의 연장 홀과 대응하는 상기 바닥 홀 사이에 위치하도록 상기 하판과 상기 최하판 사이에 배치하고, 상기 제4 인서트 모듈의 다공성 멤브레인을 상기 복수의 연장 홀 중 다른 하나와 상기 다른 하나의 연장 홀과 대응하는 상기 바닥 홀 사이에 위치하도록 상기 하판과 상기 최하판 사이에 배치되고,상기 제1 및 제2 인서트 모듈 각각은 각각의 다공성 멤브레인의 세포 배양이 진행된 면이 상측을 향하도록 상기 챔버에 삽입 배치되는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체.

제34항에 있어서,상기 제4 인서트 모듈의 다공성 멤브레인은 필터 역할을 하도록 제공되는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체.

제34항에 있어서,상기 제4 인서트 모듈은 상기 다공성 멤브레인의 상면에 세포가 배양되는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체.

제28항에 있어서,상기 제1 인서트 모듈의 멤브레인에는 장을 구성하는 복수의 세포 중 하나 이상의 세포가 배양되고,상기 제2 인서트 모듈의 멤브레인에는간을 구성하는 복수의 세포 중 하나 이상의 세포가 배양되며,상기 제3 인서트 모듈의 멤브레인에는 신장을 구성하는 복수의 세포 중 하나 이상의 세포가 배양되는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체.

제36항에 있어서,상기 제4 인서트 모듈의 멤브레인에는 사구체 유래 세포가 배양되는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체.

인공 장기 미세유체 칩 구조체로서,복수의 인서트 모듈;상기 복수의 인서트 모듈의 배치가 가능한 칩부를 포함하되,상기 복수의 인서트 모듈 중 제1 내지 제3 인서트 모듈 각각은 세포가 배양된 것이고,상기 칩부에 상기 복수의 인서트 모듈을 배치하여 모듈 결합 칩을 형성하며,장기가 다중으로 모사된 인공 장기 미세유체 칩 구조체를 형성하도록 상기 모듈 결합 칩에 대해 공 배양을 진행하여 인공 장기 미세유체 칩 구조체가 형성되고,상기 인공 장기 미세유체 칩 구조체에서 상기 제1 인서트 모듈은 장을 모사하고, 상기 제2 인서트 모듈은 간을 모사하며, 상기 제3 인서트 모듈은 세뇨관을 모사하고, 상기 복수의 인서트 모듈 중 제4 인서트 모듈은 사구체를 모사하도록 제공되고,상기 인서트 모듈은,내측에 중공부가 형성되는 링; 및상기 링의 하측에 배치되는 다공성 멤브레인을 포함하고,상기 인서트 모듈은 세포가 상기 다공성 멤브레인 상에서 배양되고,상기 칩부는,제1 리저버;상기 링을 삽입 배치 가능하도록 상측이 개구된 상태로 하향 함몰 형성되는 복수의 챔버;제2 리저버;상기 제1 리저버와 상기 복수의 챔버 중 상기 제2 내지 제4 인서트 모듈이 배치되는 챔버와 상기 제2 리저버 사이에서 유체의 이동이 가능하도록, 상기 제1 리저버와 상기 제2 내지 제4 인서트 모듈이 배치되는 챔버와 상기 제2 리저버를 연결하는 제1 채널;상측이 개구된 상태로 하향 함몰 형성되는 배출구;상기 복수의 챔버 중 상기 제3 및 제4 인서트 모듈이 배치되는 챔버와 상기 배출구 사이에서 유체의 이동이 가능하도록, 상기 제1 채널보다 낮은 높이에서 상기 제3 및 제4 인서트 모듈이 배치되는 챔버와 배출구를 연결하는 제2 채널; 및상기 복수의 챔버 중 상기 제1 인서트 모듈이 배치되는 챔버와 상기 제2 인서트 모듈이 배치되는 챔버 사이에서 유체의 이동이 가능하도록, 상기 제1 인서트 모듈이 배치되는 챔버와 상기 제2 인서트 모듈이 배치되는 챔버를 연결하는 제3 채널을 포함하는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체.

제39항에 있어서,상기 제1 채널은 혈관을 모사하고,상기 제2 채널은 수뇨관을 모사하며,상기 제3 채널은 간문맥을 모사하는 것인, 인공 장기 미세유체 칩 구조체.