기판의 일 면에 형성되는 제 1 패턴부 및 제 2 패턴부를 포함하며, 기판에 셀을 배양하여 셀의 임피던스 및 온도를 동시에 측정 가능한 셀 특성 측정 장치로서,상기 제 1 패턴부는, 지그 재그 형상으로 형성된 제 1 회로 패턴과, 제1 회로 패턴의 일단에 형성된 제 1 전극과, 제 1 회로 패턴의 타단에 형성된 제 2 전극을 각각 포함하고,상기 제 2 패턴부는, 제 1 회로 패턴과 상호 중첩 대응하도록 지그 재그 형상으로 형성되고 제 1 회로 패턴과 일정 간격 이격되도록 배치되는 제 2 회로 패턴과, 제 2 회로 패턴의 일단에 형성된 제 3 전극과, 제 2 회로 패턴의 타단에 형성된 제 4 전극을 각각 포함하며,셀의 임피던스를 측정하는 경우, 제 1 전극과 제 2 전극 중 적어도 하나의 전극과, 제 3 전극과 제 4 전극 중 적어도 하나의 전극이 임피던스 측정 장치에 연결되어, 셀의 배양 상태에 따라 가변되는 제 1 회로 패턴과 제 2 회로 패턴 사이의 임피던스를 측정하고,셀의 온도를 측정하는 경우, 제 1 전극과 제 2 전극, 또는 제 3 전극과 제 4 전극이 저항 측정 장치에 연결되어, 셀의 배양 상태에 따라 가변되는 제 1 회로 패턴 또는 제 2 회로 패턴의 저항을 측정하되, 측정된 저항값과 하기 식을 이용하여 셀의 온도를 측정하는 것을 특징으로 하는 셀 특성 측정 장치.(식)[단, R(T)는 온도 T에서의 저항값, Ro는 To에서의 저항값, TCR은 온도 1도 변화에 따른 저항의 변화값, To는 기준 온도]

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제1항에 있어서,상기 제 1 패턴부 및 제 2 패턴부는 백금층으로 형성되며, 상기 백금층은 상기 기판과 접착층을 통해 접착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 셀 특성 측정 장치.

제5항에 있어서,상기 접착층은, 크롬 또는 질화티타늄(TiN)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 셀 특성 측정 장치.

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제1항, 제5항 및 제6항 중 어느 한 항에 따른 셀 특성 측정 장치의 제조 방법으로서,a) 일정한 패턴이 형성된 섀도 마스크를 기판에 적층하는 단계;b) 상기 섀도 마스크의 패턴 내부에 기판 제조 장치를 이용하여 접착층 및 백금층을 증착하는 단계; 및c) 상기 섀도 마스크 및 기판을 제거하는 단계;를 포함하는 셀 특성 측정 장치의 제조 방법.

제9항에 있어서,상기 패턴은, 양 단에 각각의 전극 및, 상기 전극들을 연결하는 제 1 회로 패턴을 가지며, 상기 제 1 회로 패턴은, 양 단에 각각 상기 전극들로부터 동일 방향으로 형성되는 볼록 패턴 및 상기 볼록 패턴들 사이에 오목 패턴이 형성되는 제 1 패턴; 및 양 단에 각각의 전극 및, 상기 전극들을 연결하는 제 2 회로 패턴을 가지며, 상기 제 2 회로 패턴은, 상기 제 1 회로 패턴 방향으로 형성되는 하나의 볼록 패턴을 가지며, 상기 제 1 패턴의 오목 패턴에 기 설정된 간격만큼 이격되도록 삽입되는 제 2 패턴;으로 형성되는 것을 특징으로 하는 셀 특성 측정 장치의 제조 방법.

제9항에 있어서,상기 접착층은, 상기 기판과 상기 백금층을 접착하기 위해 적층되며, 접착력이 높고 반응성이 낮은 물질인 크롬층 또는 질화티타늄(TiN)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 셀 특성 측정 장치의 제조 방법.

제11항에 있어서,상기 단계 b)는, 박막증착, 포토 리지스터 및 노광 장비를 활용하는 리프트-오프 공정, CVD, ALD, 졸-겔 법, 스핀 코팅 중 어느 하나를 이용하여 상기 접착층 및 백금층을 상기 기판에 증착시키는 것을 특징으로 하는 셀 특성 측정 장치의 제조 방법.

제12항에 있어서,상기 단계 c)는, 상기 제 1 패턴 및 제 2 패턴의 서로 다른 4개의 전극에서 각각 연장된 전극 패드를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 셀 특성 측정 장치의 제조 방법.