전자빔 펄스를 이용한 발수성 스텐트의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 발수성 스텐트
Method of manufacturing hydrophobic stent using electron beam pulse and hydrophobic stent manufactured by the method
특허 요약
스텐트에 전자빔 펄스를 조사하여 스텐트 표면을 발수성으로 개질하는 발수성 스텐트 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 발수성 스텐트 제조 방법은 (a) 스텐트를 준비하는 단계; 및 상기 스텐트에 전자빔 펄스를 복수회 반복하여 인가하는 전자빔 처리에 의해 상기 스텐트의 표면을 발수성으로 개질하는 단계;를 포함한다.
청구항
번호청구항
1

체내 이식을 위한 스텐트를 제조하는 발수성 스텐트 제조 방법으로서,(a) CoCr을 포함하는 금속 스텐트를 준비하는 단계; 및(b) 상기 스텐트에 전자빔 펄스를 복수회 반복하여 인가하는 전자빔 처리에 의해 상기 스텐트의 표면에 형성된 Cr(OH)3를 Cr2O3로 변화시켜 상기 스텐트의 표면을 발수성으로 개질하는 단계를 포함하고,상기 (b) 단계는:(b1) 전자빔 펄스 인가 장치에 의해 상기 스텐트에 전자빔 펄스를 설정된 펄스 인가 시간 동안 인가하는 단계; 및(b2) 상기 전자빔 펄스가 인가된 후, 상기 스텐트의 표면이 냉각되도록 설정된 휴지 시간 동안 휴지하는 단계;를 포함하되,상기 (b1) 단계 및 상기 (b2) 단계를 순차적으로 복수회 반복하여 상기 스텐트의 표면을 개질하고,상기 펄스 인가 시간은 1μsec 내지 3μsec 내에서 설정되고, 상기 휴지 시간은 3초 내지 7초 내에서 설정되는, 발수성 스텐트 제조방법.

2

삭제

3

제1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 전자빔 펄스를 3회 내지 5회 반복하여 상기 스텐트의 표면을 개질하는 발수성 스텐트 제조방법.

4

삭제

5

제1 항에 있어서, 상기 휴지 시간은 상기 펄스 인가 시간의 1106배 내지 7106배로 설정되는 발수성 스텐트 제조방법.

6

제1 항에 있어서,상기 (b) 단계는 산소 분위기의 플라즈마에 의해 상기 전자빔 펄스를 인가하는 발수성 스텐트 제조방법.

7

제1 항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 캐소드 전압을 20 kV 내지 30 kV로 설정하고, 어노드 전압을 3 kV 내지 5 kV로 설정하고, 솔레노이드 전압을 1 kV 내지 1.5 kV로 설정하고, 전자빔 펄스건과 상기 스텐트 간의 거리를 20 mm 내지 40 mm로 설정하여 상기 전자빔 펄스를 인가하는 발수성 스텐트 제조방법.

8

제1 항에 있어서,상기 (b) 단계는:상기 스텐트를 폴리싱 처리하여 상기 스텐트의 표면 조도를 저하시키는 단계; 및상기 표면 조도가 저하된 스텐트에 상기 전자빔 펄스를 복수회 반복 인가하여 상기 스텐트의 표면을 발수성으로 개질하는 단계;를 포함하는 발수성 스텐트 제조방법.

9

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10

제1 항, 제3 항, 제5 항 내지 제8 항 중 어느 한 항의 발수성 스텐트 제조방법에 의해 제조되는 발수성 스텐트로서,체내 이식을 위한 스텐트 본체; 및상기 스텐트 본체의 표면에 복수회의 전자빔 펄스에 의해 형성되는 산화층;을 포함하고,물에 대한 접촉각이 120° 내지 150°인 발수성 스텐트.

11

제10 항에 있어서, 상기 스텐트 본체는 CoCr을 포함하는 금속 스텐트이고, 상기 산화층은 Cr2O3을 포함하고, 상기 산화층은 상기 스텐트 본체의 내부가 산화되지 않도록 하는 보호층 역할을 하는 발수성 스텐트.