신축성 회로 기판의 제조방법에 있어서, (a) 웨이퍼의 표면에 제1 폴리머 층을 형성하는 단계; (b) 상기 제1 폴리머 층의 표면에 금속막을 코팅하여 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 패턴에 액체 금속을 도금하는 단계; 및 (d) 상기 웨이퍼를 제거하는 단계를 포함하고,상기 (c)단계는 흡착되는 표면의 소재에 따라 습윤성을 달리하는 액체 금속의 성질을 이용하여 도금하는 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판의 제조방법.

제 1 항에 있어서,상기 (a)단계는,상기 웨이퍼의 표면에 폴리다이메틸실록세인(PDMS)을 도포하여 제1 폴리머 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판의 제조방법.

제 1 항에 있어서,상기 (b)단계는,상기 제1 폴리머 층의 표면에 금(Au), 크롬(Cr), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 백금(Pt), 아연(Zn), 니켈(Ni), 주석(Sn), 철(Fe) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 금속을 코팅하는 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판의 제조방법.

제 1 항에 있어서,상기 (c)단계는,상기 패턴에 갈륨, 인듐 및 주석으로 이루어진 액체 금속을 도금하는 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판의 제조방법.

제 1 항에 있어서,상기 (c)단계는,산(acid) 용액의 증기로 상기 액체 금속을 환원시키는 산화막 제거 단계; 및상기 산화막 제거 단계 이후, 환원된 액체 금속을 상기 패턴에 도금하는 단계를 포함하고, 상기 환원된 액체 금속은 폴리머 소재보다 금속 소재의 표면에서 습윤성이 높은 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판의 제조방법.

제 5 항에 있어서,상기 산화막 제거 단계는,염산(HCl), 불산(HF), 질산(HNO3) 및 황산(H2SO4) 중 어느 한 용액의 증기로 상기 액체 금속을 환원시키는 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판의 제조방법.

제 6 항에 있어서,상기 산화막 제거 단계는,15 wt.% 내지 40 wt.%의 농도 범위를 갖는 산(acid) 용액의 증기를 이용하여 상기 액체 금속을 환원시키는 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판의 제조방법.

제 1 항에 있어서, 상기 (c)단계는, 패턴이 형성된 금속막과 패턴이 형성되지 않은 폴리머의 표면상에 액적(droplet) 형태의 상기 액체 금속을 롤링(rolling)하여 도금시키는 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판의 제조방법.

제 8 항에 있어서,상기 (c)단계는,5초 내지 30초 동안 상기 액체 금속을 롤링하는 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판의 제조방법.

제 1 항에 있어서,상기 (b)단계는,상기 제1 폴리머 층의 표면에 금속막을 코팅하는 코팅 단계; 및상기 코팅 단계 이후, 상기 금속막을 식각하여 양각의 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판의 제조방법.

제 10 항에 있어서, 상기 코팅 단계는, 상기 제1 폴리머 층의 표면에 크롬(Cr)을 코팅하여 크롬층을 형성하는 단계; 및 상기 크롬층 위에 금(Au)을 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판의 제조방법.

제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계 이후,도금된 상기 액체 금속의 표면위에 제2 폴리머 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판의 제조방법.

(a) 웨이퍼의 표면에 금속막을 코팅하여 패턴을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 패턴에 흡착되는 표면의 소재에 따라 습윤성을 달리하는 액체 금속을 도금하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판의 제조방법.

폴리머 재질의 기판;상기 기판의 표면에 회로도의 패턴으로 코팅된 금속막; 및외부에서 인가된 신호가 상기 패턴을 따라 통전되도록 상기 금속막의 표면에 도금된 액체 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판.

제 14 항에 있어서,상기 액체 금속은 갈린스탄(Galinstan)인 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판.

제 15 항에 있어서,상기 액체 금속은 표면에 생성된 산화막이 제거된 갈린스탄이고,상기 산화막이 제거된 갈린스탄은 폴리머 소재보다 금속 소재의 표면에서 습윤성이 높은 것을 특징으로 하는 신축성 회로 기판.