제1항에 있어서,수계 폴리머는 폴리아크릴산인 것인, 수계 이차전지용 음극.

제2항에 있어서,상기 폴리아크릴산의 분자량은 1,000 내지 500,000 g/mol인 것인, 수계 이차전지용 음극.

제1항에 있어서,상기 수계 폴리머 보호막의 두께는 50 내지 500 nm인 것인, 수계 이차전지용 음극.

(a) 아연 금속막을 준비하는 단계; 및(b) 아연 금속막의 적어도 일면에 수계 폴리머 보호막을 형성시키는 단계;를 포함하는 수계 이차전지용 음극 제조방법.

아연 금속막; 및상기 아연 금속막의 적어도 일면에 형성되는 수계 폴리머 보호막;을 포함하는 것인, 수계 이차전지용 음극.

제5항에 있어서,상기 단계 (a)는, 아연 금속막을 산소플라즈마 처리하여 표면처리된 아연 금속막을 준비하는 단계인 수계 이차전지용 음극 제조방법.

제5항에 있어서,상기 단계 (b)는, 스핀코팅(spin-coating)을 이용하여 상기 아연 금속막의 적어도 일면에 수계 폴리머 용액을 코팅하여 수계 폴리머 보호막을 형성시키는 단계인 수계 이차전지용 음극 제조방법.

제6항에 있어서,상기 스핀코팅은 2,000 내지 4,000rpm으로 수행되는 것인 수계 이차전지용 음극 제조방법.

제4항에 있어서,상기 수계 이차전지용 음극 제조방법은, (c) 아연 금속막의 적어도 일면에 형성된 수계 폴리머 보호막을 열처리 하는 단계;를 더 포함하는 것인 수계 이차전지용 음극 제조방법.

제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 수계 이차전지용 음극;양극;상기 음극과 양극 사이에 개재되는 분리막; 및 수계 전해질;을 포함하는 수계 이차전지.

제10항에 있어서,상기 수계 전해질은 황산아연(ZnSO4), 염화아연(Zn(Cl2) 및 아연트리플레이트(Zn(CF3SO3)2)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속염을 포함하는 것인 수계 이차전지.

제11항에 있어서,상기 수계 전해질은 상기 금속염의 몰농도가 1 내지 5M인 것인 수계 이차전지.

제10항에 있어서,상기 양극은 산화망간(MnO2), 산화바나듐(V2O5)과 리튬인산철(LiFePO4)을 포함하는 것인 수계 이차전지.