유해 시안화 이온 검출 화학센서 및 이의 제조방법
Chemical Sensor Compound Toward Hazardous Cyanide Ions And Its Preparation Method
특허 요약
본 발명은, 시안화물 검출용 화합물 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 하기의 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 이의 이성질체인 시안화물 검출용 화합물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. [화학식 1] (여기서, R 1 , R 3 , R 4 , n 및 q - 는 청구항 1항에 정의된 바와 같다.)
청구항
번호청구항
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제9항에 있어서,상기 용매는, 물, 디클로로메탄, 클로로포름, 아세토나이트릴, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드 및 에탄올 중 1종 이상인 것인, 조성물.

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제9항에 있어서,상기 검출용 화합물은, 1 X 10-5M(몰) 내지 1 X 10-2M(몰)의 농도로 포함하는 것인, 조성물.

1

하기의 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 이의 이성질체인, 시안화물 검출용 화합물:[화학식 1]여기서, R1은, 각각, 수소; 직쇄 또는 분지쇄, 단환식 또는 다환식 C1-C14알킬; 또는 직쇄 또는 분지쇄 C2-C14알케닐; 이고, n은 0 또는 1 내지 3의 정수이며, R3 및 R4는, 각각, 수소; 직쇄 또는 분지쇄 C1-C14알킬; 또는 직쇄 또는 분지쇄 C2-C14알케닐; 이고, q-는 R2-SO2-O-로 표시되는 술폰산 이온이며, R2는, 수소 중 적어도 하나가 F, Br, I, 또는 Cl로 치환 또는 비치환되고, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C14알킬; 직쇄 또는 분지쇄 C2-C14알케닐; 또는 C6-C10아릴; 이다.)

2

제1항에 있어서,상기 R1은, 각각, 수소; 또는 직쇄 C1-C4알킬; 이고, n은 0, 1 또는 2이며, 상기 R2는, 수소 중 적어도 하나가 F로 치환 또는 비치환되고, 직쇄 C1-C4알킬; 이고, 상기 R3 및 R4는, 각각, 수소; 또는 직쇄 C1-C4알킬; 인 것인, 시안화물 검출용 화합물.

3

제1항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은, 화학식 1a로 표시되는 이성질체로 전환되는 것인, 시안화물 검출용 화합물: [화학식 1] [화학식 1a](여기서, R1, R3, R4, n 및 q-는 제1항에 정의된 바와 같다.)

4

제1항에 있어서,상기 시안화물 검출용 화합물은, 하기의 화합물 (i) 내지 (vi)로 표시되는 화합물 또는 이의 이성질체인 것인, 시안화물 검출용 화합물:[화학식 i][화학식 ii][화학식 iii][화학식 iv][화학식 v][화학식 vi](여기서, q-는 CF3-SO2-O-이다.)

5

n-부틸알콜 및 하기의 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합하는 단계;상기 혼합하는 단계 이후에, 술폰산염(R2-SO3H)을 첨가하여 하기의 화학식 3으로 표시되는 피릴륨 화합물을 합성하는 단계; 및 상기 피릴륨 화합물, 산 무수물, 및 하기의 화학식 4로 표시되는 아마이드 화합물을 반응시켜 제1항의 화합물을 합성하는 단계;를 포함하는, 시안화물 검출용 화합물의 제조방법:[화학식 2][화학식 3][화학식 4] 여기서, R은, F, Cl, Br 또는 I이고, R1은, 각각, 수소; 직쇄 또는 분지쇄, 단환식 또는 다환식 C1-C14알킬; 또는 직쇄 또는 분지쇄 C2-C14알케닐; 이고, n은 0 또는 1 내지 3의 정수이며, R3 및 R4는, 각각, 수소; 직쇄 또는 분지쇄 C1-C14알킬; 또는 직쇄 또는 분지쇄 C2-C14알케닐; 이고q-는, R2-SO2-O-로 표시되는 술폰산 이온이며, R2는, 수소 중 적어도 하나가 F, Br, I, 또는 Cl로 치환 또는 비치환되고, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C14알킬; 직쇄 또는 분지쇄 C2-C14알케닐; 또는 C6-C10아릴; 이다.

6

제5항에 있어서,상기 R은, Cl이고,상기 R1은, 각각, 수소; 또는 직쇄 C1-C4알킬; 이고, n은 0 또는 1 내지 2이며, 상기 R2는, 수소 중 적어도 하나가 F로 치환 또는 비치환되고, 직쇄 C1-C4알킬; 이고, 상기 R3 및 R4는, 각각, 수소; 또는 직쇄 C1-C4알킬; 인 것인, 제조방법.

7

제5항에 있어서,상기 피릴륨 화합물을 합성하는 단계 및 상기 제1항의 화합물을 합성하는 단계는, 80 ℃ 내지 120 ℃온도에서 환류하는 것인, 제조방법.

8

제5항에 있어서,상기 산 무수물은, 아세트산 무수물(acetic anhydride), 헵탄산 무수물(heptanoic anhydride), 벤조산 무수물(Benzoic anhydride), 아세트산 벤조산 무수물(acetic benzoic anhydride) 및 비스(클로로아세트산) 무수물(bis(chloroacetic) anhydride) 중 1종 이상인 것인, 제조방법.

9

제1항의 시안화물 검출용 화합물; 및 용매를 포함하는, 시안화물 검출용 조성물.

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제1항의 시안화물 검출용 화합물, 또는 제9항의 시안화물 검출용 조성물에 분석 시료를 접촉시키는 단계; 및 상기 접촉시키는 단계 이후에, 상기 화합물 또는 조성물의 광학적 변화를 확인하는 단계;를 포함하는, 시안화물의 검출 방법.

13

제12항에 있어서,상기 확인하는 단계는, 상기 화합물 또는 조성물의, 색변화, 흡광도 변화 및 형광 강도 변화 중 적어도 어느 하나를 통하여 확인하는 것인, 검출 방법.

14

시안화물이 포함된 분석시료에 접촉된 제1항의 시안화물 검출용 화합물, 또는 제9항의 시안화물 검출용 조성물에 염산을 가하여 시안화물을 분리하는 단계를 포함하는, 시안화물 검출용 화합물의 재생 방법.

15

제1항의 시안화물 검출용 화합물, 또는 제9항의 시안화물 검출용 조성물을 포함하는, 시안화물 검출용 화학센서.

16

제1항의 시안화물 검출용 화합물, 또는 제9항의 시안화물 검출용 조성물을 포함하는, 시안화물 검출용 키트.

17

제16항에 있어서,상기 키트는, 흡광도, 형광 강도 측정기 또는 이 둘을 더 포함하는 것인, 키트.

18

제1항의 시안화물 검출용 화합물, 또는 제9항의 시안화물 검출용 조성물을 포함하는,방진복, 보호복, 방역복, 방제복, 장갑, 마스크, 또는 방독면인 것인, 제품.

19

제16항의 시안화물 검출용 키트를 포함하는,방진복, 보호복, 방역복, 방제복, 장갑, 마스크, 또는 방독면인 것인, 제품.

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