하기 화학식 1로 표시되는 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서,A는 , , , 및 의 실리콘원소를 포함한 아크릴계 모노머로 이루어진 군에서 선택되며,R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 수소, (C10C15)알킬 트리티오카보네이트((C10C15)alkyl trithiocarbonate), (C2C5)알킬 다이티오카보네이트((C2C5)alkyl dithiocarbonate), (C2C5)알킬 다이티오카바메이트((C2C5)alkyldithiocarbamate), (C2C5)알킬 다이티오에스터((C2C5)alkyl dithioester), α-브로모이소부티릴(α-bromoisobutyryl) 및 (C2C5)다이알킬 니트록실((C2C5)dialkyl nitroxyl)로 이루어진 군에서 선택되며,n은 3 내지 9의 정수이고, a, b, c 및 d는 각 단량체의 평균 몰(mole) 비를 나타낸 것으로서, a : b : c : d는 (1 ~ 1.5) : (0.05 ~ 0.5) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1)임.

제 1 항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:[화학식 1-1]상기 화학식 1-1에서,R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 수소, (C10C15)알킬 트리티오카보네이트((C10C15)alkyl trithiocarbonate), (C2C5)알킬 다이티오카보네이트((C2C5)alkyl dithiocarbonate), (C2C5)알킬 다이티오카바메이트((C2C5)alkyldithiocarbamate), (C2C5)알킬 다이티오에스터((C2C5)alkyl dithioester), α-브로모이소부티릴(α-bromoisobutyryl) 및 (C2C5)다이알킬 니트록실((C2C5)dialkyl nitroxyl)로 이루어진 군에서 선택되며,n은 3 내지 9의 정수이고, a, b, c 및 d는 각 단량체의 평균 몰(mole) 비를 나타낸 것으로서, a : b : c : d는 (1 ~ 1.5) : (0.05 ~ 0.5) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1)임.

제 1 항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-2로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:[화학식 1-2]상기 화학식 1-2에서,R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 수소, (C10C15)알킬 트리티오카보네이트((C10C15)alkyl trithiocarbonate), (C2C5)알킬 다이티오카보네이트((C2C5)alkyl dithiocarbonate), (C2C5)알킬 다이티오카바메이트((C2C5)alkyldithiocarbamate), (C2C5)알킬 다이티오에스터((C2C5)alkyl dithioester), α-브로모이소부티릴(α-bromoisobutyryl) 및 (C2C5)다이알킬 니트록실((C2C5)dialkyl nitroxyl)로 이루어진 군에서 선택되며,n은 3 내지 9의 정수이고, a, b, c 및 d는 각 단량체의 평균 몰(mole) 비를 나타낸 것으로서, a : b : c : d는 (1 ~ 1.5) : (0.05 ~ 0.5) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1)임.

하기 화학식 2로 표시되는 화합물:[화학식 2]상기 화학식 2에서,Y는 및 의 아크릴계 모노머로 이루어진 군에서 선택되며,A는 , , , 및 의 실리콘원소를 포함한 아크릴계모노머로 이루어진 군에서 선택되며,R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 수소, (C10C15)알킬 트리티오카보네이트((C10C15)alkyl trithiocarbonate), (C2C5)알킬 다이티오카보네이트((C2C5)alkyl dithiocarbonate), (C2C5)알킬 다이티오카바메이트((C2C5)alkyldithiocarbamate), (C2C5)알킬 다이티오에스터((C2C5)alkyl dithioester), α-브로모이소부티릴(α-bromoisobutyryl) 및 (C2C5)다이알킬 니트록실((C2C5)dialkyl nitroxyl)로 이루어진 군에서 선택되며,n은 3 내지 9의 정수이고, a, b, c, d 및 e는 각 단량체의 평균 몰(mole) 비를 나타낸 것으로서, a : b : c : d : e는 (1 ~ 1.5) : (0.05 ~ 0.5) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1)임.

제 4 항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:[화학식 2-1]상기 화학식 2-1에서, R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 수소, (C10C15)알킬 트리티오카보네이트((C10C15)alkyl trithiocarbonate), (C2C5)알킬 다이티오카보네이트((C2C5)alkyl dithiocarbonate), (C2C5)알킬 다이티오카바메이트((C2C5)alkyldithiocarbamate), (C2C5)알킬 다이티오에스터((C2C5)alkyl dithioester), α-브로모이소부티릴(α-bromoisobutyryl) 및 (C2C5)다이알킬 니트록실((C2C5)dialkyl nitroxyl)로 이루어진 군에서 선택되며,n은 3 내지 9의 정수이고, a, b, c, d 및 e는 각 단량체의 평균 몰(mole) 비를 나타낸 것으로서, a : b : c : d : e는 (1 ~ 1.5) : (0.05 ~ 0.5) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1)임.

제 4 항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-2로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:[화학식 2-2]상기 화학식 2-2에서, R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 수소, (C10C15)알킬 트리티오카보네이트((C10C15)alkyl trithiocarbonate), (C2C5)알킬 다이티오카보네이트((C2C5)alkyl dithiocarbonate), (C2C5)알킬 다이티오카바메이트((C2C5)alkyldithiocarbamate), (C2C5)알킬 다이티오에스터((C2C5)alkyl dithioester), α-브로모이소부티릴(α-bromoisobutyryl) 및 (C2C5)다이알킬 니트록실((C2C5)dialkyl nitroxyl)로 이루어진 군에서 선택되며,n은 3 내지 9의 정수이고, a, b, c, d 및 e는 각 단량체의 평균 몰(mole) 비를 나타낸 것으로서, a : b : c : d : e는 (1 ~ 1.5) : (0.05 ~ 0.5) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1)임.

제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물은 다분산지수(polydispersity index)가 1.1 내지 1.5인 것을 특징으로 하는 화합물.

청구항 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 고불소화 고분자 포토레지스트.

청구항 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 고불소화 고분자 포지티브형 포토레지스트.

청구항 제 9 항에 따른 포토레지스트를 고불소계 용제에 혼합한 감광재료 용액을 도포하여 기판에 감광재료 박막을 형성하는 제1 공정;상기 감광재료 박막이 형성된 기판을 열처리하여 남은 용제를 증발시켜 건조시키는 제2 공정;상기 건조된 감광재료 박막에 포토마스크를 밀착시킨 후 자외선을 이용하여 노광하는 제3 공정; 및상기 노광된 기판을 고불소계 현상액으로 세척하여 기판에 패턴을 형성하는 제4 공정;을 포함하는 포지티브형 패턴 형성방법

제 10 항에 있어서,상기 제 2 공정의 열처리는 60 내지 90℃에서 30초 내지 3분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 포지티브형 패턴 형성 방법.

투명 전극 상에 유기 반도체 박막을 증착한 후, 청구항 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 감광재료 용액을 도포하여 감광재료 박막을 형성하는 제1 공정; 상기 감광재료 박막이 형성된 전극을 열처리하여 남은 용제를 증발시켜 건조시키는 제2 공정;상기 건조된 감광재료 박막에 포토마스크를 밀착시킨 후 자외선을 이용하여 노광하는 제3 공정;상기 노광된 기판을 고불소계 현상액으로 세척하여 기판에 패턴을 형성하는 제4 공정; 및상기 형성된 패턴을 하부 유기 반도체 박막에 전사하기 위해 건식각을 진행하는 제5 공정;을 포함하는 유기전자소자 제조방법.

제 12 항에 있어서,상기 유기 반도체 박막은 정공주입층, 정공수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 전자 저지층, 발광층, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입충 및 전자 수송 기능과 전자 주입 기능을 동시에 갖는 기능층으로 이루어진 군에서 선택되어 1층 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자 제조방법.

제 12 항에 있어서,상기 제5 공정 이후에, 금속 전극을 진공 증착하고 마감하는 제6 공정을 더 포함하는 유기전자소자 제조방법.

제 12 항에 따른 제조방법으로 제조된 것인 유기전자소자.

제 15 항에 있어서,상기 유기전자소자는 유기발광다이오드, 유기박막트랜지스터, 유기발광트랜지스터, 및 유기태양전지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전자소자.