| 번호 | 청구항 |
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| 18 | 제 17항에 있어서,상기 유기전자소자는 유기발광다이오드, 유기박막트랜지스터, 유기발광트랜지스터, 및 유기태양전지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전자소자. |
| 1 | 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 수소, (C10 |
| 2 | 제 1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:[화학식 1-1]상기 화학식 1-1에서,n은 3 내지 9의 정수이고, a, b 및 c는 각 단량체의 평균 몰(mole) 비를 나타낸 것으로서, a : b : c는 (1 ~ 1.5) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1)임. |
| 3 | 하기 화학식 2로 표시되는 화합물:[화학식 2]상기 화학식 2에서,A는 이소보르닐 메타크릴레이트(isobornyl methacrylate), 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate), 노르보르닐 메타크릴레이트(norbornyl methacrylate), 테르트-부틸 메타크릴레이트(tert-butyl methacrylate) 및 아다만틸 메타크릴레이트(adamantyl methacrylate)로 이루어진 단량체 군에서 선택되어 아크릴레이트에 포함된 탄소-탄소 이중결합이 열리면서 형성된 공중합체 반복단위이며,R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 수소, (C10 |
| 4 | 하기 화학식 2-1로 표시되는 화합물:[화학식 2-1]상기 화학식 2-1에서,A는 이소보르닐 메타크릴레이트(isobornyl methacrylate), 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate), 노르보르닐 메타크릴레이트(norbornyl methacrylate), 테르트-부틸 메타크릴레이트(tert-butyl methacrylate) 및 아다만틸 메타크릴레이트(adamantyl methacrylate)로 이루어진 단량체 군에서 선택되어 아크릴레이트에 포함된 탄소-탄소 이중결합이 열리면서 형성된 공중합체 반복단위이며,n은 3 내지 9의 정수이고, a, b, c 및 d는 각 단량체의 평균 몰(mole) 비를 나타낸 것으로서, a : b : c : d는 (1 ~ 1.2) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1)임. |
| 5 | 제 3항에 있어서,화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-2로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:[화학식 2-2]상기 화학식 2-2에서,A는 이소보르닐 메타크릴레이트(isobornyl methacrylate), 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate), 노르보르닐 메타크릴레이트(norbornyl methacrylate), 테르트-부틸 메타크릴레이트(tert-butyl methacrylate) 및 아다만틸 메타크릴레이트(adamantyl methacrylate)로 이루어진 단량체 군에서 선택되어 아크릴레이트에 포함된 탄소-탄소 이중결합이 열리면서 형성된 공중합체 반복단위이며,n은 3 내지 9의 정수이고, a, b, c 및 d는 각 단량체의 평균 몰(mole) 비를 나타낸 것으로서, a : b : c : d는 (1 ~ 1.2) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1)임. |
| 6 | 제 1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 a로 표시되는 단량체와 하기 화학식 b로 표시되는 단량체 및 하기 화학식 c로 표시되는 단량체가 (1 ~ 1.5) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1)의 평균 몰비로 랜덤 공중합된 것을 특징으로 하는 화합물.[화학식 a]상기 화학식 a에서, n은 3 내지 9의 정수임.[화학식 b][화학식 c] |
| 7 | 제 3항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 a로 표시되는 단량체와 하기 화학식 b로 표시되는 단량체, 하기 화학식 c로 표시되는 단량체 및 이소보르닐 메타크릴레이트(isobornyl methacrylate), 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate), 노르보르닐 메타크릴레이트(norbornyl methacrylate), 테르트-부틸 메타크릴레이트(tert-butyl methacrylate) 및 아다만틸 메타크릴레이트(adamantyl methacrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 단량체가 (1 ~ 1.2) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1) : (0.1 ~ 1)의 평균 몰비로 랜덤 공중합된 것을 특징으로 하는 화합물.[화학식 a]상기 화학식 a에서, n은 3 내지 9의 정수임.[화학식 b][화학식 c] |
| 8 | 제 5항에 있어서,화학식 2-2로 표시되는 화합물은 다분산지수(polydispersity index)가 1.1 내지 1.5인 것을 특징으로 하는 화합물. |
| 9 | 청구항 제 1항, 제 3항 또는 제 4항에 따른 화합물을 포함하는 고불소화 고분자 포토레지스트. |
| 10 | 청구항 제 1항에 따른 화합물을 포함하는 고불소화 고분자 네거티브형 포토레지스트. |
| 11 | 청구항 제 3항 또는 제 4항에 따른 화합물을 포함하는 고불소화 고분자 포지티브형 포토레지스트. |
| 12 | 청구항 제 9항에 따른 포토레지스트를 고불소계 용제와 혼합한 후 기판에 도포하는 제 1공정;상기 기판을 열처리하여 포토레지스트 막을 형성하는 제 2공정;상기 포토레지스트 막에 마스크를 올리고, 노광하는 제 3공정; 및상기 포토레지스트 막을 현상액으로 현상하여 기판 상에 패턴을 형성하는 제 4공정; 을 포함하는 네거티브형 또는 포지티브형 패턴 형성 방법. |
| 13 | 제 12항에 있어서,상기 제 2 공정의 열처리는 60 내지 90℃에서 30초 내지 2분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 네거티브형 또는 포지티브형 패턴 형성 방법. |
| 14 | 투명 전극 상에 청구항 제 9항에 따른 포토레지스트를 고불소계 용제와 혼합한 후 전극에 도포하는 제 1공정;상기 포토레지스트를 고불소계 용제와 혼합한 용액이 도포된 전극을 노광한 후, 현상액으로 현상하여 네거티브형 또는 포지티브형 패턴을 투명 전극 상에 형성하는 제 2공정; 및상기 형성된 패턴 상에 유기물층을 진공 증착하는 제 3공정; 을 포함하는 유기전자소자 제조방법. |
| 15 | 제 14항에 있어서,상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 전자 저지층, 발광층, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송 기능과 전자 주입 기능을 동시에 갖는 기능층으로 이루어진 군에서 선택되어 1층 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자 제조방법. |
| 16 | 제 14항에 있어서,상기 유기전자소자 제조방법은 제 1공정 내지 제 3공정을 2 내지 4회 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자 제조방법. |
| 17 | 제 14항에 따른 제조방법으로 제조된 것인 유기전자소자. |