제1항에 있어서,상기 반도체성 물질의 함량은 반도체층 함량 대비 20 wt% 내지 100 wt%인 것을 특징으로 하는 신축성과 자가치유 특성을 가지는 반도체층.

제1항에 있어서,상기 신축성 자가치유 고분자는 전체 반도체층 함량 대비 33.3wt% 내지 500wt%인 것을 특징으로 하는 신축성과 자가치유 특성을 가지는 반도체층.

제1항에 있어서,상기 반도체성 물질과 신축성 자가치유 고분자 물질의 혼합 중량비는 1:1 내지 1:3 인 것을 특징으로 하는 신축성과 자가치유 특성을 가지는 반도체층.

제1항에 있어서,상기 신축성과 자가치유 특성을 가지는 반도체층의 신축률은 0% 초과 30% 이하인 것을 특징으로 하는 신축성과 자가치유 특성을 가지는 반도체층.

제1항에 있어서,상기 신축성 자가치유 고분자는 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane), 폴리우레탄(Polyurethane), 폴리우레아(Polyurea), 풀러린계고무(Fluoropolymer), 카르복사미드(Carboximide) 및 스티렌계 블록 공중합체(Styrene-butadiene-styrene, Styrene-ethylene-butadiene-styrene, Styrene-isoprene-styrene)로 구성된 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성과 자가치유 특성을 가지는 반도체층.

반도체성 물질; 및신축성 자가치유 고분자를 포함하되,상기 반도체성 물질과 신축성 자가치유 고분자는 수소 결합된 것을 특징으로 하는 신축성과 자가치유 특성을 가지는 반도체층.

제1항에 있어서,상기 신축성과 자가치유 특성을 가지는 반도체층은 절단 부위를 접촉하면 자가치유 되는 것을 특징으로 하는 신축성과 자가치유 특성을 가지는 반도체층.

제1항에 있어서,상기 반도체성 물질은 P형 반도체 고분자, N형 반도체 고분자 또는 반도체성 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성과 자가치유 특성을 가지는 반도체층.

제3항에 있어서,상기 P형 반도체 고분자는 DPP-DTT, P3HT, P3OT, P3DT, P3DDT, P4DBT, PBTTPD, PQT-12, PDPP3T, PBDTT, C8-BTBT, Ferrocene, Pentacene, P-29-DPPDTSE, PffBT4T-2DT, PTDPPTFT4, DPPT-TT 및 DPP-TVT로 구성된 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성과 자가치유 특성을 가지는 반도체층.

제3항에 있어서,상기 N형 반도체 고분자는 P(NDI2OD-T2), N2200, PDI8-CN2, FPTBBT, PC61BM 및 PTVPhI-Eh 로 구성된 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성과 자가치유 특성을 가지는 반도체층.

제3항에 있어서,상기 반도체성 화합물은 반도체성 단일벽 탄소나노튜브, 그래핀, 이황화 몰리브덴(MoS2) 및 흑린(BP)으로 구성된 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성과 자가치유 특성을 가지는 반도체층.

하부 기판;상기 하부 기판 상에 위치하는 소스 전극과 드레인 전극;상기 소스 전극과 드레인 전극 상에 위치하는 반도체층;상기 반도체층 상에 위치하는 절연층;상기 절연층 상에 위치하는 게이트 전극;및상기 게이트 전극 상에 위치하는 상부 기판을 포함하되,상기 게이트 전극, 절연층, 반도체층 및 소스 전극과 드레인 전극은 신축성 자가치유 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.

제12항에 있어서,상기 하부 기판은 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane), 폴리우레탄(Polyurethane), 폴리우레아(Polyurea), 풀러린계고무(Fluoropolymer), 카르복사미드(Carboximide) 및 스티렌계 블록 공중합체(Styrene-butadiene-styrene, Styrene-ethylene-butadiene-styrene, Styrene-isoprene-styrene)로 구성된 군에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.

제12항에 있어서,상기 상부 기판은 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane), 폴리우레탄(Polyurethane), 폴리우레아(Polyurea), 풀러린계고무(Fluoropolymer), 카르복사미드(Carboximide) 및 스티렌계 블록 공중합체(Styrene-butadiene-styrene, Styrene-ethylene-butadiene-styrene, Styrene-isoprene-styrene)로 구성된 군에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.

제12항에 있어서,상기 게이트 전극은 탄소나노튜브, 금속 나노와이어, 금속 마이크로파우더 및 금속 나노박막으로 구성된 소재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.

제12항에 있어서,상기 반도체층은 P형 반도체 고분자, N형 반도체 고분자 또는 반도체성 화합물로 구성된 반도체성 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.

제12항에 있어서,상기 소스 전극과 드레인 전극은 탄소나노튜브, 금속 나노와이어, 금속 마이크로파우더 및 금속 나노박막으로 구성된 소재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.

제12항에 있어서,상기 반도체층의 두께는 50 nm 내지 300 nm 인 것을 특징으로 하는 트랜지스터.